本技术涉及半导体技术领域，公开了一种基于SIC器件的封装结构，所述芯片置于下框架与上框架的对合端，所述下封盖的上板面内置于对压腔之间开设有与芯片相适配的封装腔，所述上封盖的下板面开设有与芯片相适配的压盖腔，所述芯片本体的输出端呈对称形式...

一种调整I GBT芯片耐压性能的系统及其方法，涉及I GBT芯片技术领域，包括芯片仿真模型构建模块、调整参数预测生成模块、芯片性能仿真模块、芯片仿真参数获取模块和分析模型构建模块，芯片仿真模型构建模块构建IGBT芯片仿真模型后，调整参数...

一种IGBT芯片的蚀刻优化方法，涉及IGBT芯片技术领域，包括如下步骤：第一步、建立数据库，并设定初始数据；第二步、根据数据库设计反应离子刻蚀(RIE)模型；第三步、根据反应离子刻蚀(RIE)模型开始蚀刻；第四步、在蚀刻过程中进行数据收...

本技术涉及芯片封装技术领域，公开了一种提高SiC芯片可靠性的封装结构，所述芯片组件装配于封盖组件的腔室下半部，所述散热组件装配于封盖组件的腔室上半部，所述导热基板的板架一侧排布设置有正对于SiC芯片上方的多组受热板，且导热基板的板面下方...

本技术涉及IGBT芯片技术领域，公开了一种新型覆银式IGBT芯片结构，所述上封座组件与下封座组件相互对合，且上封座组件与下封座组件之间呈对称排列的两组收紧螺杆拧接固定，所述IGBT芯片卡扣安装于上封座组件与IGBT芯片的对合腔之间。本技...

本实用新型涉及

本发明提供了一种集成温度传感结构的

本发明提供了一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该器件包括P型衬底和N型漂移区，P型衬底与N型漂移区之间设置有埋氧层，N型漂移区的上层设置有场氧层，场氧层的两端分别设置有P型体区和N型缓冲层，P型体区的上表...

本发明提供了一种快恢复二极管芯片铂扩散方法，涉及快恢复二极管芯片制造技术领域，包括在衬底的表面上生成N+型区域层，在N+型区域层的表面上生成N

本发明提供了一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N

本发明提供了一种逆导型IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种逆导型IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极区、导电掺杂区、n型场截止层、n

本发明提供了一种具备多种冷却结构的IGBT模块及其工作方法，涉及IGBT模块技术领域，包括外壳和设置所述外壳内部的电路模块，以及设置在电路模块两侧的基板，所述外壳的一侧设置有第二冷却装置，在所述外壳的内部还设置有第一冷却装置和调节装置，...

本发明提供了一种快恢复二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种快恢复二极管芯片包括依次设置的背面金属电极、衬底、N+型阴极区、N型缓冲区、N

本发明提供了一种内绝缘的IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种内绝缘的IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、衬底、P+集电极层、导电掺杂区、N型场截止层、N

本发明提供了一种沟槽型IGBT芯片及其制备方法，属于IGBT芯片技术领域，该一种沟槽型IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N

本发明提供了一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲层，p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，n型缓冲层的上方设置有n+型飘移层，n+型飘移层的内部设置有p型块，n+型飘移层的顶部设置有蚀刻沟槽，蚀刻沟槽...

本实用新型提供了一种沟槽式栅极IGBT结构，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路...

在本实用新型提供了一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，包括安装平台，安装平台包括台面板，台面板顶部的中央转动连接有旋转送料台，旋转送料台的轴体穿过台面板底部与传送电机的输出轴固定连接，传送电机固定安装于台面板的底部，本实用新型通过控制器控...

本实用新型属于外延生长装置技术领域，本实用新型提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜...

本发明提供了一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成P+集电层、N+电场阻止层...