【技术实现步骤摘要】
激光辅助加热MOCVD装置及其工作方法
[0001]本专利技术涉及光通信用半导体激光器器件制备、光电子信息
，尤其涉及一种激光辅助加热MOCVD装置及其工作方法，其至少可以用于改善光通信用掩埋异质结构DFB激光器外延薄膜质量及芯片性能。
技术介绍
[0002]随着光通信及光电子产业化的到来，各类型衬底、半导体设备以及不同结构的光电子器件相继问世，其器件性能逐步提高，其中InP基半导体材料是光通信半导体芯片及器件的重要衬底材料，MOCVD 技术不仅成为制备化合物半导体异质结、超晶格、量子阱、量子点等低维结构的主要手段，而且还是生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法且已形成产业，并且仍在继续发展之中，是现代外延技术的重要组成部分。作为光通信系统的重要部件，作为信号发射源，各类型器件参数在满足标准时，首先要保证其器件外延质量，才能够得到工作状态稳定的光电子器件。随着外延工艺的发展和优化，掩埋异质结结构（BH）掩埋工艺成本下降并且成品率更高，且在电场及光场限制作用方面均优于脊型波导结构器件，所以人们更倾向于对电场和光场限...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光辅助加热MOCVD装置，其特征在于：使用激光加热系统联合MOCVD自有的原位监测系统EPI
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TT，在MOCVD设备自身热系统到达设定温度后，使用激光加热系统生成光斑对腔体内的晶圆进行辅助加热，用于辅助MOCVD进行外延薄膜的生长。2.根据权利要求1所述的激光辅助加热MOCVD装置，其特征在于，所述激光加热系统包括：Nd:YAG激光器和衍射光束整形器；所述和衍射光束整形器用于将具有近高斯轮廓的激光光束转变为具有均匀平顶强度分布的清晰形状。3.根据权利要求2所述的激光辅助加热MOCVD装置，其特征在于：所述Nd:YAG激光器放置于手套箱外；所述衍射光束整形器套件固定在LID的Argus孔上方，将激光器的激光束转换成和Argus孔同等大小的矩形光束，通过LID照射到待生长的晶圆上，用于外延生长时辅助加热。4.根据权利要求1
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3其中任一所述的激光辅助加热MOCVD装置的工作方法，其特征在于：在生长Block PNP InP电子阻挡层时，在第一个P型层使用激光辅助加热系统增加晶圆表面温度，使P型层在达到一定的生长温度时开始BH结构的PNP电子阻挡层的生长。5.根据权利要求4所述的激光辅助加热MOCVD装置的工作方法，其特征在于：用...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐通通，罗海林，钟琪，李海洪，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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