一种超薄衬底外延生长装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于外延生长装置技术领域，本发明专利技术提供了一种超薄衬底外延生长装置及制备方法，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分，一种超薄衬底外延生长设备的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将晶圆底衬放入支撑拖架内，并使所述支撑拖架旋转；步骤二、通过驱动电动伸缩杆调整调域加热装置照射加热所述晶圆底衬，使得两个所述调域加热装置的照射面积一之和正好覆盖整个所述晶圆底衬表面，从而使得晶圆底衬的受热更加的均匀，使得外延生长厚度更加的均匀。匀。匀。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄衬底外延生长装置及制备方法


[0001]本专利技术属于外延生长装置
，具体而言，涉及一种超薄衬底外延生长装置及制备方法。

技术介绍

[0002]外延生长装置广泛地使用作为用于形成在例如硅晶片的表面上的单晶层(外延层)的装置。在单个晶片型外延生长装置中，将源气体引入在其中水平地放置有晶片的反应室中时，执行加热以获得预定的温度，从而使外延层生长。
[0003]晶片需要在范围为从1000至2000摄氏度的高温下加热。可将卤素灯用作加热源。
[0004]由于外延生长的速度与厚度与晶片表面温度息息相关，而现有技术中晶片表面温度由于卤素灯照射时电磁波的叠加效应会产生晶片中心区域温度高于外侧区域温度的情况出现，从而导致晶片中心区域外延生长厚度高于外侧区域外延生长厚度，从而影响晶片质量和芯片制作的后续加工工艺的实施。

技术实现思路

[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一方面，本专利技术提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，所述装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，所述装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，其特征在于：所述装置主体内壁四周且靠近所述进气口和所述出气口处设置有一圈凸缘，所述凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块所述凹透镜将所述装置主体内部分割为上下两个部分，所述装置主体内壁底部转动连接有转动撑杆，所述转动撑杆的底部设置有支撑拖架，所述支撑拖架顶部中央设置有晶圆底衬，所述装置主体内壁的顶部且与所述凹透镜对应的位置处均设置有调域加热装置，所述调域加热装置用于调整照射加热所述晶圆底衬表面的范围，所述装置主体的顶部设置有电动伸缩杆和高温计，所述电动伸缩杆的伸缩轴端部穿过所述装置主体内壁顶部固定连接有连接支架，所述连接支架的左右两侧分别与两个所述调域加热装置连接，所述电动伸缩杆用于施加所述调域加热装置的动力，所述高温计用于检测所述晶圆底衬表面温度。2.根据权利要求1所述的一种超薄衬底外延生长装置，其特征在于：所述调域加热装置包括安装盒和滑动罩，所述安装盒的顶部与所述装置主体内壁顶部固定连接，所述安装盒内壁顶部沿水平方向设置有一排电加热灯一，所述安装盒滑动连接于滑动罩内部，所述滑动罩底部开设有投影孔，两个所述滑动罩之间固定连接有所述连接支架。3.根据权利要求2所述的一种超薄衬底外延生长装置，其特征在于：所述晶圆底衬顶部与两个所述凹透镜底部构成的空间为气体反应区，所述气体反应区用于容纳反应气体与所述晶圆底衬表面发生反应提供空间，所述气体反应区与所述进气口和所述出气口相匹配，所述气体反应区的顶部四边均设置为向所述装置主体的顶部倾斜的倾斜面，该倾斜面的表面设置有反射板，所述装置主体内壁底部且靠近所述支撑拖架的四周处设置有一圈电加热灯二，一圈所述电加热灯二位于所述反射板的下方位置处。4.根据权利要求3所述的一种超薄衬底外延生长装置，其特征在于：所述装置主体顶部的一侧设置有控制器，所述控制器为PLC控制器，所述高温计、电加热灯一、电加热灯二和电动伸缩杆通过电线与所述控制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，杨玉珍，王丕龙，张永利，赵旺，朱建英，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：