反应系统技术方案

本发明专利技术公开了一种反应系统，包括：反应器，具有反应腔以及连通反应腔的进气口和抽气口；进气装置，设置在进气口，用于向反应腔供给反应气体；抽气系统，和抽气口连接，用于对反应腔内进行抽气；旋转装置，绕自身轴线可转动地设置在反应器上，旋转装置的一端伸至反应腔内；石墨托盘，设置在旋转装置伸至反应腔的一端，石墨托盘用于承载衬底；预热筒，设置在石墨托盘的外侧；第一加热器，设置在预热筒的外侧；第二加热器，设置在石墨托盘的下方。本发明专利技术结合了冷壁系统和热壁系统的优点，可以生长出更好的单晶材料，并且通过调节预热筒的温度，实现反应系统在冷壁系统和热壁系统之间来回切换，兼容性好。兼容性好。兼容性好。

【技术实现步骤摘要】
反应系统


[0001]本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)设备领域，尤其涉及一种反应系统。

技术介绍

[0002]SiC单晶材料的生长主要采用CVD设备，反应原理是反应气体流经被加热到反应温度的基片(即衬底)表面，发生化学反应生成SiC单晶薄膜。目前，CVD设备存在两种反应系统：热壁系统和冷壁系统。热壁系统的特点是反应器内腔连同放置在内的石墨托盘和衬底都被加热。冷壁系统的特点是反应器内腔不加热，只有放衬底的石墨托盘被加热。
[0003]热壁系统存在以下问题：(1)反应器内腔壁面上也有大量沉积，需要频繁清理，造成大量颗粒物污染内腔；(2)需要更高的热负荷与能耗。
[0004]冷壁系统存在以下问题：(1)衬底温度不均匀程度较明显；(2)沉积层厚度不均匀；(3)处理的批量较小；(4)衬底容易产生热应力。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种反应系统，以解决上述技术问题。
[0006]为此，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种反应系统，包括：
[0007]反应器，具有反应腔以及连通所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应系统，其特征在于，包括：反应器，具有反应腔以及连通所述反应腔的进气口和抽气口；进气装置，设置在所述进气口，用于向所述反应腔供给反应气体；抽气系统，和所述抽气口连接，用于对所述反应腔内进行抽气；旋转装置，绕自身轴线可转动地设置在所述反应器上，所述旋转装置的一端伸至所述反应腔内；石墨托盘，设置在所述旋转装置伸至所述反应腔的一端，所述石墨托盘用于承载衬底；预热筒，设置在所述石墨托盘的外侧；第一加热器，设置在所述预热筒的外侧；第二加热器，设置在所述石墨托盘的下方。2.根据权利要求1所述的反应系统，其特征在于，所述反应器包括顶板、侧板和底板，所述顶板的中心位置设置有所述进气口；所述侧板设置在所述顶板的下表面，所述预热筒的上端和所述侧板连接；所述底板设置在所述侧板的下表面，所述旋转装置绕自身轴线可转动地设置在所述底板的中心位置，所述抽气口设置在所述底板上且位于所述旋转装置的一侧。3.根据权利要求2所述的反应系统，其特征在于，所述顶板、所述侧板和所述底板均设置有第一冷水腔，所述第一冷水腔内循环流动冷却液，用于对所述反应器降温。4.根据权利要求1所述的反应系统，其特征在于，所述预热筒包括第一竖直段、变径段和第二竖直段，所述第一竖直段的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：施建新，蒲勇，
申请(专利权)人：芯三代半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：