一种长外延片的反应室结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种生长外延片的反应室结构，属于外延片技术领域，一种生长外延片的反应室结构，包括生长室和恒温机构，生长室外层包有保温室，恒温机构位于保温室外表面的一侧，恒温机构包括保温水箱，保温水箱的侧壁内侧设置有加热层，保温水箱的一侧设置有压力泵，压力泵的输出端连接与保温水箱贯通连接，压力泵输入端连接有呈循环回路的循环热量管，循环热量管的另一端贯通连接保温水箱，循环热量管包围所述保温室，保温水箱便于对水量的储存，通过设置的加热层，便于水流输送，保持生长室内温度的平衡，通过设置的循环热量管，便于对保温水箱内部的水进行加热，通过设置的压力泵，有利于对水流产生压力便于水流的压力输送和循环是输送。和循环是输送。和循环是输送。

【技术实现步骤摘要】
一种长外延片的反应室结构


[0001]本技术属于外延片
，涉及到一种长外延片的反应室结构。

技术介绍

[0002]外延是半导体工艺当中的一种，在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区，外延片就是在衬底上做好外延层的硅片，因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。
[0003]现有的外延片在使用时存在一些弊端，首先，外延片在生长时离不开特定的温度条件，温度不均匀的话不利于外延片的生长，还有，外延片生长的环境不能够很好的对室内进行保温，具有一定的不利影响的问题，为此我们提出一种生长外延片的反应室结构。

技术实现思路

[0004]本技术为了解决上述问题，设计了一种生长外延片的反应室结构。
[0005]本技术的具体技术方案是：
[0006]一种生长外延片的反应室结构，包括生长室和恒温机构，其特征在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长外延片的反应室结构，包括生长室(1)和恒温机构，其特征在于：所述生长室(1)外层包有保温室(2)，所述恒温机构位于保温室(2)外表面的一侧，所述恒温机构包括保温水箱(3)，所述保温水箱(3)的侧壁内侧设置有加热层(4)，所述保温水箱(3)的一侧设置有压力泵(5)，所述压力泵(5)的输出端连接与保温水箱(3)贯通连接，压力泵(5)输入端连接有呈循环回路的循环热量管(6)，所述循环热量管(6)的另一端贯通连接保温水箱(3)，所述循环热量管包围所述保温室(2)。2.根据权利要求1所述的生长外延片的反应室结构，其特征在于：还包括旋转机构，所述旋转机构包括底座(7)，所述底座(7)位于保温室(2)底部外侧，所述底座(7)的上表面中部固定安装有转轴(8)，所述转轴(8)穿过保温室(2)和生长室(1)，所述转轴(8)的上端外表面固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：白欣娇，申硕，袁凤坡，李怀水，尤立鹏，张乾，
申请(专利权)人：同辉电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：