【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术，具体涉及一种高功率soa外延结构、芯片及芯片的制备方法。
技术介绍
1、半导体光放大器（soa）作为光通信、激光雷达、量子计算等领域的核心器件，其饱和输出功率（psat）是衡量性能的关键指标。高psat soa能显著减少光系统中继放大节点数量，有效降低系统复杂性与成本，成为突破当前光系统性能瓶颈的重要路径。
2、目前主流的高功率优化策略包括：（1）增大有源区体积，从而提升载流子存储容量；（2）采用多级级联结构，分阶段放大降低单级负荷；（3）设置量子点有源层，实现高微分增益、低透明电流密度；（4）降低光场限制因子（γ），从而降低光场与有源区重叠度。
3、然而上述高功率优化策略均存在一定的局限性：增大有源区体积易导致响应速度下降，模式控制困难；多级级联结构使得器件复杂度与耦合损耗增加；量子点有源层工艺难度大，成本高；降低光场限制因子（γ）需优化波导结构设计。
4、鉴于此，本专利技术提出一种高功率soa外延结构、芯片及芯片的制备方法。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高功率SOA外延结构，其特征在于，从下到上依次包括衬底、N-InP缓冲层、多层交替出现的InGaAsP高折层和N-InP缓冲层、N-InP层、InGaAsP SCH层、MQW层、InGaAsP SCH层、高掺杂P-InP层、InGaAs欧姆接触层；所述多层交替出现的InGaAsP高折层和N-InP缓冲层中，相邻的两层InGaAsP高折层之间设置有N-InP缓冲层。
2.根据权利要求1所述的一种高功率SOA外延结构，其特征在于，位于衬底上方的所述N-InP 缓冲层的厚度范围为0.8~1.2μm，两个所述InGaAsP SCH层的厚度范围均为70~11...
【技术特征摘要】
1.一种高功率soa外延结构，其特征在于，从下到上依次包括衬底、n-inp缓冲层、多层交替出现的ingaasp高折层和n-inp缓冲层、n-inp层、ingaasp sch层、mqw层、ingaasp sch层、高掺杂p-inp层、ingaas欧姆接触层；所述多层交替出现的ingaasp高折层和n-inp缓冲层中，相邻的两层ingaasp高折层之间设置有n-inp缓冲层。
2.根据权利要求1所述的一种高功率soa外延结构，其特征在于，位于衬底上方的所述n-inp 缓冲层的厚度范围为0.8~1.2μm，两个所述ingaasp sch层的厚度范围均为70~110nm，所述mqw层的厚度范围为40~60 nm，所述高掺杂p-inp层的厚度范围为2~3μm，所述ingaas欧姆接触层的厚度范围为300~500nm。
3.根据权利要求1所述的一种高功率soa外延结构，其特征在于，所述多层交替出现的ingaasp高折层和n-inp缓冲层具体包括6层ingaasp高折层和5层n-inp缓冲层。
4.根据权利要求3所述的一种高功率soa外延结构，其特征在于，所述5层n-inp缓冲层的厚度范围均为190~230nm。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：杜圆圆，苏辉，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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