一种气相外延系统及其维护操作方法技术方案

本发明专利技术提供一种气相外延系统，包括载盘支撑装置、盖体、反应室、供气系统及排气室，载盘支撑装置穿过盖体，盖体与载盘支撑装置连接；反应室包括内腔室和外腔室，内腔室为反应腔，内腔室设置于外腔室中；供气系统位于反应室的一端部；内腔室包括第一分体和第二分体，第一分体靠近供气系统，第二分体远离供气系统；排气室与外腔室堆叠设置，排气室与外腔室密封隔离，内腔室与排气室连接；排气室远离供气系统的一端设有开口，内腔室可移动地设置于外腔室和排气室中。本发明专利技术通过引入具有分体结构的内腔室以及升降结构，可以在维护时只需更换内腔室的分体部分，无需整管更换，便于设备维护，可简化维护流程，提高设备稼动率和良率。提高设备稼动率和良率。提高设备稼动率和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种气相外延系统及其维护操作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及外延生长技术，特别是涉及一种气相外延系统及其维护操作方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料，例如III
‑
V族化合物半导体，具有禁带宽、电子饱和漂移速率高、击穿电场强度高、抗辐射强、介电常数小、热稳定性好和化学性能稳定等优点。其被广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及包括高功率、高频率、高温晶体管和集成电路的电子装置等各种半导体装置中。
[0003]气相外延工艺是生长III
‑
V族半导体的常见工艺，其包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、高温高压合成法、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)等。其具有生长速率高、设备简单及制备成本低的优势。例如，在氢化物气相外延工艺中，III
‑
V族半导体通过热的气态金属卤化物(例如GaCl或AlCl)与V族气体(例如NH3)反应而形成。
[0004]现有的气相外延系统一般采用单体式石英腔体，在大尺寸、量产型反应腔体设计中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相外延系统，其特征在于，包括：载盘支撑装置，用于支撑位于所述载盘支撑装置顶部的载盘；盖体，所述载盘支撑装置穿过所述盖体，所述盖体与所述载盘支撑装置连接；反应室，所述反应室包括内腔室和外腔室，所述内腔室为反应腔，所述内腔室设置于所述外腔室中；供气系统，位于所述反应室的一端部，用于向所述内腔室供气；所述内腔室包括可拆卸连接的第一分体和第二分体，所述第一分体靠近所述供气系统，所述第二分体远离所述供气系统；排气室，与所述外腔室堆叠设置，且设于所述外腔室远离所述供气系统的一端，所述排气室与所述外腔室密封隔离，所述内腔室与所述排气室连接；所述排气室远离所述供气系统的一端设有开口，所述盖体用于对所述排气室的开口进行气密性开闭，所述内腔室可移动地设置于所述外腔室和所述排气室中。2.根据权利要求1所述的气相外延系统，其特征在于，所述载盘位于所述第一分体中。3.根据权利要求1所述的气相外延系统，其特征在于，所述外腔室中设有外部加热器，所述载盘支撑装置中靠近所述载盘的位置设有内部加热器，所述内部加热器位于所述第一分体中。4.根据权利要求3所述的气相外延系统，其特征在于，所述内部加热器包括位于所述载盘支撑装置顶部的平面加热器和套置于所述载盘支撑装置靠近顶部外围的环状加热器。5.根据权利要求1所述的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：林桂荣，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：