【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，尤其涉及一种带吹扫的遮挡装置及气相沉积设备。
技术介绍
1、在半导体晶片上进行气相沉积以生长半导体薄膜是半导体制造工艺中一个非常重要的模块。典型的气相沉积设备主要包括化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、等离子体增强气相沉积设备、金属有机物化学气相沉积(mocvd)设备等。在商业上，这些设备用于制造固态(半导体)微电子装置、光学装置和光电装置以及其它电子/光电子材料和装置。
2、通常，在气相沉积过程中，反应腔内设置有承载盘，晶圆放置于该承载盘上。通过进气装置(例如喷淋头)将工艺气体引入反应腔内，并输送到放置在承载盘上的一或多个晶圆的表面进行处理，从而生长出特定晶体结构的薄膜。同时为了实现均匀沉积，承载盘在旋转轴的带动下高速旋转。由于承载盘拖拽气体旋转，在反应区侧壁附近(也即承载盘边缘附近气体来流方向)容易产生气流涡旋，尤其是在承载盘高转速(转速≥200rpm)的情况下尤为明显。
3、当存在一定的气流涡旋的情况下，反应腔的内侧壁会有比较严重的反应副产物沉积(coating)，并且就算在没有气...
【技术保护点】
1.一种带吹扫的遮挡装置，设置于类圆柱形的反应腔内，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道从所述第一侧面贯穿至所述第二侧面且不超出所述第二侧面，且所述导气通道在所述第二侧面上形成的出气口的内径不小于所述导气通道在所述第一侧面上形成的入气口的内径。
3.根据权利要求2所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道在所述第二侧面上形成的出气口的面积之和不小于所述第二侧面面积的30％。
4.根据权利要求2所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道包括第一通道和与所述第一通道连通的第二...
【技术特征摘要】
1.一种带吹扫的遮挡装置，设置于类圆柱形的反应腔内，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道从所述第一侧面贯穿至所述第二侧面且不超出所述第二侧面，且所述导气通道在所述第二侧面上形成的出气口的内径不小于所述导气通道在所述第一侧面上形成的入气口的内径。
3.根据权利要求2所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道在所述第二侧面上形成的出气口的面积之和不小于所述第二侧面面积的30％。
4.根据权利要求2所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道包括第一通道和与所述第一通道连通的第二通道，所述第二通道的内径逐渐增大，且大于所述第一通道的内径。
5.根据权利要求4所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，在沿所述导气通道的中心线方向上，所述第一通道的长度大于所述第二通道的长度。
6.根据权利要求5所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述第一通道的长度大于等于所述第二通道的长度的2倍。
7.根据权利要求2所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述隔离壁的厚度大于5mm。
8.根据权利要求7所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道的内径为0.2～2mm。
9.根据权利要求1所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述导气通道的中心线与所述反应腔的中心轴线平行。
10.根据权利要求1所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述喇叭部的轴截面线为直线、弧线、曲线中的任意一种，或直线与弧线的结合，或直线与曲线的结合。
11.根据权利要求10所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述喇叭部的轴截面线的上下两个端点之间的连线与所述反应腔的中心轴线之间成一角度α，所述α满足：0°＜a≤45°。
12.根据权利要求1所述的带吹扫的遮挡装置，其特征在于，所述遮挡件包括环形腔，所述环形腔包括靠近所述反应腔内侧壁的外壁及靠近所述反应区的内壁，所述环形腔的内壁形成为所述隔离壁，所述环形腔的外壁与所述反应腔的内侧壁适配，所述环形腔上设有吹扫气体进气口。
13.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述导气通道周向...
【专利技术属性】
技术研发人员：邢志刚，刘雷，张志明，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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