本发明专利技术公开了一种半导体沉积设备及半导体沉积设备的清理方法，半导体沉积设备在与反应腔室的排气口连接的排气管路内设置升降抖动装置，升降抖动装置设置于排气管路靠近反应腔室的内壁上，并沿排气管路的轴向方向向反应腔室的排气口延伸，支撑部设置于升降装置的延伸端，通过控制升降抖动装置带动支撑部自排气管路内上升至反应腔室的排气口并相对排气口运动，以清除反应腔室的排气口的堵塞物。由此，本发明专利技术无需打开反应腔室就能够解决反应腔室排气口的堵塞问题，提高了设备运行效率。本发明专利技术中的排气管路设置有管路扩张段，该管路扩张段的沿排气管路的径向扩张的部分用于放置回缩状态下的升降抖动装置，进而不会对排气管路内的气体流通产生阻碍。
1、在半导体晶片上进行薄膜沉积是半导体制造工艺中一个非常重要的模块。典型的半导体沉积设备主要包括化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、等离子体增强气相沉积设备、金属有机物化学气相沉积(mocvd)设备等。
2、通常，在半导体薄膜沉积过程中，如图1和图2所示，半导体沉积设备中设有真空或低压的反应腔室100，反应腔室100内设置有晶圆承载台103，晶圆放置于该晶圆承载台103上。通过进气装置(例如喷淋头)将沉积气体引入反应腔室100内，并输送到放置在晶圆承载台上的一或多个晶圆的表面进行处理，从而生长出特定晶体结构的薄膜。反应腔室100的底壁上设置有排气口101，排气口连接排气管路102，使用过的沉积气体通过位于反应腔室底部的排气口101经排气管路102从反应腔室100内排出。同时为了实现均匀沉积，晶圆承载台103在旋转轴104的带动下高速旋转。
3、由于晶圆的放置不当，或者高温环境下晶圆容易发生变形，导致在沉积过程中晶圆在离心力的作用下发生飞片(晶圆被甩出晶圆承载台)。若被甩落的晶圆掉落至反应腔室的排气口上，则会导致排气通路堵塞。此外，在沉积过程中，会在排气口附近形成反应副产物的寄生沉积，随着生长炉数的累加，在排气口附近的沉积越来越厚逐渐对排气口形成堵塞，也会对反应腔室中的气体流动造成影响。因此，需要对堵塞的排气口进行清理。
r/>技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体沉积设备及半导体沉积设备的清理方法，以解决反应腔室排气口的堵塞问题，尤其是飞片导致的排气口的堵塞问题，而无需打开反应腔室，提升设备的运行效率。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体沉积设备，包括：
3、反应腔室；
4、排气口，位于反应腔室的底部；
5、排气管路，与排气口相连通，排气管路包括管路本体以及管路扩张段，管路扩张段包括管路本体区及肩部，管路本体区的直径与管路本体的内径相同，肩部围绕管路本体区沿排气管路的径向扩张；
6、升降抖动装置，设置于管路扩张段的内壁上，且升降抖动装置自管路扩张段的内壁沿排气管路的轴向方向往排气口方向延伸；
7、支撑部，位于升降抖动装置的延伸端，且升降抖动装置和支撑部均被肩部覆盖；
8、控制装置，设置于排气管路外，密封地穿过排气管路与升降抖动装置连接，以控制升降抖动装置运动，从而带动支撑部的至少部分伸入反应腔室并相对排气口运动。
9、可选地，升降抖动装置包括：
10、横向伸缩组件，一端部与管路扩张段的内壁连接，另一端部包括沿排气管路的径向方向延伸的伸缩部，控制装置与横向伸缩组件连接，以控制伸缩部沿排气管路的径向方向运动；
11、纵向升降组件，一端部与伸缩部连接，以使纵向升降组件在伸缩部的带动下沿排气管路的径向方向运动，另一端部包括沿排气管路的轴向方向往排气口的方向延伸的升降部，控制装置与纵向升降组件连接，以控制升降部沿排气管路的轴向方向运动，支撑部设置于升降部的延伸端，且与升降部的延伸端固定连接。
12、可选地，管路扩张段的内径不超过管路本体的内径的3倍。
13、可选地，支撑部的轮廓为与管路本体的轮廓相匹配的弧形或环形。
14、可选地，排气管路中绕周向分布设置多个升降抖动装置，排气管路外设置多个控制装置，多个控制装置与多个升降抖动装置一一对应，多个支撑部一一对应设置在升降部的延伸端。
15、可选地，当多个支撑部同时位于管路本体或管路本体区中时，多个支撑部沿管路本体的内轮廓所在面的周向方向上排布。
16、可选地，相邻支撑部之间设有间隙，间隙容许各个支撑部沿管路本体或管路本体区的径向方向运动。
17、可选地，排气口的上游处设置有第一压力传感器，第一压力传感器与控制装置连接，以将第一压力传感器的检测值反馈至控制装置。
18、可选地，排气管路中升降抖动装置的下游设置有第二压力传感器，第二压力传感器与控制装置连接，以将第一压力传感器及第二压力传感器检测值反馈至控制装置。
19、可选地，排气口附近设置有温度传感器，温度传感器与控制装置连接，以将温度传感器的检测值反馈至控制装置。
20、可选地，反应腔室包括多个排气口，多个排气口在反应腔室的底部均匀分布。
21、可选地，横向伸缩组件包括电动推杆，纵向升降组件也包括电动推杆。
22、本专利技术还提供一种半导体沉积设备的清理方法，半导体沉积设备包括反应腔室、位于反应腔室底部的排气口、与排气口相连通的排气管路，包括：
23、s0：将包含管路本体及管路扩张段的排气管路安装至排气口，管路扩张段包括管路本体区及肩部，管路本体区的内径与管路本体的内径相同，肩部围绕管路本体区沿排气管路的径向延伸；
24、s1：在管路扩张段的内壁上设置升降抖动装置，在排气管路外设置控制装置，使控制装置密封地穿过排气管路与升降抖动装置连接，在升降抖动装置的顶端设置支撑部，使支撑部位于一初始位置使得升降抖动装置和支撑部均被肩部覆盖；
25、s2：判断排气口是否发生堵塞；
26、s3：当判断排气口发生堵塞时，通过控制装置控制升降抖动装置运动，使支撑部的至少部分伸入反应腔室并相对排气口运动；
27、s4：直至判断排气口未发生堵塞，通过控制装置控制升降抖动装置复位使支撑部重新位于初始位置。
28、可选地，步骤s2中判断排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
29、在排气口的上游设置第一压力传感器，获得第一压力传感器的检测值。
30、可选地，步骤s2中判断排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
31、在排气管路中升降抖动装置的下游设置第二压力传感器，获得第二压力传感器的检测值。
32、可选地，步骤s2中判断排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
33、设定第一预设压力，判断第一压力传感器的压力检测值是否超出第一预设压力；
34、当第一压力传感器的压力检测值超出第一预设压力时，判定排气口发生堵塞；
35、当第一压力传感器的压力检测值不大于第一预设压力时，判定排气口未发生堵塞。
36、可选地，步骤s2中判断排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
37、设定第二预设压力，判断第一压力传感器和第二压力传感器之间的压力检测值之差是否超出第二预设压力；
38、当压力检测值之差超出第二预设压力时，判定排气口发生堵塞；
39、当压力检测值之差不大于第二预设压力时，判定排气口未发生堵塞。
40、可选地，当反应腔室底部均匀设置多个排气口，多个排气管路与多个排气口一一对应，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述升降抖动装置包括：
3.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述管路扩张段的内径不超过所述管路本体的内径的3倍。
4.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述支撑部的轮廓为与所述管路本体的轮廓相匹配的弧形或环形。
5.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气管路中绕周向分布设置多个所述升降抖动装置，所述排气管路外设置多个所述控制装置，多个所述控制装置与多个所述升降抖动装置一一对应，多个所述支撑部一一对应设置在所述升降部的延伸端。
6.根据权利要求5所述的半导体沉积设备，其特征在于，当多个所述支撑部同时位于所述管路本体中或所述管路本体区中时，多个所述支撑部沿所述管路本体的内轮廓所在面的周向方向排布。
7.根据权利要求6所述的半导体沉积设备，其特征在于，相邻所述支撑部之间设有间隙，所述间隙容许各个所述支撑部沿所述管路本体或所述管路本体区的径向方向运动。
8.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气口的上游处设置有第一压力传感器，所述第一压力传感器与所述控制装置连接，以将所述第一压力传感器的检测值反馈至所述控制装置。
9.根据权利要求8所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气管路中所述升降抖动装置的下游设置有第二压力传感器，所述第二压力传感器与所述控制装置连接，以将所述第一压力传感器及所述第二压力传感器检测值反馈至所述控制装置。
10.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气口附近设置有温度传感器，所述温度传感器与所述控制装置连接，以将所述温度传感器的检测值反馈至所述控制装置。
11.根据权利要求8～10所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述反应腔室包括多个所述排气口，多个所述排气口在所述反应腔室的底部均匀分布。
12.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述横向伸缩组件包括电动推杆，所述纵向升降组件也包括电动推杆。
13.一种半导体沉积设备的清理方法，所述半导体沉积设备包括反应腔室、位于所述反应腔室底部的排气口、与所述排气口相连通的排气管路，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
16.根据权利要求14所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
17.根据权利要求15所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
18.根据权利要求14所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，当所述反应腔室底部均匀设置多个所述排气口，多个所述排气管路与多个所述排气口一一对应，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
19.根据权利要求13所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
21.根据权利要求19所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，当所述反应腔室底部均匀设置多个所述排气口，多个所述排气管路与多个所述排气口一一对应，步骤S2中判断所述排气口是否发生堵塞的步骤中，包括：
22.根据权利要求13所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，步骤S3中通过控制装置控制所述升降抖动装置运动，使所述支撑部的至少部分伸入所述反应腔室并相对所述排气口运动的步骤中，包括：
23.根据权利要求22所述的半导体沉积设备的清理方法，其特征在于，在所述管路扩张段的内壁上设置多个所述升降抖动装置，多个所述控制装置与所述多个所述升降抖动装置一一对应连接，以控制所述多个升降抖动装置错峰地沿所述排气管路的轴向做反复升降运动，或者，同时，控制所述多个升降抖动装置错峰地沿所述排气管路的径向做反复伸缩运动。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述升降抖动装置包括：
3.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述管路扩张段的内径不超过所述管路本体的内径的3倍。
4.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述支撑部的轮廓为与所述管路本体的轮廓相匹配的弧形或环形。
5.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气管路中绕周向分布设置多个所述升降抖动装置，所述排气管路外设置多个所述控制装置，多个所述控制装置与多个所述升降抖动装置一一对应，多个所述支撑部一一对应设置在所述升降部的延伸端。
6.根据权利要求5所述的半导体沉积设备，其特征在于，当多个所述支撑部同时位于所述管路本体中或所述管路本体区中时，多个所述支撑部沿所述管路本体的内轮廓所在面的周向方向排布。
7.根据权利要求6所述的半导体沉积设备，其特征在于，相邻所述支撑部之间设有间隙，所述间隙容许各个所述支撑部沿所述管路本体或所述管路本体区的径向方向运动。
8.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气口的上游处设置有第一压力传感器，所述第一压力传感器与所述控制装置连接，以将所述第一压力传感器的检测值反馈至所述控制装置。
9.根据权利要求8所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气管路中所述升降抖动装置的下游设置有第二压力传感器，所述第二压力传感器与所述控制装置连接，以将所述第一压力传感器及所述第二压力传感器检测值反馈至所述控制装置。
10.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述排气口附近设置有温度传感器，所述温度传感器与所述控制装置连接，以将所述温度传感器的检测值反馈至所述控制装置。
11.根据权利要求8～10所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述反应腔室包括多个所述排气口，多个所述排气口在所述反应腔室的底部均匀分布。
12.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述横向伸缩组件包括电动推杆，所述纵向升降组件也包括电动推杆。
13.一种半导体沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：王东兴，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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