【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及半导体设备加热装置。
技术介绍
1、在需要高温环境和氧化性气体参与的半导体加工工艺，诸如需要氧气参与的氧化镓生长工艺由于工艺条件苛刻，对加热器的负面影响不容忽视。常用加热丝材料如钨和石墨会与氧气激烈反应而不可用。为了使加热器能够耐氧化，加热器的加热丝以及其下方的电极板等金属材料普遍选用铁铬铝合金或硅化钼等耐腐蚀金属材料。
2、然而上述耐腐蚀材料在高温下具有显著的软化现象，设置在加热丝下方的电极板等金属材料如长时间暴露在加热丝的直接热辐射下容易产生软化。例如牌号为0cr27al7mo2的铁铬铝合金最高使用温度可达1400摄氏度，但其熔点在1520摄氏度左右，因此在高温下采用铁铬铝合金加热丝软化现象也不容忽视。二硅化钼的熔点可高达2030摄氏度，但在温度高于1300摄氏度也会发生软化现象，导致加热丝的支撑困难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体设备加热装置，能够在高温下对加热段，特别是容易发生软化的加热段实现稳定支撑，并有利于减少或阻止加热段对其下方金属部件的直接热辐射。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体设备加热装置，包括：
3、中部基板；
4、若干中部加热段；
5、若干中部支撑组，各所述中部加热段一一对应可拆卸嵌设于各所述中部支撑组并露出所述中部加热段的顶部，每个所述中部加热段的两端朝向所述中部基板延伸并贯穿所述中部基板，各所述中部加热段与所述中部基板之间电绝缘
6、各所述中部支撑组包括可拆卸设于所述中部基板顶面的若干所述中部绝缘支撑件，各所述中部绝缘支撑件顶部设置中部支撑通槽，每个所述中部支撑组中，各中部绝缘支撑件沿对应所嵌设的所述中部加热段的盘绕方向顺次排列以使各所述中部支撑通槽组成有中部支撑结构以嵌设对应所述中部加热段；
7、每个所述中部支撑组中，相邻所述中部绝缘支撑件的中部之间相互面接触或具有空隙，所述中部加热段中，每个所述中部绝缘支撑件中部上方的部分朝向所述中部基板的正投影为对应所述中部绝缘支撑件中部阻挡。
8、本专利技术提供的半导体设备加热装置的有益效果在于：每个所述中部支撑组中，各中部绝缘支撑件沿对应所嵌设的所述中部加热段的盘绕方向顺次排列以使各所述中部支撑通槽组成有中部支撑结构以嵌设对应所述中部加热段；每个所述中部支撑组中，相邻所述中部绝缘支撑件的中部之间相互面接触或具有空隙，所述中部加热段中，位于每个所述中部绝缘支撑件中部上方的部分朝向所述中部基板的正投影为对应所述中部绝缘支撑件中部阻挡，提高了对中部加热段在高温环境下支撑的可靠性，实现稳定支撑，并有利于减少或阻止加热段对其下方金属部件的直接热辐射。
9、可选的，至少部分所述中部绝缘支撑件与所述中部基板顶面之间可拆卸活动连接。
10、可选的，沿所述中部基板径向相邻的所述中部支撑组中，属于不同所述中部支撑组的相邻所述中部绝缘支撑件的中部相互面接触或具有空隙。
11、可选的，所述中部基板顶面设有至少一限位件，所述限位件靠近所述中部支撑组的任一端，所述限位件顶部转动设置有转动件以绕所述限位件轴向转动，所述转动件沿转动方向与位于所述中部支撑组一端的中部绝缘支撑件相抵并位于所述中部绝缘支撑件的中部与所述中部基板之间。
12、可选的，各所述中部绝缘支撑件包括中部阻挡件、设于所述中部阻挡件顶部的所述中部支撑通槽，以及设于所述中部阻挡件底部的安装部，所述安装部可拆卸设于所述中部基板顶面，相邻所述中部绝缘支撑件的中部阻挡件相互面接触或具有空隙，所述中部加热段中位于所述中部绝缘支撑件的中部阻挡件上方的部分朝向所述中部基板的正投影为对应所述中部阻挡件所阻挡。
13、可选的，还包括靠近各所述中部支撑组端部设置的若干中部绝缘套管，所述中部绝缘套管穿设于所述中部基板或设于所述中部基板下方，使对应所述中部加热段的端部在所述中部绝缘套管内延伸，或者贯穿所述中部基板后在所述中部绝缘套管内延伸。
14、可选的，所述中部基板包括绝缘基板，所述绝缘基板包括陶瓷基板。
15、可选的，所述半导体设备加热装置还包括：
16、围绕所述中部基板的边部基板；
17、若干第一边部加热段和若干第二边部加热段，均与所述边部基板之间电绝缘；
18、若干边部绝缘支撑组，围绕所述中部基板间隔设置并可拆卸设于所述边部基板，所述边部绝缘支撑组的高度不低于所述中部支撑组的高度；
19、各所述边部绝缘支撑组的顶部设有沿对应所述第一边部加热段盘绕方向延伸的第一边部支撑结构，各所述第一边部支撑结构围绕所述中部基板间隔排布并一一对应嵌设有所述第一边部加热段；
20、各所述边部绝缘支撑组的顶部还设有沿对应所述第二边部加热段盘绕方向延伸的第二边部支撑结构，各所述第二边部支撑结构围绕所述中部基板间隔排布并一一对应嵌设有所述第二边部加热段；
21、各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段的顶部露出，且两端朝向所述边部基板延伸并贯穿所述边部基板；
22、相邻的所述第一边部支撑结构和所述第二边部支撑结构之间的间距小于沿所述中部基板相邻的所述中部支撑组之间的间距。
23、可选的，所述边部基板包括围绕所述中部基板间隔排列的至少二弧形板以及设于相邻所述弧形板上方的连接板，所述若干边部绝缘支撑组围绕所述中部基板顺次可拆卸卡设于各所述弧形板，所述连接板的两端分别延伸入相邻所述边部绝缘支撑组内，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段的两端朝向附近的所述连接板延伸并贯穿所述连接板，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段与所述连接板电绝缘。
24、可选的，所述半导体设备加热装置还包括穿设于所述连接板或设于所述连接板下方的若干边部绝缘套管；所述连接板附近的各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段的两端分别贯穿所述连接板后延伸至对应下方的一所述绝缘套管内，或者延伸入穿设于所述连接板的所述绝缘套管内。
25、可选的，所述半导体设备加热装置还包括与所述边部基板电绝缘的至少一侧部加热段，各所述边部绝缘支撑组的外侧壁设有沿所述侧部加热段盘绕方向延伸的至少一侧部支撑结构，所述至少一侧部加热段对应嵌设于各所述侧部支撑结构且顶部露出，所述侧部加热段的两端朝向所述边部基板延伸并贯穿所述边部基板，当所述侧部支撑结构的数目至少为2，各所述侧部支撑结构沿对应所述边部绝缘支撑组的轴向排列。
26、可选的，每个所述边部绝缘支撑组包括沿每个所述弧形板延伸方向可拆卸设置的若干边部绝缘支撑件，各所述边部绝缘支撑件的顶部设置第一边部支撑通槽和位于所述第一边部支撑通槽外侧的第二边部支撑通槽，每个所述绝缘支撑组的各所述边部绝缘支撑件沿所述边部基板的周向可拆卸设于所述边部基板，并使各所述第一边部支撑通槽围成所述第一边部支撑结构，使各所述第二边部支撑通槽围成所述第二边部支撑结构。
27、可选的，每个所述边部绝缘支撑本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体设备加热装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，至少部分所述中部绝缘支撑件与所述中部基板顶面之间可拆卸活动连接。
3.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，沿所述中部基板径向相邻的所述中部支撑组中，属于不同所述中部支撑组的相邻所述中部绝缘支撑件的中部相互面接触或具有空隙。
4.根据权利要求2所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部基板设有至少一限位件，所述限位件靠近所述中部支撑组的任一端，所述限位件顶部转动设置有转动件以绕所述限位件轴向转动，所述转动件沿转动方向与位于所述中部支撑组一端的中部绝缘支撑件相抵并位于所述中部绝缘支撑件的中部与所述中部基板之间。
5.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部绝缘支撑件包括中部阻挡件、设于所述中部阻挡件顶部的所述中部支撑通槽，以及设于所述中部阻挡件底部的安装部，所述安装部可拆卸设于所述中部基板顶面，相邻所述中部绝缘支撑件的中部阻挡件相互面接触或具有空隙，所述中部加热段中位于所述中部绝缘支撑件的中部阻
6.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括靠近各所述中部支撑组端部设置的若干中部绝缘套管，所述中部绝缘套管穿设于所述中部基板或设于所述中部基板下方，使对应所述中部加热段的端部在所述中部绝缘套管内延伸，或者贯穿所述中部基板后在所述中部绝缘套管内延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部基板包括绝缘基板，所述绝缘基板包括陶瓷基板。
8.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述边部基板包括围绕所述中部基板间隔排列的至少二弧形板以及设于相邻所述弧形板上方的连接板，所述若干边部绝缘支撑组围绕所述中部基板顺次可拆卸卡设于各所述弧形板，所述连接板的两端分别延伸入相邻所述边部绝缘支撑组内，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段的两端朝向附近的所述连接板延伸并贯穿所述连接板，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段与所述连接板电绝缘。
10.根据权利要求9所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括穿设于所述连接板或设于所述连接板下方的若干边部绝缘套管；
11.根据权利要求9所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括与所述边部基板电绝缘的至少一侧部加热段，各所述边部绝缘支撑组的外侧壁设有沿所述侧部加热段盘绕方向延伸的至少一侧部支撑结构，所述至少一侧部加热段对应嵌设于各所述侧部支撑结构且顶部露出，所述侧部加热段的两端朝向所述边部基板延伸并贯穿所述边部基板，当所述侧部支撑结构的数目至少为2，各所述侧部支撑结构沿对应所述边部绝缘支撑组的轴向排列。
12.根据权利要求9所述的半导体设备加热装置，其特征在于，每个所述边部绝缘支撑组包括沿每个所述弧形板延伸方向可拆卸设置的若干边部绝缘支撑件，各所述边部绝缘支撑件的顶部设置第一边部支撑通槽和位于所述第一边部支撑通槽外侧的第二边部支撑通槽，每个所述绝缘支撑组的各所述边部绝缘支撑件沿所述边部基板的周向可拆卸设于所述边部基板，并使各所述第一边部支撑通槽围成所述第一边部支撑结构，使各所述第二边部支撑通槽围成所述第二边部支撑结构。
13.根据权利要求11所述的半导体设备加热装置，其特征在于，每个所述边部绝缘支撑组包括沿每个所述弧形板延伸方向可拆卸设置的若干边部绝缘支撑件，各所述边部绝缘支撑件外侧壁设有至少一侧部支撑通槽，各所述侧部支撑通槽围成所述至少一侧部支撑结构。
14.根据权利要求11所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括穿设于所述连接板或位于所述连接板下方的若干边部绝缘套管，每个所述侧部加热段的两端分别贯穿附近的所述连接板后延伸至对应下方的一所述边部绝缘套管内，或者延伸入附近穿设于所述连接板的一所述绝缘套管内。
15.根据权利要求12所述的半导体设备加热装置，其特征在于，每个所述边部绝缘支撑组的各所述边部绝缘支撑件底部开设有底部通槽，所述弧形板顺次穿设于各所述底部通槽并与各所述边部绝缘支撑件可拆卸卡设于对应所述底部通槽的侧壁中部，所述弧形板和每个所述底部通槽围成两侧开口的贯通结构，所述连接板的两端分别延伸进入相邻所述贯通结构中，或者可拆卸卡设于相邻所述贯通结构中。
16.根据权利要求12所述的半导体设备加热装置，其特征在于，每个所述弧形板可拆卸卡设的部分所述边部绝缘支撑件中，至少一组相邻所述边...
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备加热装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，至少部分所述中部绝缘支撑件与所述中部基板顶面之间可拆卸活动连接。
3.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，沿所述中部基板径向相邻的所述中部支撑组中，属于不同所述中部支撑组的相邻所述中部绝缘支撑件的中部相互面接触或具有空隙。
4.根据权利要求2所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部基板设有至少一限位件，所述限位件靠近所述中部支撑组的任一端，所述限位件顶部转动设置有转动件以绕所述限位件轴向转动，所述转动件沿转动方向与位于所述中部支撑组一端的中部绝缘支撑件相抵并位于所述中部绝缘支撑件的中部与所述中部基板之间。
5.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部绝缘支撑件包括中部阻挡件、设于所述中部阻挡件顶部的所述中部支撑通槽，以及设于所述中部阻挡件底部的安装部，所述安装部可拆卸设于所述中部基板顶面，相邻所述中部绝缘支撑件的中部阻挡件相互面接触或具有空隙，所述中部加热段中位于所述中部绝缘支撑件的中部阻挡件上方的部分朝向所述中部基板的正投影为对应所述中部阻挡件所阻挡。
6.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括靠近各所述中部支撑组端部设置的若干中部绝缘套管，所述中部绝缘套管穿设于所述中部基板或设于所述中部基板下方，使对应所述中部加热段的端部在所述中部绝缘套管内延伸，或者贯穿所述中部基板后在所述中部绝缘套管内延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述中部基板包括绝缘基板，所述绝缘基板包括陶瓷基板。
8.根据权利要求1所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体设备加热装置，其特征在于，所述边部基板包括围绕所述中部基板间隔排列的至少二弧形板以及设于相邻所述弧形板上方的连接板，所述若干边部绝缘支撑组围绕所述中部基板顺次可拆卸卡设于各所述弧形板，所述连接板的两端分别延伸入相邻所述边部绝缘支撑组内，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段的两端朝向附近的所述连接板延伸并贯穿所述连接板，各所述第一边部加热段和各所述第二边部加热段与所述连接板电绝缘。
10.根据权利要求9所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包括穿设于所述连接板或设于所述连接板下方的若干边部绝缘套管；
11.根据权利要求9所述的半导体设备加热装置，其特征在于，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：万飞华，徐春阳，邢志刚，陈凯辉，
申请(专利权)人：楚赟精工科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。