【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热沉产品制造，特别涉及一种制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法。
技术介绍
1、以陶瓷基板为主要介质材料的薄膜电路具有互连密度高、线条精度高的优点， 被广泛应于通信和航天领域， 而薄膜电路由于其工作频率都比较高， 对线条精度和外形加工要求比较严格， 这对外形加工制作也提出了更高的要求。
2、传统薄膜电路通常在陶瓷基片正面（通常定义为立方体面积最大的两个面为正面）金属化制备电路图形，通过焊丝、焊带引出的方法与外围电路互连。传统薄膜电路的金属化制备电路图形是在陶瓷基片正面和背面溅射金属，然后采用掩膜、曝光、蚀刻等方式将部分金属去掉，形成金属化电路，金属化电路的厚度要求不小于1μm，最后将陶瓷基片分割成一个个单元产品。
3、而在高频、光通讯等领域，为提高产品性能，需尽可能减少组件间级联，要求陶瓷薄膜电路具备侧向传输能力，从而实现电路片与光纤、多层基板间直接连接，若能实现陶瓷薄膜电路侧面图形制作，可以极大提高上述产品组装效率和可靠性，特别是在光电传输领域侧面传输已经是一项不可或缺的技术。
4、因此传统薄膜电路的金属化制备电路图形无法满足侧向传输能力。
5、上述
技术介绍
是为了便于理解本专利技术，并非是申请本专利技术之前已向普通公众公开的公知技术。
技术实现思路
1、针对上述缺陷，本专利技术提供一种制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，实现了侧向传输，降低了贵金属的用量，且解决了起泡现象。
2、技术方案是：一种制作带
3、s1，第一次清洗及清洗后处理，取陶瓷基板进行第一次清洗及清洗后处理；
4、s2，第一次切割，从陶瓷基板的一端沿宽度方向或长度方向平行切割，形成加工区域和连接在加工区域两端的第一支撑端和第二支撑端，加工区域中，基条与条形槽交错排列；
5、s3，第二次清洗及烘干；
6、s4，磁控溅射，磁控溅射形成ti层、pt层、au层的磁控溅射金属层；
7、s5，第二次切割，切割去除第一支撑端和第二支撑端，形成相互独立分离的基条；
8、s6，激光加工，激光加工基条，在基条上形成产品图形；
9、s7，第三次清洗及烘干；
10、s8，第三次切割，切割基条成相互独立分离的单颗产品。
11、进一步地，s4中，1μm<磁控溅射金属层厚度<3μm。
12、进一步地，s4后s5前还包括：
13、s41，电镀au，形成电镀金属层；
14、其中， 200nm<磁控溅射金属层厚度<1μm，1μm<磁控溅射金属层与电镀金属层厚度之和<3μm。
15、进一步地，s1中，清洗后处理为第一次烘烤，第一次烘烤为在烤箱中800℃~1000℃烘烤30-90min。
16、进一步地，s4后s41前还包括：s40，第二次烘烤，磁控溅射后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤；s41后s5前还包括：s42，第三次烘烤，电镀后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤。
17、进一步地，s40和s42中，烘烤炉为管式烘烤炉，烘烤条件为：15℃/min直接升至450℃，保温30min，然后15℃/min降至室温。
18、进一步地，s40和s42中，烘烤炉为管式烘烤炉，烘烤条件为:第一阶段为30-45min内升温至120-160℃，保温8-15min；第二阶段为15-20min内升温至180-220℃，保温8-15min；第三阶段为15-20min内升温至230-260℃，保温8-15min；第四阶段为15-20min内升温至280-320℃，保温8-15min；第五阶段为15-20min内升温至330-360℃，保温8-15min；第六阶段为15-20min内升温至380-420℃，保温8-15min；第七阶段为15-20min内升温至430-460℃，保温20-30min，第八阶段为100-150 min内降温至室温。
19、进一步地，s40和s42中，烘烤炉为带平板加热的惰性气氛窑炉，热传递方向为加热丝传递到载片板，载片板传递到陶瓷基板。
20、进一步地，s40和s42中，烘烤炉的烘烤条件为:烘烤条件为: 第一阶段为30-45min内升温至120-160℃，保温8-15min；第二阶段为15-20min内升温至180-220℃，保温8-15min；第三阶段为15-20min内升温至230-260℃，保温8-15min；第四阶段为15-20min内升温至280-320℃，保温8-15min；第五阶段为15-20min内升温至330-360℃，保温8-15min；第六阶段为15-20min内升温至380-420℃，保温8-15min；第七阶段为15-20min内升温至430-460℃，保温20-30min，第八阶段为100-150 min内降温至室温。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
22、本专利技术通过第一次切割和第二次切割，实现了侧向传输，通过磁控溅射与电镀的结合，降低了贵金属的用量，通过三次烘烤及热传递的方向控制，解决了起泡现象。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S4中，1μm <磁控溅射金属层厚度<3μm。
3.根据权利要求1所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S4后S5前还包括：
4.根据权利要求3所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S1中，清洗后处理为第一次烘烤，第一次烘烤为在烤箱中800℃~1000℃烘烤30-90min。
5.根据权利要求4所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S4后S41前还包括：S40，第二次烘烤，磁控溅射后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤；S41后S5前还包括：S42，第三次烘烤，电镀后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤。
6.根据权利要求5所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S40和S42中，烘烤炉为管式烘烤炉，烘烤条件为：15℃/min直接升至450℃，保温30min，然后15℃/min降至室温。
7
8.根据权利要求5所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S40和S42中，烘烤炉为带平板加热的惰性气氛窑炉，热传递方向为加热丝传递到载片板，载片板传递到陶瓷基板。
9.根据权利要求8所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，S40和S42中，烘烤炉的烘烤条件为: 第一阶段为30-45min内升温至120-160℃，保温8-15min；第二阶段为15-20min内升温至180-220℃，保温8-15min；第三阶段为15-20min内升温至230-260℃，保温8-15min；第四阶段为15-20min内升温至280-320℃，保温8-15min；第五阶段为15-20min内升温至330-360℃，保温8-15min；第六阶段为15-20min内升温至380-420℃，保温8-15min；第七阶段为15-20min内升温至430-460℃，保温20-30min，第八阶段为100-150 min内降温至室温。
10.根据权利要求4-8任一项所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，磁控溅射功率为30W~100W，氩气流量设定为500sccm~3000sccm，电流计算公式为：I=A*S*n/100，其中A为电流密度，其规定值为0.4~0.8 A/dm2，S为基片电镀面积，n为夹具放置陶瓷基板的数量；电镀时间根据电镀金属层厚度计算。
...【技术特征摘要】
1.一种制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s4中，1μm <磁控溅射金属层厚度<3μm。
3.根据权利要求1所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s4后s5前还包括：
4.根据权利要求3所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s1中，清洗后处理为第一次烘烤，第一次烘烤为在烤箱中800℃~1000℃烘烤30-90min。
5.根据权利要求4所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s4后s41前还包括：s40，第二次烘烤，磁控溅射后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤；s41后s5前还包括：s42，第三次烘烤，电镀后的陶瓷基板放入烘烤炉中烘烤。
6.根据权利要求5所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s40和s42中，烘烤炉为管式烘烤炉，烘烤条件为：15℃/min直接升至450℃，保温30min，然后15℃/min降至室温。
7.根据权利要求5所述的制作带侧面电路的薄膜电路热沉产品的方法，其特征在于，s40和s42中，烘烤炉为管式烘烤炉，烘烤条件为:第一阶段为30-45min内升温至120-160℃，保温8-15min；第二阶段为15-20min内升温至180-220℃，保温8-15min；第三阶段为15-20min内升温至230-260℃，保温8-15min；第四阶段为15-20min内升温至280-320℃，保温8-15min；第五阶段为15-20min内升温至330-36...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，贾翔，孙世刚，杜晶，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。