【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，并且更具体地，涉及一种具有阻焊流动的集成电路结构及其制备方法。
技术介绍
1、现有的半导体制冷器（tec）集成电路结构是在氮化铝氧化铝等陶瓷基材上通过光刻工艺和电镀工艺完成厚铜结构，最后通过化学镀的方式把厚铜全部包裹ni/pd/au金属。这种全包裹金属的工艺，在后道pn结封装时，会通过焊料（锡）封装。
2、现有的半导体制冷器（tec）集成电路结构焊料区与键合区关系如图1，图1中，基板1上分布有焊料键合区域，焊料键合区域包括焊料区3和键合区2，焊料区3包括相互分离的左焊接用导体位4和右焊接用导体位5，键合区2包括左键合用导体位6和右键合用导体位7，其中，左焊接用导体位4与左键合用导体位6直线连通为一体，右焊接用导体位5与右键合用导体位7直线连通为一体，形成导通电路。
3、在封装过程中，焊料分别焊在左焊接用导体位4和右焊接用导体位5上，在封装过程中，焊料会受到虹吸现象，一方面左焊接用导体位4的焊料会沿着左焊接用导体位4表面蔓延到左键合用导体位6，右焊接用导体位5的焊料会沿着右焊接用导体位5表面蔓延到右键合用导体位7，污染了左键合用导体位6和右键合用导体位7，使得左键合用导体位6和右键合用导体位7不能完成键合工艺，出现键合不良；另一方面，左焊接用导体位4的焊料会从侧边流出，右焊接用导体位5的焊料也会从侧边流出，当两边流出的焊料连接时，会导致短路。
4、为了避免短路问题的发生，有生产厂家采用如图2的方式，在图1的左焊接用导体位4及左键合用导体位6与右焊接用导体位5及右键
5、为了提高键合效果，有生产厂家采用如图3的方式，在焊料区3与键合区2之间设置阻焊区9，生产时在已加工完成的左焊接用导体位4与左键合用导体位6连接的位置区域涂覆左阻焊层10，在右焊接用导体位5与右键合用导体位7连接的位置区域涂覆右阻焊层11，通过左阻焊层10与右阻焊层11阻止焊料表面蔓延。
6、上述
技术介绍
是为了便于理解本专利技术，并非是申请本专利技术之前已向普通公众公开的公知技术。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供一种具有阻焊流动的集成电路结构，该具有阻焊流动的集成电路结构实现了阻焊流。
2、一种具有阻焊流动的集成电路结构，包括基板，基板上设置有焊料键合区域，焊料键合区域包括焊料区和键合区，焊料区包括相互分离的左焊接用导体位和右焊接用导体位，键合区包括左键合用导体位和右键合用导体位，所述焊料键合区域还包括阻焊用导体连通区，阻焊用导体连通区位于焊料区与键合区之间，阻焊用导体连通区包括左阻焊蛇形回路导线和右阻焊蛇形回路导线，左阻焊蛇形回路导线一端与左焊接用导体位连通，另一端与左键合用导体位连通，右阻焊蛇形回路导线一端与右焊接用导体位连通，另一端与右键合用导体位连通。
3、可选地，所述左焊接用导体位、左阻焊蛇形回路导线、左键合用导体位一体成型，右焊接用导体位、右阻焊蛇形回路导线、右键合用导体位一体成型。
4、可选地，所述左阻焊蛇形回路导线与左焊接用导体位的连通端与左阻焊蛇形回路导线与左键合用导体位的连通端在同一侧，右阻焊蛇形回路导线与右焊接用导体位的连通端与右阻焊蛇形回路导线与右键合用导体位的连通端在同一侧。
5、可选地，所述左阻焊蛇形回路导线的线宽为100-200um，所述右阻焊蛇形回路导线的线宽为100-200um。
6、可选地，所述基板为陶瓷基板。
7、可选地，所述陶瓷基板为氮化铝基板或氧化铝基板。
8、可选地，所述左阻焊蛇形回路导线上设置有左阻焊层，右阻焊蛇形回路导线上设置有右阻焊层。
9、本专利技术还提供一种具有阻焊流动的集成电路结构的制备方法。
10、一种实现上述阻焊流的集成电路结构的制备方法，包括以下步骤：
11、s1, 取基板；
12、s2, 在基板的表面上通过光刻工艺和电镀工艺完成厚铜结构，最后通过化学镀的方式把厚铜全部包裹ni/pd/au金属，形成上述的具有阻焊流动的集成电路结构。
13、一种实现上述阻焊流的集成电路结构的制备方法，包括以下步骤：
14、s1, 取基板；
15、s2, 在基板的表面上通过光刻工艺和电镀工艺完成厚铜结构，最后通过化学镀的方式把厚铜全部包裹ni/pd/au金属，其中左焊接用导体位、左阻焊蛇形回路导线、左键合用导体位连通为一体，右焊接用导体位、右阻焊蛇形回路导线、右键合用导体位连通为一体；
16、s3, 在左阻焊蛇形回路导线及右阻焊蛇形回路导线上制作左阻焊层和右阻焊层。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
18、本专利技术通过蛇形阻焊的电路设计，达到阻止焊料溢流至有效区域的效果，同时不需要开设凹槽，即抑制了焊料侧面溢流。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种具有阻焊流动的集成电路结构，包括基板，基板上设置有焊料键合区域，焊料键合区域包括焊料区和键合区，焊料区包括相互分离的左焊接用导体位和右焊接用导体位，键合区包括左键合用导体位和右键合用导体位，其特征在于，所述焊料键合区域还包括阻焊用导体连通区，阻焊用导体连通区位于焊料区与键合区之间，阻焊用导体连通区包括左阻焊蛇形回路导线和右阻焊蛇形回路导线，左阻焊蛇形回路导线一端与左焊接用导体位连通，另一端与左键合用导体位连通，右阻焊蛇形回路导线一端与右焊接用导体位连通，另一端与右键合用导体位连通。
2.根据权利要求1所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述左焊接用导体位、左阻焊蛇形回路导线、左键合用导体位一体成型，右焊接用导体位、右阻焊蛇形回路导线、右键合用导体位一体成型。
3.根据权利要求1所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述左阻焊蛇形回路导线与左焊接用导体位的连通端与左阻焊蛇形回路导线与左键合用导体位的连通端在同一侧，右阻焊蛇形回路导线与右焊接用导体位的连通端与右阻焊蛇形回路导线与右键合用导体位的连通端在同一侧。
4.根据权
5.根据权利要求1所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述基板为陶瓷基板。
6.根据权利要求5所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述陶瓷基板为氮化铝基板或氧化铝基板。
7.根据权利要求1-6任一项所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述左阻焊蛇形回路导线上设置有左阻焊层，右阻焊蛇形回路导线上设置有右阻焊层。
8.一种权利要求1-6任一项所述的具有阻焊流动的集成电路结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.一种权利要求7所述的具有阻焊流动的集成电路结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种具有阻焊流动的集成电路结构，包括基板，基板上设置有焊料键合区域，焊料键合区域包括焊料区和键合区，焊料区包括相互分离的左焊接用导体位和右焊接用导体位，键合区包括左键合用导体位和右键合用导体位，其特征在于，所述焊料键合区域还包括阻焊用导体连通区，阻焊用导体连通区位于焊料区与键合区之间，阻焊用导体连通区包括左阻焊蛇形回路导线和右阻焊蛇形回路导线，左阻焊蛇形回路导线一端与左焊接用导体位连通，另一端与左键合用导体位连通，右阻焊蛇形回路导线一端与右焊接用导体位连通，另一端与右键合用导体位连通。
2.根据权利要求1所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述左焊接用导体位、左阻焊蛇形回路导线、左键合用导体位一体成型，右焊接用导体位、右阻焊蛇形回路导线、右键合用导体位一体成型。
3.根据权利要求1所述的具有阻焊流动的集成电路结构，其特征在于，所述左阻焊蛇形回路导线与左焊接用导体位的连通端与左阻焊蛇形回路导线与左键合用导体位的连通端在同一...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜晶，孙世刚，徐健，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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