一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，属于微波集成电路技术领域；包括如下步骤：S1在铁氧体基板上依次制备过渡层和预制层；S2在预制层表面非图形部分覆盖光刻胶，其后电沉积铜镀层；S3在铜镀层表面依次沉积阻挡层和焊接层；S4去除预制层表面的光刻胶；S5对预制层表面非图形部分进行刻蚀，使得基板非图形部分绝缘；S6将铁氧体基板进行切割；其中，电沉积铜镀层时采用的电镀液包括硫酸铜、硫酸、氯化铜、改性氮化钛、改性活性炭、氧化石墨烯、改性壳聚糖、表面活性剂、硼酸、分散剂、消泡剂；光刻胶为负胶Futurrex；本发明专利技术能够显著提高镀层厚度均匀性以及晶粒致密性，还能够与光刻胶长期稳定相容。刻胶长期稳定相容。刻胶长期稳定相容。

【技术实现步骤摘要】
一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法


[0001]本专利技术涉及微波集成电路
，特别是一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法。

技术介绍

[0002]铁氧体是一种非金属磁性材料，由氧化铁和其他铁族或稀土族氧化物(如氧化镍、氧化锌、氧化镁、氧化钡等)为主要成分的复合氧化物，其作为磁性介质而被广泛应用于民用设备和军事系统。铁氧体材料在导电性能方面属于半导体，其电阻率高于金属磁性材料。在高频使用情况下，铁氧体具有较高的磁导率。在微波频率下，金属磁性材料由于严重的涡流效应和趋肤效应无法正常使用，但铁氧体材料可制成良好的微波器件，所以其被广泛应用于微波领域。铁氧体基金属化薄膜电路产品是微波集成电路系统中不可或缺的部分之一，在民用设备和军工方面都具有十分广阔的市场。
[0003]申请号为CN202210542571.2的专利中，公开了一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，其具体制备方法为：(1)对铁氧体基板进行清洗，使用溶液对铁氧体基板进行超声、浸泡；(2)在铁氧体基板上制备过渡层和预制层，并对过渡层和预制层进行烘烤；(3)通过光刻工艺使得预制层表面非图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1在铁氧体基板上依次制备过渡层和预制层；S2在预制层表面非图形部分覆盖光刻胶，其后对预制层表面进行活化处理后电沉积铜镀层；S3对铜镀层表面进行活化处理后依次进行沉积阻挡层和焊接层；S4去除预制层表面的光刻胶；S5对预制层表面非图形部分进行刻蚀，使得基板非图形部分绝缘；S6将铁氧体基板进行切割，即得独立的薄膜电路产品；其中，所述铜镀层电沉积时采用的电镀液包括如下组分：硫酸铜、硫酸、氯化铜、改性氮化钛、改性活性炭、氧化石墨烯、改性壳聚糖、环氧乙烷与环氧丙烷嵌段聚合物、硼酸、分散剂、消泡剂；所述改性氮化钛和所述改性活性炭均依次由微波和柠檬酸共同改性而得；所述改性壳聚糖由丙烯酸改性而得；所述光刻胶为负胶Futurrex。2.根据权利要求1所述的一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，其特征在于，所述电镀液中各组分的含量如下：硫酸铜80
‑
150g/L、硫酸2.2
‑
3mol/L、氯化铜50
‑
120g/L、改性氮化钛3
‑
5g/L、改性活性炭7
‑
10g/L、氧化石墨烯2
‑
5g/L、改性壳聚糖5
‑
7g/L、表面活性剂0.15
‑
0.3g/L、硼酸20
‑
40g/L、分散剂5
‑
10g/L、消泡剂0.5
‑
1 g/L。3.根据权利要求1所述的一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，唐兴友，孙世刚，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：