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本发明公开了一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，属于微波集成电路技术领域；包括如下步骤：S1在铁氧体基板上依次制备过渡层和预制层；S2在预制层表面非图形部分覆盖光刻胶，其后电沉积铜镀层；S3在铜镀层表面依次沉积阻挡层和焊接层；S4去除预制层表...
该专利属于四川科尔威光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川科尔威光电科技有限公司授权不得商用。

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