用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件技术

本发明专利技术公开了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，方法包括：通过激光掩膜投影在基板的两面雕刻形成雕刻图案，将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。上述方法使用基板作为基材，在基板表层进行激光掩膜投影形成雕刻缝隙，并在雕刻缝隙内烧结形成固态银金属，在满足电路传输的同时，使电路层更薄，形成透光率更高的薄膜电路，大幅提高了薄膜电路的应用范围。大幅提高了薄膜电路的应用范围。大幅提高了薄膜电路的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件


[0001]本专利技术涉及芯片加工的
，尤其涉及一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件。

技术介绍

[0002]集成电路设计中，通常需要将金属电路印刷于柔性材料上，形成柔性薄膜电路，柔性薄膜电路由于具有可弯曲的特性，广泛应用于各种电子设备中；还可将金属电路印刷于玻璃板等非柔性材料上。然而，现有的技术方法所生产的薄膜电路具有较厚的电路层，从薄膜的正面依然能够看到电路线路，导致薄膜电路整体结构并非透明的；而在部分使用场景中需要使用透光率较高的电路结构，因此现有技术方法生产的薄膜电路，限制了在某些电子设备中的使用，导致薄膜电路的应用范围较窄。因此，现有技术方法制造得到的薄膜电路因透光率不足而存在应用范围较窄的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，旨在解决现有技术方法制造得到的薄膜电路所存在的应用范围较窄的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述方法包括：使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。
[0005]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板之后，还包括：使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板；所述对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结之后，还包括：将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接。
[0006]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内之前，还包括：使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质；所述将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内之前，还包括：使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质。
[0007]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度。
[0008]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条的硬度为100
‑
150。
[0009]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条的硬度为100
‑
118，所述第二刮胶条的硬度为120
‑
150。
[0010]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条，所述聚氨酯刮胶条贴近所述图案基板表层的一侧设置进行斜切形成斜边。
[0011]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述聚氨酯刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角小于35
°
。
[0012]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为350
‑
700微米。
[0013]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，对所述图案基板进行加热烧结过程中加热的最高温度为220℃；加热的最高温度的持续时间为90
‑
145分钟。
[0014]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述对所述图案基板进行加热烧结的步骤包括：对所述图案基板进行加热至初始加热温度；所述初始加热温度为135
‑
160℃，所述初始加热温度的持续时间为45
‑
75分钟；对所述图案基板进行加热以从所述初始加热温度缓慢升温至所述最高温度。
[0015]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述最高温度的持续时间为120分钟。
[0016]所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述初始加热温度为150℃，所述初始加热温度的持续时间为60分钟。
[0017]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电子元器件，其中，所述电子元器件采用如上述第一方面所述的印刷电路制造方法制造得到，所述电子元器件包括基板及设置于所述基板两面的固态银金属，所述固态银金属嵌入所述图案基板表面的雕刻缝隙内。
[0018]所述的电子元器件，其中，所述雕刻缝隙的深度为25
‑
45微米、宽度为2.5
‑
10微米。
[0019]本专利技术实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，方法包括：通过激光掩膜投影在基板的两面雕刻形成雕刻图案，将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。上述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，使用基板作为基材，在基板表层进行激光掩膜投影形成雕刻缝隙，并在雕刻缝隙内烧结形成固态银金属，在满足电路传输的同时，使电路层更薄，形成透光率更高的薄膜电路，大幅提高了薄膜电路的应用范围。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的方法流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的电子元器件的整体结构图；图3为本专利技术实施例提供的刮胶条与图案基板的局部结构图；图4为本专利技术实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的应用效果图；图5为本专利技术实施例提供的3D电子器件的加工过程示意图；图6为本专利技术实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述方法包括：使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。2.根据权利要求1所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板之后，还包括：使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板；所述对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结之后，还包括：将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接。3.根据权利要求2所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内之前，还包括：使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质；所述将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内之前，还包括：使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质。4.根据权利要求1
‑
2任一项所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度。5.根据权利要求4所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条的硬度为100
‑
150。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志强，张禧，
申请(专利权)人：东莞链芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：