一种实现阻焊流的集成电路结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种实现阻焊流的集成电路结构及其制备方法，属于集成电路制造领域，包括基材，该实现阻焊流的集成电路结构还包括连接在基材表面上的相互独立排列的至少2个以上的PN结，每一PN结远离基材的一段包覆有阻焊颈。本发明专利技术可以提高PN结的密集程度，提高集成电路的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，并且更具体地，涉及一种实现阻焊流的集成电路结构及其制备方法。

技术介绍

1、半导体制冷器（tec）朝着小型化的方向发展，也意味着制冷器的导热pn结集成程度越高越密集越好。

2、现有的tec集成电路结构是在氮化铝氧化铝等陶瓷基材上通过光刻工艺和电镀工艺完成厚铜结构，最后通过化学镀的方式把厚铜全部包裹ni/pd/au金属。这种全包裹金属的工艺，在后道封装过程中，焊料（锡）就会受虹吸现象和金属表面张力影响沿着包裹的金属层溢流至表面和侧面，当两个相邻pn结侧面都有较多的焊料时，就会容易使得焊料溢流至基材表面触碰在一起导致短路（如图1，图1中，pn结2（厚铜）被ni/pd/au金属层1包覆在内，封装过程中焊料3受虹吸现象和金属表面张力影响沿着ni/pd/au金属层1溢流至基材表面在f处触碰在一起从而导致短路）。

3、为了避免图1中焊料3在f处触碰在一起，相邻pn结之间的最小距离是受限的，故pn结的密集程度是由散热热沉的电路工艺决定的，目前主流的集成电路pn结间隔约是70微米以上，而每将间隔缩小10微米，就意味着本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种实现阻焊流的集成电路结构，包括基材，其特征在于，该实现阻焊流的集成电路结构还包括连接在基材表面上的相互独立排列的至少2个以上的PN结，每一PN结远离基材的一段包覆有阻焊颈。

2.根据权利要求1所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述阻焊颈为Ni/Pd/Au金属层；和/或

3.根据权利要求2所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述厚Cu厚度为3-100um，所述阻焊颈厚度为5000-50000Å。

4.根据权利要求1所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述基材为氮化铝或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的实现阻焊...

【技术特征摘要】

1.一种实现阻焊流的集成电路结构，包括基材，其特征在于，该实现阻焊流的集成电路结构还包括连接在基材表面上的相互独立排列的至少2个以上的pn结，每一pn结远离基材的一段包覆有阻焊颈。

2.根据权利要求1所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述阻焊颈为ni/pd/au金属层；和/或

3.根据权利要求2所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述厚cu厚度为3-100um，所述阻焊颈厚度为5000-50000å。

4.根据权利要求1所述的实现阻焊流的集成电路结构，其特征在于，所述基材为氮化铝或氧化铝。

5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜晶，孙世刚，徐健，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：