外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出了外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，设置在设备本体上，所述设备本体一侧设置有控制装置，该调节结构包括分别固定设置在设备本体左右两侧的立柱，所述立柱的前侧活动设置有控制装置，所述控制装置表面设置有固定组件，所述固定组件左右两侧的后端分别插入到左右两侧的立柱后侧且与立柱之间滑动配合，所述固定组件的表面与控制装置表面相抵且位于控制装置的上部，借此，本实用新型专利技术具有能实现控制装置在设备本体上上下滑动、方便调节控制装置高度的优点。方便调节控制装置高度的优点。方便调节控制装置高度的优点。

【技术实现步骤摘要】
外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构


[0001]本技术属于资产配置设备
，特别涉及一种外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构。

技术介绍

[0002]目前，外延晶片，例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长，具体是将衬底置于外延炉反应室中，将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，在一定的温度及压力下借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。CVD可以生长纯度高、缺陷少的外延晶片，是半导体工业中的主流技术。目前商业化的气相沉积用外延炉，大部分为水平行星式反应室外延炉，其反应室内设置有大盘，大盘上设置若干用于放置衬底的小盘基座。大盘中心上方设置有与进气管路相通的注入器，源气由进气管路通过注入器进入反应室内部，并沿大盘的径向输运，尾气由大盘周缘的排气通道排出。大盘的底部设置有用于对反应室内进行加热的加热线圈。
[0003]现有的加热线圈是一体化的类似蚊香结构环绕于大盘底部并由控制系统控制其加热程度，以使反应室内呈现一个均匀的温度，产生的外延层厚度更加均匀，加热线圈与外部显示控制器电性连接，通过外部的显示控制器进行观察和控制加热线圈对反应室内的加热温度，因此显示控制器是外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置，如何将外部作为控制装置的显示控制器与作为设备本体的外延炉之间进行连接是需要解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术提出外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，解决了现有技术中的问题。
[0005]本技术的技术方案是这样实现的：外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，设置在设备本体上，所述设备本体一侧设置有控制装置，该调节结构包括分别固定设置在设备本体左右两侧的立柱，所述立柱的前侧活动设置有控制装置，所述控制装置表面设置有固定组件，所述固定组件左右两侧的后端分别插入到左右两侧的立柱后侧且与立柱之间滑动配合，所述固定组件的表面与控制装置表面相抵且位于控制装置的上部。
[0006]设备本体的左右两侧分别固定设置有立柱，控制装置的后侧插入到立柱内，且与立柱之间滑动配合，操作人员通过控制装置向设备本体内输入数据时，可以将控制装置在立柱上上下滑动，使得控制装置与设备本体之间连接位置的高度可以调节，方便操作人员调节控制装置在设备本体上的高度，控制装置与设备本体之间设置有固定组件，在控制装置与设备本体之间的高度进行调节时，固定组件与立柱之间的高度随着控制装置在立柱上升降而升降，控制装置与设备本体之间的高度调节完成后，通过固定组件的固定作用，将控制装置固定在设备本体上，使得控制装置与立柱之间连接的更加牢固。
[0007]作为一种优选的实施方式，左右两侧的所述立柱结构相同且二者的前后两侧分别开设有竖向的第一滑槽和第二滑槽，所述控制装置后侧的左右两侧分别一体设置有插块，
左右两侧的插块分别插入到左右两侧的第一滑槽内，控制装置与立柱上的第一滑槽滑动配合，固定组件与立柱上的第二滑槽滑动配合，实现了控制装置在立柱上的上下移动。
[0008]作为一种优选的实施方式，所述固定组件包括一体成型的第一件体、第二件体、第三件体和第四件体，所述第一件体横向设置在控制装置上部，所述第二件体设置有两个且分别垂直设置在第一件体的左右两侧，所述第三件体设置有两个且分别垂直设置在左右两侧的第二件体上，所述第四件体设置有两个且分别垂直设置在左右两侧的第三件体上，所述第三件体与第一件体互相平行，所述第四件体与第二件体互相平行，所述第四件体与第二件体互相平行，左右两侧的所述第四件体分别插入到左右两侧的第二滑槽内，通过第四件体与第二滑槽之间的滑动配合，实现了固定组件与立柱之间的滑动配合过程。
[0009]作为一种优选的实施方式，所述第一件体表面套设有硅胶防滑层，所述硅胶防滑层与控制装置表面相抵，通过第一件体上设置的硅胶防滑层与控制装置之间的接触，实现了控制装置与固定组件之间的配合，使得固定组件将控制装置固定在设备本体上。
[0010]作为一种优选的实施方式，所述第一滑槽和第二滑槽对称设置，左侧所述立柱的右表面与设备本体固定连接，右侧所述立柱的左表面与设备本体固定连接，所述第一件体、第二件体、第三件体和第四件体的竖截面均呈圆形，实现了固定组件和设备本体与第一滑槽和第二滑槽之间滑动配合。
[0011]采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：
[0012]设备本体的左右两侧分别固定设置有立柱，控制装置的后侧插入到立柱内，且与立柱之间滑动配合，操作人员通过控制装置向设备本体内输入数据时，可以将控制装置在立柱上上下滑动，使得控制装置与设备本体之间连接位置的高度可以调节，方便操作人员调节控制装置在设备本体上的高度，控制装置与设备本体之间设置有固定组件，在控制装置与设备本体之间的高度进行调节时，固定组件与立柱之间的高度随着控制装置在立柱上升降而升降，控制装置与设备本体之间的高度调节完成后，通过固定组件的固定作用，将控制装置固定在设备本体上，使得控制装置与立柱之间连接的更加牢固。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本技术的结构示意图；
[0015]图2为控制装置和立柱配合的结构示意图；
[0016]图3为图2的侧视结构示意图；
[0017]图4为固定组件的结构示意图；
[0018]图5为立柱的俯视结构示意图。
[0019]图中，1
‑
设备本体；2
‑
控制装置；3
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立柱；4
‑
固定组件；5
‑
第一滑槽；6
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第二滑槽；7
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插块；8
‑
第一件体；9
‑
第二件体；10
‑
第三件体；11
‑
第四件体；12
‑
硅胶防滑层。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]如图1～图5所示，外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，设置在设备本体1上，所述设备本体1一侧设置有控制装置2，该调节结构包括分别固定设置在设备本体1左右两侧的立柱3，所述立柱3的前侧活动设置有控制装置2，所述控制装置2表面设置有固定组件4，所述固定组件4左右两侧的后端分别插入到左右两侧的立柱3后侧且与立柱3之间滑动配合，所述固定组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，设置在设备本体上，所述设备本体一侧设置有控制装置，其特征在于，该调节结构包括分别固定设置在设备本体左右两侧的立柱，所述立柱的前侧活动设置有控制装置，所述控制装置表面设置有固定组件，所述固定组件左右两侧的后端分别插入到左右两侧的立柱后侧且与立柱之间滑动配合，所述固定组件的表面与控制装置表面相抵且位于控制装置的上部。2.根据权利要求1所述的外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，其特征在于，左右两侧的所述立柱结构相同且二者的前后两侧分别开设有竖向的第一滑槽和第二滑槽，所述控制装置后侧的左右两侧分别一体设置有插块，左右两侧的插块分别插入到左右两侧的第一滑槽内。3.根据权利要求2所述的外延炉外延层厚度均匀性生长控制装置用调节结构，其特征在于，所述固定组件包括一体成型的第一件体、第二件体、第三件体和第四件体，所述第一件体横向设置在控制装置上部，所述第二件体设置有两个且分别垂直设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋宇飞，蒋焰云，朱建国，程宣林，
申请(专利权)人：无锡赛默可科技有限公司，
类型：新型
国别省市：