本发明专利技术涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。清洗维护的时间。清洗维护的时间。
【技术实现步骤摘要】
一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构
[0001]本申请涉及芯片
，具体而言，涉及一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构。
技术介绍
[0002]在现有技术中，碳化硅（SiC）高温外延生长设备一般包括传输系统、外延反应室系统及真空抽气系统，且为一一配套设置；而外延反应室系统每使用一段时间便需要进行停机清洗维护，而在停机清洗维护的过程中，需要用户人工进行反应室系统的分离，具有反应室系统与传输系统之间的连接结构复杂，导致反应室系统的拆除和连接过程十分繁琐。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0004]本申请的目的在于提供一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，以达到快速完成反应室机构与传输机构之间的快速拆除、连接的目的。
[0005]第一方面，本申请提供了一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，所述反应室机构包括：反应室本体，用于对衬底进行外延生长；快拆装置，设于所述反应室本体的出口端，用于对所述反应室本体与多腔式碳化硅外延设备的传输机构进行固定连接；平移机构，设于所述反应室本体底部，用于驱动所述反应室本体发生位移；控制器，用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态；所述控制器还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动。
[0006]本申请的一种反应室机构，利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，有效简化、缩短反应室本体与传输机构的拆装流程，其次，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构的分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。
[0007]所述的一种反应室机构，其中，所述快拆装置为气缸手指。
[0008]所述的一种反应室机构，其中，所述反应室本体上还设有对位结构，所述对位结构用于对位限定所述反应室本体与所述传输机构的连接位置。
[0009]第二方面，本申请还提供了一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，所述设备包括：反应室机构，用于对衬底进行外延生长；传输机构，与所述反应室机构连接，用于对反应室机构进行上下料操作；
控制器，用于控制所述传输机构对反应室机构进行上下料操作，还用于控制所述反应室机构对衬底进行外延生长；其中，所述反应室机构包括：反应室本体，用于对衬底进行外延生长；快拆装置，设于所述反应室本体的出口端，用于对所述反应室本体与所述传输机构进行固定连接；平移机构，设于所述反应室本体底部，用于驱动所述反应室本体发生位移；所述传输机构连接有两个以上的反应室机构；所述控制器还用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，以及用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室机构靠近或远离所述传输机构移动。
[0010]本申请的一种多腔式碳化硅外延设备，通过一个传输机构连接两个以上的反应室机构，使得多个反应室机构共用一个传输机构进行衬底的上下料操作，使得设备资源配对更合理，从而减少设备成本；反应室本体均利用快拆装置与传输机构进行连接，使得本申请的一种多腔式碳化硅外延设备能根据实际生产情况，在传输机构中接入合适数量的反应室机构，从而使得本申请的一种多腔式碳化硅外延设备能同时配备合适数量的反应室机构进行外延生长，而调节衬底的产出效率。
[0011]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构包括：传输腔架；上下料机械手，设于所述传输腔架内，用于对所述反应室机构进行上下料操作；装载腔，与所述传输腔架连接，用于存放所述衬底；所述传输腔架上设有两个以上的取放口，所述取放口用于连接所述反应室机构。
[0012]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构还包括：缓存腔，与所述传输腔架连接，用于暂时存放完成外延生长的所述衬底。
[0013]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述传输机构还包括：插板阀，所述插板阀设于所述取放口上。
[0014]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述快拆装置为气缸手指，所述传输机构上设有能与反应室本体出口端配合的连接法兰，所述控制器用于控制所述气缸手指闭合扣紧所述连接法兰而将所述反应室本体固定在所述传输机构上。
[0015]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述反应室本体上还设有对位结构，所述传输机构设有与所述对位结构配合的对位孔而限定所述反应室本体与所述传输机构的连接位置。
[0016]所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其中，所述反应室机构为两个，且两个所述反应室机构呈垂直布置。
[0017]由上可知，本申请提供了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，有效简化、缩短反应室本体与传输机构的拆装流程，其次，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间，即减少了停机时间，且反应室机构的
分离和连接过程无需用户手动完成，有效节省劳动成本。
附图说明
[0018]图1为本申请实施例提供的一种反应室机构的结构示意图。
[0019]图2为本申请实施例提供的一种多腔式碳化硅外延设备的结构示意图。
[0020]图3为反应室本体与传输机构的连接结构示意图。
[0021]图4为图3中构件的俯视结构示意图。
[0022]图5为传输机构的结构示意图。
[0023]图6为本申请实施例提供的一种多腔式碳化硅外延设备中的反应室机构的结构示意图。
[0024]附图标记：1、传输机构；2、反应室机构；3、抽真空机构；11、传输腔架；12、对位孔；13、装载腔；14、缓存腔；15、插板阀；16、连接法兰；21、反应室本体；22、快拆装置；23、出口端；24、平移机构；25、对位结构；211、反应室机架；212、气体工艺柜；213、反应腔；214、感应加热器。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，所述反应室机构包括：反应室本体（21），用于对衬底进行外延生长；其特征在于，所述反应室机构还包括：快拆装置（22），设于所述反应室本体（21）的出口端（23），用于对所述反应室本体（21）与多腔式碳化硅外延设备的传输机构（1）进行固定连接；平移机构（24），设于所述反应室本体（21）底部，用于驱动所述反应室本体（21）发生位移；控制器，用于控制所述快拆装置（22）的开合以改变所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接状态；所述控制器还用于在所述快拆装置（22）处于打开状态时，控制所述平移机构（24）运动以使所述反应室本体（21）靠近或远离所述传输机构（1）移动。2.根据权利要求1所述的一种反应室机构，其特征在于，所述快拆装置（22）为气缸手指。3.根据权利要求1所述的一种反应室机构，其特征在于，所述反应室本体（21）上还设有对位结构（25），所述对位结构（25）用于对位限定所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接位置。4.一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，所述设备包括：反应室机构（2），用于对衬底进行外延生长；传输机构（1），与所述反应室机构（2）连接，用于对反应室机构（2）进行上下料操作；控制器，用于控制所述传输机构（1）对反应室机构（2）进行上下料操作，还用于控制所述反应室机构（2）对衬底进行外延生长；其特征在于，所述反应室机构（2）包括：反应室本体（21），用于对衬底进行外延生长；快拆装置（22），设于所述反应室本体（21）的出口端（23），用于对所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）进行固定连接；平移机构（24），设于所述反应室本体（21）底部，用于驱动所述反应室本体（21）发生位移；所述传输机构（1）连接有两个以上的反应室机构（2）；所述控制器还...
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧勇，伍三忠，徐俊，吴彩庭，刘欣，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
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