一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构制造技术

本发明专利技术涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。清洗维护的时间。清洗维护的时间。

【技术实现步骤摘要】
一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构


[0001]本申请涉及芯片
，具体而言，涉及一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构。

技术介绍

[0002]在现有技术中，碳化硅（SiC）高温外延生长设备一般包括传输系统、外延反应室系统及真空抽气系统，且为一一配套设置；而外延反应室系统每使用一段时间便需要进行停机清洗维护，而在停机清洗维护的过程中，需要用户人工进行反应室系统的分离，具有反应室系统与传输系统之间的连接结构复杂，导致反应室系统的拆除和连接过程十分繁琐。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，以达到快速完成反应室机构与传输机构之间的快速拆除、连接的目的。
[0005]第一方面，本申请提供了一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，所述反应室机构包括：反应室本体，用于对衬底进行外延生长；快拆装置，设于所述反应室本体的出口端，用于对所述反应室本体与多腔式碳化硅外延设备的传输机构进行固定连接；平移机构，设于所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应室机构，用于碳化硅的外延生长，所述反应室机构包括：反应室本体（21），用于对衬底进行外延生长；其特征在于，所述反应室机构还包括：快拆装置（22），设于所述反应室本体（21）的出口端（23），用于对所述反应室本体（21）与多腔式碳化硅外延设备的传输机构（1）进行固定连接；平移机构（24），设于所述反应室本体（21）底部，用于驱动所述反应室本体（21）发生位移；控制器，用于控制所述快拆装置（22）的开合以改变所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接状态；所述控制器还用于在所述快拆装置（22）处于打开状态时，控制所述平移机构（24）运动以使所述反应室本体（21）靠近或远离所述传输机构（1）移动。2.根据权利要求1所述的一种反应室机构，其特征在于，所述快拆装置（22）为气缸手指。3.根据权利要求1所述的一种反应室机构，其特征在于，所述反应室本体（21）上还设有对位结构（25），所述对位结构（25）用于对位限定所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接位置。4.一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，所述设备包括：反应室机构（2），用于对衬底进行外延生长；传输机构（1），与所述反应室机构（2）连接，用于对反应室机构（2）进行上下料操作；控制器，用于控制所述传输机构（1）对反应室机构（2）进行上下料操作，还用于控制所述反应室机构（2）对衬底进行外延生长；其特征在于，所述反应室机构（2）包括：反应室本体（21），用于对衬底进行外延生长；快拆装置（22），设于所述反应室本体（21）的出口端（23），用于对所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）进行固定连接；平移机构（24），设于所述反应室本体（21）底部，用于驱动所述反应室本体（21）发生位移；所述传输机构（1）连接有两个以上的反应室机构（2）；所述控制器还...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧勇，伍三忠，徐俊，吴彩庭，刘欣，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：