可调的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种形成半导体结构的方法，这种半导体结构包括具有与下面的衬底不同的极性的不连续的非平面副集电极。此外，这种结构包括在副集电极之上的有源区（集电极）、在有源区之上的基极和在基极之上的发射极。在不连续的副集电极的不连续的部分之间的距离调节了半导体结构的性能特性。可调的性能特性包括击穿电压、单元电流增益截止频率、单元功率增益截止频率、渡越频率、电流密度、电容范围、噪声注入、少数载流子流入和触发和保持电压。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及各种的半导体结构，更具体地说涉及一种包括带有非平面表面的改进的副集电极区的改进结构。
技术介绍
随着混合的电压接口(MVI)的应用，对在CMOS(互补金属氧化物半导体)和BiCMOS(双极型CMOS)技术方面具有多个MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件和多个双极晶体管的渴望由来已久。在CMOS中薄氧化物和双氧化物MOSFET器件提供这种能力也是一种通常做法。此外，在BiCMOS技术中，对于高电压接口以及性能要求的混合电压应用，理想的是高击穿(HB)和高性能(HP)BJT(双极结晶体管)(或HBT)器件两者。多个氧化物和多个晶体管的添加是使用附加的处理步骤实现的。这些处理都给该技术增加了额外的成本。随着该技术变得更加先进，被支持的MOSFET和双极型器件的数量增加。结果，有利的是提供以更少的加工费用、数量减小的掩模和更少的处理步骤实现的两个有源和无源元件。为了继续降低成本并维持尺寸的相似性，晶体管的垂直剖面横向地和垂直地比例缩放(减小尺寸)。为了降低成本，外延区在垂直尺寸上按比例缩放。此外，由于外延消除，由于对高能量注入器和更高能量的剂量吞吐量的限制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：　　　　具有第一掺杂极性的衬底；　　　　在所说的衬底之上并具有第二掺杂极性的集电极；和　　　　在所说的集电极的底部部分中的不连续的副集电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体结构，包括具有第一掺杂极性的衬底；在所说的衬底之上并具有第二掺杂极性的集电极；和在所说的集电极的底部部分中的不连续的副集电极。2.权利要求1所述的半导体结构，其中在所说的不连续副集电极的不连续部分之间的距离调节所说的半导体结构的性能特性。3.权利要求2所述的半导体结构，其中所说的可调节的性能特性包括击穿电压、单元电流增益截止频率、单元功率增益截止频率、渡越频率、电流密度、电容范围、...

【专利技术属性】
技术研发人员：格里高里G弗里曼，吕在成，戴维C谢里登，斯蒂芬A圣昂格，安德里亚斯D斯特里克，史蒂文H沃尔德曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]