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本发明公开了一种形成半导体结构的方法，这种半导体结构包括具有与下面的衬底不同的极性的不连续的非平面副集电极。此外，这种结构包括在副集电极之上的有源区（集电极）、在有源区之上的基极和在基极之上的发射极。在不连续的副集电极的不连续的部分之间的距...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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