具有连接衬底的半导体模块及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有连接衬底（１）的半导体模块（４），并涉及相关的制造方法。该连接衬底（１）用于集成电路附近的半导体芯片（２、３）的内部电连接。半导体芯片（２、３）具有集成电路，并设置在支撑结构上。半导体芯片（２、３）向外与外接触垫（２２）接触。连接衬底（１）与相邻半导体芯片（２、３）的边缘区域（６、７）发生重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有连接衬底(用于相邻芯片上的集成电路的电连接)的半导体模块和制造该半导体模块的方法。这些半导体芯片连同它们的集成电路并排设置在布线衬底上，并通过该布线衬底电连接到所述半导体模块上的外部触点。
技术介绍
不与外部触点进行组合的集成电路之间的电连接称为内部连接，通常通过丝焊将一个半导体芯片连接到另一芯片来实现这种内部连接。由于焊线相交将导致短路，因而这种方法的弊端在于，对相连的两个芯片而言，将在集成电路上进行连接的接触垫(contact pad)必须沿它们的相邻边缘以相同顺序设置。而且，所需的焊头将相邻半导体芯片上的集成电路间的连接密度局限为少量的内部连接。另一个已知方案是使用多层布线衬底，所述衬底的结构化金属层和与之相应规划的通孔实现了集成电路在半导体模块中的相邻半导体芯片上的内部连接。该解决方案需要付出的成本很高，因为内插件中的高连接密度大大增加了封装成本，而且内插件还需要额外的“构造”层。最后，可以在相关半导体芯片和布线衬底间通过额外的倒装触点来形成辅助连接，在这种情况下，内插件中的连接密度很快也将达到其限值，因而成本的增长也十分迅猛。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
一种具有连接衬底（１）的半导体模块，所述连接衬底用于电连接相邻半导体芯片（２、３）上的集成电路和为这些电路供电，所述半导体模块具有－包括具有集成电路的半导体芯片（２、３）的半导体模块（４），所述芯片设置在底座结构上，并通过布线衬底（ ５）电连接到所述半导体模块（４）上的外部触点（２２）；－与相邻半导体芯片（２、３）的边缘区域（６、７）发生重叠的连接衬底（１），和－所述相邻半导体芯片（２、３）的上工作面（９、１０）上的芯片接触垫（８），所述芯片通过所述连接 衬底（１）以电传导方式来进行相互连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-3-18 102004013681.51.一种具有连接衬底(1)的半导体模块，所述连接衬底用于电连接相邻半导体芯片(2、3)上的集成电路和为这些电路供电，所述半导体模块具有-包括具有集成电路的半导体芯片(2、3)的半导体模块(4)，所述芯片设置在底座结构上，并通过布线衬底(5)电连接到所述半导体模块(4)上的外部触点(22)；-与相邻半导体芯片(2、3)的边缘区域(6、7)发生重叠的连接衬底(1)，和-所述相邻半导体芯片(2、3)的上工作面(9、10)上的芯片接触垫(8)，所述芯片通过所述连接衬底(1)以电传导方式来进行相互连接。2.如权利要求1中所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)包括具有连接用接触垫(12)的上表面(11)，并包括与所述上表面(11)相对的下表面(13)。3.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)包括对称轴(14)，所述连接用接触垫(12)相对于该轴以镜像对称方式设置，并通过所述连接衬底(1)上的连接用互连结构来进行相互的电连接。4.如权利要求3所述的半导体模块，其特征在于所述连接用接触垫(12)成对地电连接于所述对称轴(14)的两侧。5.如权利要求2至4中之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接用接触垫(12)包括倒装触点(15)。6.如权利要求2至4中之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接用接触垫(12)包括至所述芯片接触垫(8)的焊线连接(17)。7.如前述权利要求中的任一项所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)的下表面(13)设置在所述布线衬底(5)上，并使用倒装技术将所述连接衬底(1)通过其所述上表面(11)上的倒装触点(15)电连接到半导体芯片(2、3)上的芯片接触垫(8)。8.如权利要求1至6中之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)以重叠方式设置在所述半导体芯片(2、3)的边缘区域(6、7)上，并包括电连接到所述半导体芯片(2、3)的边缘区域(6、7)中的芯片接触垫(8)的倒装触点(15)。9.如权利要求1至6中之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)的下表面(13)与所述半导体芯片(2、3)的边缘区域(6、7)重叠，且其上表面(11)上的连接用接触垫(12)通过焊接连接(17)电连接到所述相邻半导体芯片(2、3)的上工作面(9、10)上的芯片接触垫(8)。10.如前述权利要求之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)包括无源和/或有源部件，所述部件通过所述连接衬底(1)在相邻半导体芯片(2、3)之间提供微调、调谐、匹配、电感耦合、电容耦合和/或另外的附加功能。11.如前述权利要求之一所述的半导体模块，其特征在于所述连接衬底(1)呈长条形，并与所述相邻半导体芯片(2、3)的边长(L)匹配。12.如前述权利要求之一所述的半导体模块，其特征在于相邻半导体芯片(2、3...

【专利技术属性】
技术研发人员：G迈耶伯格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]