【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例总体上涉及芯片级器件集成。
技术介绍
为了实现尺寸更小、速度更高的器件，在小封装内完成叠置的芯片级封装(SCSP)。随着封装尺寸的縮小，尽管縮短了信号和电源迹线之间的距 离，但是必须保持信号完整性。器件瞬变(transient)也需要高速电容器 来响应器件封装中的不断加快的处理。这些电容器往往必须处于距集成电 路(IC)芯片相对较远的位置。附图说明为了说明获得所述实施例的方式，将参考附图中所示的示范性实施例 给出对上文简要描述的实施例的更为详细的说明。应当理解，这些附图只 是示出了典型的实施例，而未必是按比例绘制的，因此不应当将其视为限 制本专利技术的范围，下面将利用附图，以额外的特征和细节来描述和说明所 述实施例。在附图中-图1是根据实施例的沿剖面线卜l截取的图2所示的MSS的截面正视图2是根据实施例的微带间隔体(microstrip印acer) (MSS)的顶视 平面图3是根据实施例的沿剖面线3-3截取的图1所示的MSS的截面正视图4是根据实施例的沿剖面线4-4截取的图1所示的MSS的截面正视图5是根据实施例的沿剖面线5-5截取的图1所示的MSS的截面...
【技术保护点】
一种设备，包括：第一管芯，其包括第一管芯有源表面和第一管芯后侧表面；微带间隔体（ＭＳＳ），其包括多个设置于其内的隔开的导电平面，其中，所述ＭＳＳ包括平面平行于所述多个隔开的导电平面的第一面和第二面，并且其中，将所述ＭＳＳ第一面设置在所述第一管芯有源表面和所述第一管芯后侧表面中的一个上；以及第二管芯，其包括第二管芯有源表面和第二管芯后侧表面，并且其中，所述第二管芯有源表面和所述第二管芯后侧表面中的一个抵靠着所述ＭＳＳ第二面设置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-9 11/298,3771. 一种设备，包括第一管芯，其包括第一管芯有源表面和第一管芯后侧表面；微带间隔体(MSS)，其包括多个设置于其内的隔开的导电平面，其中，所述MSS包括平面平行于所述多个隔开的导电平面的第一面和第二面，并且其中，将所述MSS第一面设置在所述第一管芯有源表面和所述第一管芯后侧表面中的一个上；以及第二管芯，其包括第二管芯有源表面和第二管芯后侧表面，并且其中，所述第二管芯有源表面和所述第二管芯后侧表面中的一个抵靠着所述MSS第二面设置。2、 根据权利要求1所述的设备，其中，将所述第一管芯和所述第二管 芯中的至少一个电耦合到所述MSS。3、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一管芯和所述第二管芯 中的一个主要包括动态随机存取存储器，并且其中所述第一管芯和所述第 二管芯中的另 一个主要包括逻辑电路。4、 根据权利要求1所述的设备，还包括设置在所述MSS第二面上的第 三管芯。5、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述MSS含有电感器。6、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述MSS含有从双电极薄膜电 容器、叉指型电容器及其组合中选择的电容器。7、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述MSS含有从金属电阻器、 熔丝及其组合中选择的电阻器。8、 根据权利要求1所述的设备，其中，所述MSS含有电感器、电容器 和电阻器中的至少两种。9、 根据权利要求1所述的设备，还包括安装基板，并且其中，利用选 自引线键合和倒装的构造，将所述第一管芯设置在所述安装基板上。10、 根据权利要求1所述的设备，还包括设置在所述MSS的第二面上 的第三管芯。11、 一种方法，包括将微带间隔体(MSS)组装到第一管芯，其中，所述第一管芯包括第一管芯有源表面和第一管芯后侧表面，并且其中，所述MSS包括MSS第一面、MSS第二面和多个设置于其内的隔开的导电平面，并且其中，将所述MSS第一面设置成抵靠着所述第一管芯有源表面和所述第一管芯后侧表面中的一 个。12、 根据权利要求ll所述的方法，还包括将所述第二管芯组装到所述 MSS第二面。13、 根据权利要求ll所述的方法，其中，将所述MSS组装到所述第一 管芯包括引线键合组装和倒装组装中的一种。14、 根据权利要求ll所述的方法，其中，将所述MSS组装到所述第一 管芯包括引线键合组装和倒装组装中的一种，所述方法还包括将第二管芯 组装到所述MSS第二面。15、 根据权利要求ll所述的方法，还包括将所述第一管芯组装到安装 基板，并且其中，将所述MSS第一面设置成抵靠着所述第一管芯有源表面 和所述第一管芯后侧表面中的一个，从而将所述安装基板设置成基本上抵 靠着所述第一管芯有源表面和所述第一管芯后侧表面中的另一个。16、 一种操作器件的方法，其中，所述器件和所述方法包括 第一管芯，其以第一时钟速度工作，并且包括第一管芯有源表面和第一管芯后侧表面；微带间隔体(MSS)，其包括MSS第一面、MSS第二面和多个设置于其内的隔开的导电平面，并且其中，将所述第一管芯设置成...
【专利技术属性】
技术研发人员：JRV比奥，C奥里亚斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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