薄膜晶体管基板修复方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管基板修复方法，该薄膜晶体管基板包括多个栅极线、多个与该栅极线相交的数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与该栅极线、该数据线和该像素电极电连接，该栅极线上存在一处电连接缺陷，该修复方法包括如下步骤：切断该电连接缺陷点两端的二薄膜晶体管的源极与该数据线的电连接；将与该二薄膜晶体管相应的二像素电极与该栅极线电连接；将该二像素电极电连接。采用本方法对薄膜晶体管基板进行修复，可节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前，液晶显示器逐渐取代用于计算器的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，而且，由于液晶显示器具轻、薄、小等特点，使其非常适合应用于桌上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化与视听设备中。液晶面板是其主要组件。在液晶面板的制作过程中，往往会通过薄膜沉积和微影蚀刻等制程，在玻璃基板上制作大量的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)、像素电极(Pixel Electrode)以及彼此相交的多个栅极线和数据线，以形成多个像素矩阵(Pixel Array)。但是，在整个基板的制程中，因沉积和蚀刻精度难以控制而可能会造成栅极线断路或栅极线与数据线之间短路，即形成画面显示缺陷。为消除画像显示缺陷，业界提出一些。请参阅图1，是一种现有技术揭露的的示意图。该薄膜晶体管基板包括多个栅极线16、多个与栅极线16相交的数据线12以和多个设置在显示区域20外围的修复线24。该修复线24与该栅极线16相交。当一栅极线16出现断点A时，可在该栅极线16与该修复线24的二相交处26A和26B熔接该栅极线16与该修复线24，从而实现该栅极线16导通，达到修复该薄膜晶体管基板的目的。然而，该修复方法必须在该薄膜晶体管基板上额外设置修复线，增加该薄膜晶体管基板的制造成本。
技术实现思路
为解决上述薄膜晶体管基板制造成本增加的问题，有必要提供一种成本较低的。一种，该薄膜晶体管基板包括多个栅极线、多个与该栅极线相交的数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与该栅极线、该数据线和该像素电极电连接，该栅极线上存在一处电连接缺陷，该修复方法包括如下步骤切断该电连接缺陷点两端的二薄膜晶体管的源极与该数据线的电连接，将与该二薄膜晶体管相应的二像素电极与该栅极线电连接，将该二像素电极电连接。相较于现有技术，本专利技术的修复方法无需在该薄膜晶体管基板上设置修复线，从而可节约成本。附图说明图1是一种现有技术揭露的的示意图。图2是一栅极线断路的薄膜晶体管基板的断路部分平面示意图。图3是图2所示的薄膜晶体管基板采用本专利技术的修复方法修复后的平面示意图。图4是一栅极线与数据线短路的薄膜晶体管基板部分平面示意图。图5是图4所示的薄膜晶体管基板采用本专利技术的修复方法修复后的平面示意图。具体实施方式请参阅图2，是一栅极线断路的薄膜晶体管基板的部分平面示意图。栅极线101和102与数据线111、112和113垂直相交，界定出两个像素单元120和130。该像素单元120包括一像素电极121和一设置在该像素电极121下方且与该像素电极121形成一存储电容的存储电容电极122。该像素单元130包括一像素电极131和一设置在该像素电极131下方且与该像素电极131形成一存储电容的存储电容电极132。该存储电容电极122、132以及其它位于同一行的存储电容电极通过一连接线103电连接。二薄膜晶体管140和150分别设置在该二像素单元120和130的角落，该薄膜晶体管140包括一与该栅极线101电连接的栅极141、一与该数据线111电连接的源极142和一与该像素电极121电连接的漏极143，该薄膜晶体管150包括一与该栅极线101电连接的栅极151、一与该数据线112电连接的源极152和一与该像素电极131电连接的漏极153。栅极线101上具有一位于该薄膜晶体管140和150之间的断点II，该断点II的存在会导致其所在的栅极线101自该断点II一侧所连接的所有像素单元均无法开启，形成一条坏线。此缺陷的修复方法如下用激光切断该断点II一端的薄膜晶体管140的源极142与该数据线111的连接，用激光切断该断点II另一端的薄膜晶体管150的源极152与该数据线112的连接；用激光切断存储电容电极122与其左端的连接线103的连接，用激光切断存储电容电极132与其右端的连接线103的连接；用激光熔接该薄膜晶体管140的栅极141与漏极143，用激光熔接该薄膜晶体管150的栅极151与漏极153；用激光熔接该存储电容电极122与该像素电极121，用激光熔接该存储电容电极132与该像素电极131。请参阅图3，是该基板修复后的平面示意图。经过如此修复后，栅极线101的断点II两旁的线路通过薄膜晶体管140的栅极141与漏极143、像素电极121、存储电容电极122、存储电容电极132、像素电极131和该薄膜晶体管150的栅极151与漏极153保持电连接，从而使得栅极线101的断点得以修复。该修复方法通过牺牲二相连的像素来修复该栅极线101的断点，该二像素对整个基板显示影响很小，很难识别，从而达到修复该薄膜晶体管基板的目的。采用本实施方式的方法对薄膜晶体管基板的栅极线断点进行修复，无需在该薄膜晶体管基板上设置修复线，从而可节约成本。请参阅图4，是一栅极线与数据线短路的薄膜晶体管基板的部分平面示意图。栅极线201和202与数据线211、212和213垂直相交，界定出两个像素单元220和230。该像素单元220包括一像素电极221和一设置在该像素电极221下方且与该像素电极221形成一存储电容的存储电容电极222。该像素单元230包括一像素电极231和一设置在该像素电极231下方且与该像素电极231形成一存储电容的存储电容电极232。该存储电容电极222、232以及其它位于同一行的存储电容电极通过一连接线203电连接。二薄膜晶体管240和250分别设置在该二像素单元220和230的角落，该薄膜晶体管240包括一与该栅极线201电连接的栅极241、一与该数据线211电连接的源极242和一与该像素电极221电连接的漏极243，该薄膜晶体管250包括一与该栅极线201电连接的栅极251、一与该数据线212电连接的源极252和一与该像素电极231电连接的漏极253。该栅极线201与该数据线212在相交处IV短路，如此会导致该数据线212和该栅极线201所控制的所有像素单元不能正常显示，形成一“十”字坏线。此缺陷的修复方法如下用激光切断该栅极线201与该短路点IV两端的连接，使该短路点IV变成该栅极线201的断点；用激光切断该薄膜晶体管240的源极242与该数据线211的连接，用激光切断该薄膜晶体管250的源极252与该数据线212的连接；用激光切断存储电容电极222与其左端的连接线203的连接，用激光切断存储电容电极232与其右端的连接线203的连接；用激光熔接该薄膜晶体管240的栅极241与漏极243，用激光熔接该薄膜晶体管250的栅极251与漏极253；用激光熔接该存储电容电极222与该像素电极221，用激光熔接该存储电容电极232与该像素电极231。请参阅图5，是该基板修复后的平面示意图。经过如此修复后，该栅极线201在该短路点IV两端断开，而改由通过薄膜晶体管240的栅极241与漏极243、像素电极221、存储电容电极222、存储电容电极232、像素电极231和薄膜晶体管250的栅极251与漏极253保持电连接。该修复方法通过牺牲二相连的像素来修复该栅极线201与数据线212的短路，该二像素对整个基板显示影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板修复方法，该薄膜晶体管基板包括多个栅极线、多个与该栅极线相交的数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与该栅极线、该数据线和该像素电极电连接，该栅极线上存在一处电连接缺陷，该修复方法包括如下步骤：切断该电连接缺陷点两端的二薄膜晶体管的源极与该数据线的电连接；将与该二薄膜晶体管相应的二像素电极与该栅极线电连接；将该二像素电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板修复方法，该薄膜晶体管基板包括多个栅极线、多个与该栅极线相交的数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与该栅极线、该数据线和该像素电极电连接，该栅极线上存在一处电连接缺陷，该修复方法包括如下步骤切断该电连接缺陷点两端的二薄膜晶体管的源极与该数据线的电连接；将与该二薄膜晶体管相应的二像素电极与该栅极线电连接；将该二像素电极电连接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板修复方法，其特征在于实现该像素电极与栅极线的电连接的步骤为熔接该薄膜晶体管的栅极与漏极。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板修复方法，该薄膜晶体管基板进一步包括多个存储电容电极，每一存储电容电极相应设置在一像素电极下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆华，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]