【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种可有效提高存储电 容的薄膜晶体管阵列基板制造方法。
技术介绍
现在的液晶显示器主要以薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)为主流，TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)的一般结构是具有彼此相对的薄膜晶体管 阵列基板和彩膜基板，在两个基板之间设置衬垫料以保持盒间隙，并在该盒间隙之间填 充液晶。图1为现有的阵列基板上的像素结构图，图2为图1的A-A'截面图。参照图1 和图2所示，现有技术的阵列基板包括一基板10，基板IO上形成有彼此交叉的栅线12 和数据线14，栅线12与数据线14的交叉处形成TFT 13。 TFT 13包括栅极112、源极 141和漏极142。所述栅极112形成在与基板10直接接触的第一金属层上，在栅极112 上依次覆盖有栅绝缘层121、半导体层l31、欧姆接触132、源极141、漏极142和钝化 层122。栅极112连接到栅极线12,源极141连接到数据线14。在由栅极112和数据线 14交叉限定的像素区域中形成像素电极15，所述像素电极15通过接...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一第一金属层，其具有栅极区和存储电容电极区；利用一半透光掩膜版在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其中覆盖该栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该 存储电容电极区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅极和存储电容电极的第一导电图案层；去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被该具有第二高度的光刻胶层所 覆盖的栅极；在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；在...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤提供一基板，并在该基板上形成一第一金属层，其具有栅极区和存储电容电极区；利用一半透光掩膜版在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其中覆盖该栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该存储电容电极区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅极和存储电容电极的第一导电图案层；去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被该具有第二高度的光刻胶层所覆盖的栅极；在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；在基板上继续沉积一第二金属层，分别形成源极、漏极和半导体图形，制成TFT开关元件；去除该存储电容电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：高孝裕，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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