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本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该制造方法利用剥离技术工艺将存储电极上沉积的栅绝缘层去除。本发明的制造方法可以减少存储电容电极和像素电极之间的距离，有效提高了存储电容值。在满足存储电容值的前提下，可以降低存储电容线的宽度，提高像...
该专利属于上海广电光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海广电光电子有限公司授权不得商用。

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