半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术在不增加掩膜数量和不用黑掩膜的情况下，提高了反射型显示器件或透射型显示器件的像素的孔径比。设置像素电极（１６７）使其部分交叠源布线（１３７），该源布线（１３７）用于对像素之间的间隙屏蔽光，设置薄膜晶体管使其部分交叠栅布线（１６６），该栅布线（１６６）用于对薄膜晶体管沟道区屏蔽光，因此实现了高的像素孔径比。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅绝缘膜；以及通过以电感耦合等离子体蚀刻导电膜而在所述栅绝缘膜上形成源布线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]