具有(110)晶体取向含硅层的半导体材料及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种具有增强的电子和空穴迁移率的半导体材料，该材料包括在双轴压缩应变下的具有＜１１０＞晶体取向的含硅层。术语“双轴压缩应变”在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明专利技术的其它方面涉及形成本发明专利技术的半导体材料的方法。本发明专利技术的方法包括提供含硅＜１１０＞层；和在所述含硅＜１１０＞层中产生双轴应变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体材料，包括具有〈１１０〉晶体取向的含硅层，所述含硅层处在双轴压缩应变下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永聪，玛斯莫V菲斯切特，约翰M赫根罗瑟，杨美基，拉杰施仁加拉简，亚历山大里兹尼克，保罗所罗门，宋均镛，杨敏，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]