基片湿法处理设备及使用该设备对化学物质加热的方法技术

提供了一种在化学池中具有加热部分的基片湿法处理设备及使用该设备对用于基片湿法处理的化学物质加热的方法。所述设备包括化学池，化学池含有用于基片湿法处理的化学物质。加热部分安装在化学池中，并且加热部分包括加热元件和容纳加热元件的外壳。在外壳中填充惰性气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于基片湿法处理的设备，更具体地，涉及一种在化学池中具有加热部分、用于基片湿法处理的设备。
技术介绍
基片湿法处理设备是用于清洗或蚀刻基片的设备。因此，基片湿法处理设备包括化学池，该化学池含有用于清洗或蚀刻基片的化学物质。可以将化学物质加热到预定温度，以顺利进行清洗或蚀刻。可以用间接加热方法或直接加热方法加热化学物质。在间接加热方法中，在化学池外部加热化学物质，然后提供给化学池。在直接加热方法中，在化学池中直接加热化学物质。在间接加热方法中，因为当向化学池提供加热的化学物质时，热量从化学物质耗散，所以化学池中的化学物质无法具有较高温度。因此，目前直接加热方法使用得更加广泛。但是，在直接加热方法中，加热部分直接安装在化学池中。因此，加热部分直接与化学物质接触，可能受到损坏，这可能引起化学物质污染以及火灾。
技术实现思路
本专利技术提供了一种用于基片湿法处理的设备，所述设备设计来防止化学池内部的化学物质的污染，并防止起火。本专利技术还提供一种对用于基片湿法处理的化学物质加热的方法，所述方法设计来防止化学池内部的化学物质的污染，并防止起火。根据本专利技术的方案，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基片湿法处理的设备，包括：化学池，含有用于处理基片的化学物质；加热部分，安装在化学池中，所述加热部分包括加热元件和容纳加热元件的外壳；以及惰性气体，填充在外壳中。

【技术特征摘要】
KR 2006-2-1 10-2006-00098081.一种用于基片湿法处理的设备，包括化学池，含有用于处理基片的化学物质；加热部分，安装在化学池中，所述加热部分包括加热元件和容纳加热元件的外壳；以及惰性气体，填充在外壳中。2.根据权利要求1所述的设备，还包括气压传感器，用于测量外壳中填充的惰性气体的压力。3.根据权利要求2所述的设备，其中，当测量的压力低于参考压力时，气压传感器发出警报。4.根据权利要求2所述的设备，还包括与气压传感器相连的控制板，当由气压传感器测量的压力低于参考压力时，所述控制板停止加热元件的操作。5.根据权利要求1所述的设备，还包括与外壳相连的惰性气体提供管和惰性气体释放管。6.根据权利要求5所述的设备，还包括与惰性气体释放管相连的气压传感器。7.根据权利要求6所述的设备，其中当测量的压力低于参考压力时，气压传感器发出警报。8.根据权利要求6所述的设备，还包括与气压传感器相连的控制板，当由气压传感器测量的压力低于参考压力时，所述控制板停止加热元件的操作。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳埾，许东澈，曹模炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]