调节晶圆翘曲度的方法及半导体器件技术

本申请实施例公开了一种调节晶圆翘曲度的方法及半导体器件，所述方法包括：提供存在翘曲的晶圆，所述晶圆包括：形成功能结构的正面、及与所述正面相对的背面；在所述晶圆的背面形成调节层；根据所述晶圆在不同方向上的翘曲度，采用不同的热处理参数对所述调节层的不同区域进行高能束热处理，以调节所述调节层在不同区域的应力分布。不同区域的应力分布。不同区域的应力分布。

【技术实现步骤摘要】
调节晶圆翘曲度的方法及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体地，涉及一种调节晶圆翘曲度的方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]目前，在制造半导体器件例如三维存储器时，通常在晶圆上制造完成。随着半导体器件内部结构越来越复杂，制造半导体器件所需要的膜层以及工序也越来越多，相应的，在制造半导体器件的过程中，应力成为不可绕开的问题。由于应力的存在，会导致晶圆发生翘曲变形，进而对后段制程造成影响，降低半导体器件的性能和良率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提出一种调节晶圆翘曲度的方法及半导体器件。
[0004]第一方面，本申请提供了一种调节晶圆翘曲度的方法，所述方法包括：
[0005]提供存在翘曲的晶圆，所述晶圆包括：形成功能结构的正面、及与所述正面相对的背面；
[0006]在所述晶圆的背面形成调节层；
[0007]根据所述晶圆在不同方向上的翘曲度，采用不同的热处理参数对所述调节层的不同区域进行高能束热处理，以调节所述调节层在不同区域的应力分布。r/>[0008]上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调节晶圆翘曲度的方法，其特征在于，所述方法包括：提供存在翘曲的晶圆，所述晶圆包括：形成功能结构的正面、及与所述正面相对的背面；在所述晶圆的背面形成调节层；根据所述晶圆在不同方向上的翘曲度，采用不同的热处理参数对所述调节层的不同区域进行高能束热处理，以调节所述调节层在不同区域的应力分布。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用不同的热处理参数对所述调节层的不同区域进行高能束热处理，包括：根据所述晶圆在不同方向上的翘曲度，采用不同的热处理温度和/或热处理时间对所述调节层的不同区域进行高能束热处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用不同的热处理参数对所述调节层的不同区域进行高能束热处理，包括：根据所述晶圆在不同方向上的翘曲度，在所述调节层上确定待调节区域；对所述调节层的所述待调节区域进行高能束热处理，以改变所述调节层在所述待调节区域的应力分布。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述调节层的所述待调节区域进行高能束热处理，包括：对所述调节层的所述待调节区域进行高能束热处理，对所述调节层的除所述待调...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜元，张豪，艾义明，朱文琪，吴亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：