一种硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开一种硅片清洗方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。该硅片清洗方法包括：于第一预设清洗温度，在第一清洗槽内利用清洗液清洗硅片，以获得第一硅片；于第二预设清洗温度，在第二清洗槽内利用阴极电解离子水清洗第一硅片，以获得第二硅片；于相应预设清洗温度，在漂洗槽内清洗所述第二硅片，以获得漂洗硅片；阴极电解离子水通过电解池电解自来水得到，并且阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅棒生产
，尤其涉及一种硅片清洗方法。

技术介绍

[0002]太阳能硅片在生产过程中，硅片表面附着有酯类有机物(如油脂)、金属颗粒和灰尘等杂质，因此需要进行硅片清洗，以提高硅片表面质量。
[0003]传统清洗方法是采用聚醚、表面活性剂、络合剂、碱等混合在一起的清洗剂来清洗硅片。这种方法包括清洗剂的调配工序、中间的清洗工序和后续的废液处理工序，清洗工序较多，并且清洗废液的处理导致清洗成本升高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅片清洗方法，该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片清洗方法，包括以下步骤：
[0006]提供盛装有清洗液的第一清洗槽，于第一预设清洗温度，在第一清洗槽内清洗硅片，以获得第一硅片；
[0007]提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽，于第二预设清洗温度，在第二清洗槽内清洗第一硅片，以获得第二硅片；
[0008]提供至少一个盛装有清洗液的漂洗槽，于相应预设清洗温度，在漂洗槽内清洗第二硅片，以获得漂洗硅片；
[0009]其中，阴极电解离子水通过电解池电解自来水得到，并且阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH
‑
离子。
[0010]通过上述技术方案，首先在第一清洗槽中利用清洗液对硅片进行初步清洗，洗去附着在硅片上的灰尘等杂质得到第一硅片；然后再利用阴极电解离子水呈碱性，其中的OH
‑
离子可以与硅片上附着的酯类有机物反应生成可溶解于水的物质的特点，在第二清洗槽中利用阴极电解离子水清洗第一硅片，从而达到去除第一硅片上的酯类有机物的目的，得到第二硅片；之后再利用清洗液清洗第二硅片，起到漂洗和冲刷硅片的作用。最终完成对硅片的清洗。一方面，直接使用自来水制备的阴极电解离子水中含有丰富的OH
‑
离子，可以直接用于清洗硅片，无需添加化学剂，与现有技术中使用化学清洗剂相比，省去了化学清洗剂的调配工序。另一方面，由于阴极电解离子水是通过电解池电解自来水得到，具有环保、无腐蚀性的优点，因此，在清洗硅片后的清洗废液，可以直接排放，利于降低清洗成本。第三方面，在使用阴极电解离子水清洗时，难以产生泡沫，后续使用较少的清洗液就可以将硅片漂洗干净。第四方面，阴极电解离子水还具有可以常温封存，成份和性能稳定，难以结晶的特点，方便批量生产或购买，利于降低清洗成本。因此，该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。
[0011]在一种可能的实现方式中，漂洗槽的数量可以为两个，包括第三清洗槽和第四清
洗槽；于第三预设清洗温度，在第三清洗槽内清洗第二硅片，以获得第三硅片；于第四预设清洗温度，在第四清洗槽内清洗第三硅片后，以预设速度将第三硅片从第四清洗槽中提拉出来，以获得漂洗硅片。采用该技术方案的情况下，一方面，可以使第二硅片被充分漂洗，利于将硅片清洗干净。另一方面，从第四清洗槽中提拉漂洗硅片时的预设速度可以在满足生产效率的前提下取值偏小，以使得在提拉过程中，硅片上附着的清洗液可以在重力作用下自由滑落，进而方便在下文描述的后续烘干步骤中，快速烘干漂洗硅片而得到表面质量合格的硅片。
[0012]在一种示例中，第三预设清洗温度为40
‑
50℃，采用该技术方案的情况下，一方面，40
‑
50℃的清洗温度可以破坏掉一些酯类有机物的分子链，利于清洗掉一些残留在第二硅片上的酯类有机物，利于提高清洗效果；另一方面，可以起到预热第三硅片，避免硅片在第三清洗槽和第四清洗槽中的清洗温度的温差过大，影响硅片质量的情况。
[0013]在一种示例中，第四预设清洗温度为80
‑
90℃。采用该技术方案的情况下，一方面，80
‑
90℃的清洗温度可以破坏掉一些酯类有机物的分子链，利于清洗掉一些残留在第三硅片上的酯类有机物，利于提高清洗效果；另一方面，可以起到预热漂洗硅片的作用，利于漂洗硅片适应下文描述的100
‑
110℃的烘干温度，避免温差过大，影响硅片质量。
[0014]在一种可能的实现方式中，清洗液可以为自来水或纯水。采用该技术方案的情况下，清洗液中没有化学剂，可以直接排放，降低对环境的污染以及降低生产成本。
[0015]在一种可能的实施例中，本专利技术提供的清洗方法还包括：制备阴极电解离子水。而制备阴极电解离子水的步骤包括：首先过滤自来水以得到过滤液，然后利用电解池电解过滤液，以得到阴极电解离子水。采用该技术方案的情况下，对自来水进行过滤后，可以减少杂质，还可以减少残留的自来水厂用的消毒剂含量，提高过滤液中的水分子含量，利于得到OH
‑
离子含量较高的阴极电解离子水。
[0016]在一种可能的实现方式中，硅片清洗方法还可以包括：提供超声波装置，在第一清洗槽、第二清洗槽、漂洗槽中均设置有超声波装置，利用超声波装置进行辅助清洗。采用该技术方案的情况下，可以通过超声波的震荡作用，将硅片上附着的颗粒杂质和部分有机物剥离下来，提高清洗效率，并提高硅片表面质量。
[0017]在一种可能的实施例中，硅片清洗方法还包括：在提供盛装有清洗液的漂洗槽之前，设置两个第二清洗槽，利用阴极电解离子水对第一硅片进行两次重复清洗。采用该技术方案可以提高对硅片表面的酯类有机物进行两次清洗，提高清洗效果，进而提高硅片表面质量。两次阴极电解离子水清洗完成后，再使用清洗液对硅片进行漂洗，进而烘干后得到表面质量合格的硅片。
[0018]在一种示例中，硅片清洗方法还包括：第一预设清洗温度为40
‑
50℃。采用该技术方案的情况下，一方面，40
‑
50℃的清洗温度可以破坏掉硅片表面的一些酯类有机物的分子链，还可以提高OH
‑
离子的活跃性，利于提高清洗效果；另一方面，可以起到预热硅片的作用，利于第一硅片适应下文描述的第二清洗槽的50
‑
60℃的清洗温度，避免温差过大，影响硅片质量。
[0019]在一种示例中，硅片清洗方法还包括：第二预设清洗温度为50
‑
60℃。也即，在第二清洗槽中利用阴极电解离子水进行清洗时的温度为50
‑
60℃。采用该技术方案的情况下，一方面，50
‑
60℃的清洗温度可以破坏掉硅片表面的一些酯类有机物的分子链，还可以提高
OH
‑
离子的活跃性，利于提高清洗效果；另一方面，可以起到预热硅片的作用，利于第二硅片适应第三清洗槽的80
‑
90℃的清洗温度，避免温差过大，影响硅片质量。当辅助超声波清洗时，还可以提高清洗效果。
[0020]在一种示例中，硅片清洗方法还可以包括：提供安装有烘干装置的烘干槽，在烘干槽内烘干漂洗硅片，烘干温度为100
‑
110℃，烘干时间为3
‑
5min。在烘干完成后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：提供盛装有清洗液的第一清洗槽，于第一预设清洗温度，在所述第一清洗槽内清洗硅片，以获得第一硅片；提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽，于第二预设清洗温度，在所述第二清洗槽内清洗所述第一硅片，以获得第二硅片；提供至少一个盛装有所述清洗液的漂洗槽，于相应预设清洗温度，在所述漂洗槽内清洗所述第二硅片，以获得漂洗硅片；其中，所述阴极电解离子水为通过电解池电解自来水得到，并且所述阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH
‑
离子。2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述漂洗槽的数量为两个，包括第三清洗槽和第四清洗槽；于第三预设清洗温度，在所述第三清洗槽内清洗所述第二硅片，以获得第三硅片；于第四预设清洗温度，在所述第四清洗槽内清洗所述第三硅片后，以预设速度将所述第三硅片从所述第四清洗槽中提拉出来，以获得所述漂洗硅片。3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述第三预设清洗温度为40
‑
50℃，所述第四预设清洗温度为80
‑
90℃。4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述清洗液为自来水或纯水。5.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁战锋，任新刚，张珊，迪大明，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：