存储器件以及半导体器件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种存储器件，该存储器件包括使用了有机材料的存储元件，在制造时以外也可以写入数据。本发明专利技术的存储器件的特征在于：在存储单元中，在提供有ｎ型杂质区域和ｐ型杂质区域的半导体膜上层叠有第三导电膜、有机化合物、第四导电膜，并且ｐｎ结二极管和存储元件串联连接。控制存储单元的逻辑电路由薄膜晶体管构成。将存储单元和逻辑电路同时形成在同一衬底上。与形成薄膜晶体管的杂质区域同时制造存储单元的ｎ型杂质区域和ｐ型杂质区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用存储元件的存储器件以及具备存储器件的半导体器件。本专利技术特别涉及将有机材料使用于存储元件的器件等。
技术介绍
近年来，正在对使用有机材料如有机晶体管、有机存储器等的电子元件进行积极的研究开发。使用有机材料的电子元件是具有柔性的元件并且其作为廉价的元件被看好。例如，在专利文件1中记载了利用有机二极管的掩模ROM。专利文件1的存储元件在制造时以外不能写入(可纪录)数据，所以在使用上不方便。此外，通过提供天线以能够非接触地发送/接收数据的小型的半导体器件已经实用化了，该半导体器件被称为IC(集成电路)芯片。这种半导体器件除了IC芯片以外还被称为无线芯片、ID标签、IC标签、RF(射频)标签、无线标签、无线IC标签、电子标签、RFID(射频识别技术)标签。可以通过在IC芯片中提供将大量数据存储的存储器件，实现高功能化、高附加价值化。为了使IC芯片的利用范围扩大，有必要实现IC芯片的廉价化。于是，期待通过将有机存储器使用于存储器件，以实现IC芯片的廉价化。然而，在专利文件1中并没有阐述到将有机存储器与用于控制存储元件的写入以及读出等的电路合并，以有效地利用有机存储器的优本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：　　　　薄膜晶体管；以及　　　　具有存储单元的存储单元阵列，　　　　其中，所述存储单元包括：　　　　具有彼此邻接的ｎ型杂质区域和ｐ型杂质区域的第一半导体膜；　　　　形成在所述第一半导体膜上并连接到所述ｎ型杂质区域及所述ｐ型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；　　　　形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及　　　　夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的有机化合物层，　　　　并且，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述薄膜晶体管的第二半导体膜形成在相同的绝缘表面上。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-28 2006-1270871.一种存储器件，包括薄膜晶体管；以及具有存储单元的存储单元阵列，其中，所述存储单元包括具有彼此邻接的n型杂质区域和p型杂质区域的第一半导体膜；形成在所述第一半导体膜上并连接到所述n型杂质区域及所述p型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的有机化合物层，并且，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述薄膜晶体管的第二半导体膜形成在相同的绝缘表面上。2.一种存储器件，包括n沟道型薄膜晶体管；p沟道型薄膜晶体管；以及具有存储单元的存储单元阵列，其中，所述存储单元包括具有彼此邻接的n型杂质区域和p型杂质区域的第一半导体膜；形成在所述第一半导体膜上并连接到所述n型杂质区域及所述p型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的有机化合物层，并且，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述n沟道型薄膜晶体管的第二半导体膜及所述p沟道型薄膜晶体管的第三半导体膜形成在相同的绝缘表面上。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中在所述存储单元的所述第一半导体膜的n型杂质区域中的n型杂质的浓度等于形成在所述n沟道型薄膜晶体管的所述第二半导体膜的n型杂质区域中的n型杂质的浓度。4.根据权利要求2所述的存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永肇，加藤清，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]