【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于使多晶硅层平面化的高含水、强碱性平面化溶液，所述多晶硅层用于制备液晶显示器(LCDs)、微电子机械系统(MEMS)和 太阳能电池基体，和涉及所述溶液用于使在制备LCDs和其它多晶硅基体装 置中制得的多晶硅层平面化的用途。所述高含水、强碱性平面化溶液在总体 平面多晶硅膜没有任何明显蚀刻的情况下有选择地蚀刻从总体平面多晶硅膜 表面向上伸展的山形突出或凸起，所述总体平面多晶硅膜经低温多晶硅工艺 通过非晶硅退火制得。
技术介绍
近来，与无定形硅装置相比，由于多晶硅装置较高的电气性能，更快的 信号传输和较低的电力消耗，对它的需求与日俱增。这些使用多晶硅的装置 中的大部分是LCDs(用于移动设备以及电视)，MEMS(用于IT, BT传感器， 度量，模块)以及太阳能电池基体。过去，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT-LCD )成为市场中使用的作为以前所用阴极射线管显示器(CRT显示器) 的主要替换物。a-Si TFT-LCD发展的原因是由于它的轻和薄。然而，由于信 息和数据
的持续迅速发展，对于更高分辨率和透光度要求的需求变 得如此重要...
【技术保护点】
降低或本质上消除从多晶硅膜总体平面表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅（ＬＴＰＳ）工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括：使总体平面多晶硅膜与高含水、强碱性多晶硅平面化溶液接触一定时间，其足以选择性蚀刻总体平面多晶硅膜表面的突出或凸起而总体平面多晶硅膜没有任何明显蚀刻，所述高含水、强碱性多晶硅平面化溶液包括一种含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂且具有１２或更高的ｐＨ值的溶液。
【技术特征摘要】
US 2007-4-26 60/914,1051、 降低或本质上消除从多晶硅膜总体平面表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅 膜退火而制得，所述方法包括使总体平面多晶硅膜与高含水、强碱性多晶 硅平面化溶液接触一定时间，其足以选择性蚀刻总体平面多晶硅膜表面的突 出或凸起而总体平面多晶硅膜没有任何明显蚀刻，所述高含水、强碱性多晶 硅平面化溶液包括一种含有水、至少一种强44、和至少一种蚀刻速率控制剂 且具有12或更高的pH值的溶液。2、 根据权利要求l的方法，其中，多晶硅平面化溶液中的至少一种强碱 选自四烷基铵氢氧化物，胆;威，碱金属氢氧化物，碱土金属氢氧化物，磁< 金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐或碳酸烷基酯，碱金属醋酸盐、碱土金属醋酸 盐或醋酸烷基酯，碱金属醇盐、碱土金属醇盐或烷基醇盐，碱金属氰化物、 碱土金属氰化物或烷基氰化物，碱金属高氯酸盐、碱土金属高氯酸盐或烷基 高氯酸盐，巯基化合物，磷酸烷基酯，烷基砷化物，易于接受质子离子的路 易斯碱，和它们的混合物。3、 根据权利要求2的方法，其中，至少一种强碱选自四烷基铵氢氧化物、 氬氧化钠、氢氧化钾及其混合物。4、 根据权利要求2的方法，其中，至少一种蚀刻控制剂选自醇和二醇。5、 根据权利要求4的方法，其中，至少一种蚀刻控制剂选自乙二醇、甘 油、乙基卡必醇、三甘醇、四甘醇及其混合物。6、 根据权利要求4的方法，其中，多晶硅平面化组合物还含有表面活性剂。7、 根据权利要求6的方法，其中，表面活性剂是炔属二醇。8、 根据权利要求2的方法，其中，多晶硅平面化溶液还含有至少一种氧 化剂。9、 根据权利要求8的方法，其中，至少一种氧化剂选自高锰酸盐、过铬 酸盐、过硫酸盐、高氯酸盐、过氧化物、臭氧及其它高氧化材料，和它们的 混合物。10、 根据权利要求1的方法，其中，多晶硅平面化溶液包含至少一种 选自四烷基铵氢氧化物、NaOH、 KOH及其混合物的强碱，至少一种选自乙 二醇、甘油和三甘醇及其混合物的蚀刻控制剂，而且，所述溶液还具有至少 一种选自炔属二醇的表面活性剂，和至少一种选自过碌^酸盐的氧化剂。11、 根据权利要求10的方法，其中，多晶硅平面化溶液具有约13.2-约 14.4的的pH值，至少一种强碱选自四曱基铵氢氧化物、KOH及其混合物， 至少一种蚀刻控制剂选自乙二醇、三甘醇及其混合物，和氧化剂是过硫酸铵， 所述强碱为约0.1-约10重量％，蚀刻控制剂为约0.1-10重量％ ,氧化剂约0.05-约0.3重量％，至少一种表面活性剂为约10-约2000ppm,所述百分比基于多 晶硅平面化溶液的总重量计。12、 根据权利要求1的方法，其中，在总体平面多晶硅膜与所述多晶硅 平面化溶液接触之前，从总体平面多晶硅膜表面向上伸展的突出或凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：金相仁，洪性辰，
申请(专利权)人：马林克罗特贝克公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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