【技术实现步骤摘要】
. 本专利技术涉及集成电路的制造以及在衬底上沉积材料的工艺。更具体 地，本专利技术涉及在衬底上沉积碳材料的低温工艺。
技术介绍
10 集成电路已发展成可在单个芯片上包含数百万个晶体管、电容器和电阻器的复杂器件。芯片设计的发展一直需要更快的电路和更大的电路密 度。对更快电路以及更大电路密度的需求给用于制造这样的集成电路的材 料提出了相应的要求。具体地，随着集成电路元件的尺寸降至亚微米级， 现在必须使用低电阻率的导电材料(例如铜)以及低介电常数的绝缘材料15 (介电常数小于约4)，以使这样的元件获得合适的电气性能。对更大的集成电路密度的要求同样给集成电路元件制备中所用的工艺 序列提出了要求。例如，在使用常规光刻技术的工艺序列中，在衬底上的 材料层叠层上形成能量敏感阻挡层。将此能量敏感阻挡层暴露于图案，以 形成光阻掩膜。然后，用蚀刻工艺将掩膜图案转移到叠层的一个或更多个20材料层上。选择蚀刻工艺中所用的化学蚀刻剂，使其对叠层的材料层的蚀 刻选择性大于对能量敏感阻挡掩膜的选择性。即，化学蚀刻剂蚀刻材料叠 层的一个或更多个层的速率远大于蚀刻能量敏感阻挡层的速率。对叠层的 ...
【技术保护点】
一种沉积无定型碳膜的方法，包括：在处理室中提供衬底；使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室，其中所述烃化合物具有大于５个碳原子；将所述衬底保持在低于４５０℃的温度下；以及将无定型碳膜沉积在所述衬底上。
【技术特征摘要】
US 2006-6-13 11/451,9161. 一种沉积无定型碳膜的方法，包括在处理室中提供衬底；使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室，其中所述烃化合物具有大于5个碳原子；将所述衬底保持在低于45(TC的温度下；以及 将无定型碳膜沉积在所述衬底上。2. 如权利要求1的方法，其中所述烃化合物包括甲苯、苯和己烷中的 10至少一种。3. 如权利要求1的方法，其中所述烃化合物包括下列中的至少一种 戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、丁二 烯、异戊二烯、戊二烯、己二烯、乙炔、乙烯基乙炔、环丙烷、环丁烷、 环戊烷、环戊二烯、甲苯、苯、苯乙烯、二甲苯、吡啶、乙苯、苯乙酮、15苯甲酸甲酯、乙酸苯酯、苯酚、甲酚、呋喃、Q^萜品烯和甲基异丙苯，及 其组合。4. 如权利要求1的方法，其中保持所述衬底温度的步骤还包括将所述衬底温度保持在约250450°C。5. 如权利要求1的方法，其中被沉积的无定型碳膜具有大于20%的阶 20 梯覆盖比。6. 如权利要求1的方法，其中流入所述气体混合物的步骤还包括 以约200-1000 sccm的流率流入所述烃化合物；以及以约200-10000 sccm的流率流入所述惰性气体。7. 如权利要求1的方法，其中所述惰性气体包括Ar和He中的至少--25 种。8. 如权利要求1的方法，其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括-通过应用约50-2000 W的RF功率来保持由所述气体混合物形成的等离子体。9. 如权利要求8的方法，其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括 应用10-2000 W的第二 RF功率。10. 如权利要求1的方法，其中流入气体混合物的步骤还包括使附加气体与所述气体混合物一起流入所述处理室。11. 如权利要求10的方法，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐桑叶，栾辛乔，克旺达克道格拉斯李，金博宏，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[]
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