半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括具有阱区域的半导体基板；在阱区域中的导电基体；在基体中的源极；在阱区域的基体外的垂直部分中的漂移区域和漏极；以及在源极和漏极之间的栅电极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　　　　具有第一导电型阱区域的半导体基板；　　　　在所述第一导电型阱区域中的导电基体；　　　　在所述导电基体中的第一导电型源区；　　　　在阱区域的基体外的垂直区域中的第一导电型漂移区域和漏区；　　　　以及　　　　在所述源区和所述漏区之间的栅电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高光永，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]