半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件，该半导体器件包括其中形成有导电层的衬底；在该导电层上方形成的抗反射涂层；以及在该抗反射涂层和该导电层之间插入的抗扩散层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种装置，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的导电层；在所述导电层上方形成的至少一抗反射涂层；以及在所述导电层和所述至少一抗反射涂层之间形成的抗扩散层，其中所述抗扩散层配置为防止在所述导电层和所述至少 一抗反射涂层之间的扩散。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：全东基，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]