晶圆接合的可循环压印装置及其方法制造方法及图纸

一种可循环压印装置及其方法。可循环压印装置包括一基底、一保护层、一堆叠结构及一封盖。保护层设置于基底上。一封盖开口位于保护层及基底，且封盖开口暴露出基底。堆叠结构包括一附着层、一应力控制层及一晶圆接合对准记号层。附着层设置于保护层上及暴露的基底上。应力控制层设置于附着层上。晶圆接合对准记号层设置于应力控制层上。晶圆接合对准记号层具有一对准记号，且其位于封盖开口的一侧。封盖具有一覆盖部，其设置于对应封盖开口的晶圆接合对准记号层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于晶圆接合的压印装置及制程，且特别是有关于一种晶 圆接合的可循环压印装置及其方法。
技术介绍
晶圆接合(wafer bonding)的应用相当广泛，除了应用于MEMS制程之 外，晶圆接合也可用以制造光电组件等。晶圆接合为晶圆级(wafer level) 的接合技术，有别于切割后才进行封装的方法。晶圆接合前需准确的对位，以在需要的位置上进行接合。目前晶圆接 合的对位是通过一对准记号。对准记号是通过蚀刻形成一凹穴状结构。然 而，由于基底的结晶方向影响蚀刻率(etching rate),使得对准记号会产 生变形。因此，影响了晶圆结合前的对位的准确性。此外，对准记号往往会随着制程进行而磨损或消失。因此，若要进一 步利用相同的晶圆进行封装及接合，则需重新制作对准记号，或是使用另 一个晶圆。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以 重复使用可循环压印装置，而减少制程的时间及成本。本专利技术一种晶圆接合的可循环压印装置。此装置包括一基底、 一保护 层、 一堆叠结构及一封盖。保护层设置于基底上。 一封盖开口位于保护层 及基底，且封盖开口暴露出基底。堆叠结构包括一附着层、 一应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆接合的可循环压印装置，其包括一基底；其特征在于：该可循环压印装置还包括一设置于该基底上的保护层、一堆叠结构及一封盖；其中一封盖开口位于该保护层及该基底，且该封盖开口暴露出该基底；该堆叠结构包括：一设置于该保护层上及该暴露的基底上的附着层、一设置于该附着层上的应力控制层及一设置于该应力控制层上的晶圆接合对准记号层，其中该晶圆接合对准记号层具有一对准记号，且其位于该封盖开口的一侧；该封盖具有一覆盖部，该覆盖部设置于对应该封盖开口的该晶圆接合对准记号层上。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆接合的可循环压印装置，其包括一基底；其特征在于该可循环压印装置还包括一设置于该基底上的保护层、一堆叠结构及一封盖；其中一封盖开口位于该保护层及该基底，且该封盖开口暴露出该基底；该堆叠结构包括一设置于该保护层上及该暴露的基底上的附着层、一设置于该附着层上的应力控制层及一设置于该应力控制层上的晶圆接合对准记号层，其中该晶圆接合对准记号层具有一对准记号，且其位于该封盖开口的一侧；该封盖具有一覆盖部，该覆盖部设置于对应该封盖开口的该晶圆接合对准记号层上。2. 如权利要求l所述的装置，其特征在于该晶圆接合对准记号层更 包括 一种子层，该封盖设置于该种子层上。3. 如权利要求1所述的装置，其特征在于该封盖更具有一接合部， 连接于该覆盖部的厨缘，并设置于该晶圆接合对准记号层上，该对准记号 与该接合部相隔一间距。4. 如权利要求l所述的装置，其特征在于该对准记号为一凸状结构。5. 如权利要求l所述的装置，其特征在于该封盖开口的底部的宽度 小于顶部的宽度。6. 如权利要求l所述的装置，其特征在于该保护层为二氧化硅，该 应力控制层的材料为镍钒，该附着层的材料是选自铝(A1)、钛(Ti)、钛鸽 (TiW)及其组合中的任一种。7. —种晶圆接合的可循环压印方法，其特征在于其包括如下步骤 提供一可循环压印装置，该可循环压印装置具有一封盖及一堆叠结构，该堆叠结构包括一附着层、 一应力控制层及一晶圆接合对准记号层， 且该附着层、该应力控制层、该晶圆接合对准记号层、及该封盖依序形成 于该可循环压印装置上，该晶圆接合对准记号层具有一第一对准记号； 提供一晶圆，具有一第二对准记号； 对准该第一对准记号与该第二对准记号； 覆盖该封盖，并接合该可循环压印装置与该晶圆； 释放该封盖，使得该封盖脱离该可循环压印装置； 形成另一封盖于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骏，王盟仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]