本实用新型专利技术涉及一种发光单元、显示阵列模组以及显示装置。本实用新型专利技术提供了一种发光单元。该发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、有源层及光提取结构。有源层设于N型半导体层与P型半导体层之间。光提取结构至少部分设于P型半导体层的侧面，其被配置为反射和/或散射自有源层辐射之光线。上述发光单元通过设于P型半导体侧面的光提取结构反射和/或散射有源层从P型半导体层的侧面射出的光线，使得所述光线朝P型半导体层背离有源层的表面的正上方射出，降低光线的逸散程度，提高了发光效率。且多个该发光单元组合成阵列时，任一发光单元的光提取结构可反射另一发光单元的有源层发出的一些光线，提高了发光单元组合成阵列时的发光效率。光效率。光效率。
【技术实现步骤摘要】
发光单元、显示阵列模组以及显示装置
[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种发光单元、显示阵列模组以及显示装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)作为一种新型光源，由于具有环保、节能、寿命长、启动速度快等优势而得到了空前的发展。而随着发光二极管技术的发展，人们对发光二极管的亮度也有了更高的要求。
[0003]发光二极管的亮度取决于发光二极管的发光单元的发光效率。现有发光单元的有源层从P型半导体层的侧面射出的光线往往会发生逸散，大大影响了发光单元的正面的出光量，导致发光单元的光提取效率较低，进而导致发光单元的发光效率较低，从而发光二极管的亮度不尽如人意。
[0004]因此，如何避免发光单元的有源层从P型半导体层的侧面射出的光线逸散是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光单元、显示阵列模组以及显示装置，旨在解决发光单元的有源层从P型半导体层的侧面射出的光线发生逸散的问题。
[0006]第一方面，本技术提供了一种发光单元，其包括：
[0007]N型半导体层；
[0008]P型半导体层；
[0009]设于N型半导体层与P型半导体层之间的有源层；以及
[0010]光提取结构，光提取结构至少部分设于P型半导体层的侧面，其被配置为反射和/或散射自有源层辐射之光线。
[0011]上述发光单元通过设于P型半导体侧面的光提取结构反射和/或散射有源层从P型半导体层的侧面射出的光线，使得反射和/或散射后的所述光线朝P型半导体层背离有源层的表面的正上方射出，有效地降低了光线的逸散程度，大大提高了发光单元的光提取效率，进而大大提高了发光效率。而且当多个上述发光单元组合成阵列时，任意一个发光单元的光提取结构还可反射和/或散射另一发光单元的有源层发出的一些光线，有效提高了发光单元组合成阵列时的发光效率。
[0012]可选地，光提取结构包括透明介质层及混合于透明介质层中的散射粒子。这样，有源层从P型半导体层的侧面射出的光线就可射入透明介质层中，并在混合有散射粒子的透明介质层中进行散射及反射，提高了光提取结构对所述光线的利用率，有利于提高发光单元的光提取效率。
[0013]可选地，透明介质层包括液态玻璃，散射粒子包括SiO2粒子、TiO2粒子、Al2O3粒子
或者玻璃空心粒子中的任意一种。
[0014]可选地，光提取结构还包括一反射层，反射层设于透明介质层远离P型半导体层的一面。这样，发光单元通过反射层就可反射有源层从P型半导体层侧面射出的光线，使得反射后的所述光线朝P型半导体层背离有源层的表面的正上方射出，有效地降低了光线的逸散程度。而且当多个发光单元组合成阵列时，任意一个发光单元的反射层还可反射另一发光单元的有源层发出的一些光线，有效提高了发光单元组合成阵列时的发光效率。
[0015]可选地，透明介质层的截面形状为倒直角三角形，倒直角三角形中较长的直角边与P型半导体层接触。这样，有利于发光单元的光提取结构将有源层从P型半导体层侧面射出的光线反射至P型半导体层背离有源层的表面的正上方。
[0016]可选地，倒直角三角形的斜边与较长的直角边的夹角范围介于5度至20度之间。这样，有利于发光单元的光提取结构将有源层发出的光线反射至预期，且当多个发光单元组合成阵列时，有利于任一发光单元的有源层发出的光被另一发光单元的光提取结构反射至预期，进而提高多个发光单元组合成阵列时的发光效率。
[0017]可选地，透明介质层的折射率介于空气的折射率与P型半导体层的折射率之间。这样，能避免有源层发出的光线在透明介质层与P型半导体层的交界处发生全反射，有利于有源层发出的光线自P型半导体层射入至透明介质层，有利于提高发光单元的发光效率。
[0018]可选地，P型半导体层的侧面包括多个图案，每一该图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区。图案的设计，有效降低了有源层发出的光线在透明介质层与P型半导体层的交界处发生全反射的概率，有利于有源层发出的光线从P型半导体层的侧面射出，提高了对光线的利用率，提高了发光单元的光提取效率，进而提高发光单元的发光效率。
[0019]可选地，有源层所辐射之光线为紫外光，所述紫外光的波长介于320nm
‑
400nm之间；
[0020]或，介于280nm
‑
320nm之间；
[0021]或，介于200nm
‑
280nm之间。
[0022]第二方面，本技术提供了一种显示阵列模组，其包括：
[0023]基板；以及
[0024]如第一方面中任一项所述的多个发光单元，所述多个发光单元分别间隔设置于所述基板上。
[0025]上述显示阵列模组的发光单元的设计，不仅提高了每个发光单元的光提取效率，而且任意一个发光单元可将另一发光单元发出的光线反射和/或散射出去，大大提高了显示阵列模组的发光效率。
[0026]第三方面，本技术提供了一种显示装置，其包括：
[0027]驱动电路；以及
[0028]如第二方面中所述的显示阵列模组；其中，所述驱动电路与所述显示阵列模组电连接。
附图说明
[0029]图1为本技术其中一实施例提供的一种显示阵列模组的结构示意图。
[0030]图2为图1中发光单元的II部分的放大示意图。
[0031]图3为图1中发光单元的另一实施方式的部分结构示意图。
[0032]图4为图1中发光单元的又一实施方式的部分结构示意图。
[0033]图5至图11为通过本技术提供的制作方法制作显示阵列模组过程中的结构示意图。
[0034]附图标记说明：
[0035]100
‑
显示阵列模组，10
‑
基板，11
‑
正面，12
‑
背面；
[0036]20
‑
发光单元；
[0037]21
‑
N型半导体层；
[0038]22
‑
P型半导体层，221
‑
图案，2211
‑
斜面区，2212
‑
底部区；
[0039]23
‑
有源层，L1
‑
第一入射光线，L2
‑
第二入射光线；
[0040]L3
‑
第二入射光线，L4
‑
第二反射光线；
[0041]L5
‑
第三入射光线，L6
‑
第三反射光线；
[0042]24
‑
光提取结构；
[0043]241
‑
透明介质层，2411
‑
第一直角边，2412<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光单元，其特征在于，包括：N型半导体层；P型半导体层；设于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的有源层；以及光提取结构，所述光提取结构至少部分设于所述P型半导体层的侧面，其被配置为反射和/或散射自所述有源层辐射之光线。2.如权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述光提取结构包括透明介质层及混合于所述透明介质层中的散射粒子。3.如权利要求2所述的发光单元，其特征在于，所述透明介质层包括液态玻璃，所述散射粒子包括SiO2粒子、TiO2粒子、Al2O3粒子或者玻璃空心粒子中的任意一种。4.如权利要求2所述的发光单元，其特征在于，所述光提取结构还包括一反射层，所述反射层设于所述透明介质层远离所述P型半导体层的一面。5.如权利要求2所述的发光单元，其特征在于，所述透明介质层的截面形状为倒直角三角形，所述倒直角三角形中较长的直角边与所述P型半导体层接触。6.如权利要求5所述的发光单元，其特征在于，所述倒直角三角形的斜边与较长的直角边的夹...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明达，张杨，陈靖中，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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