一种微型发光组件制造技术

技术编号:31758248 阅读:20 留言:0更新日期:2022-01-05 16:41
本发明专利技术提供一种微型发光组件,包括:基板,具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面;至少一微型元件,配置于所述基板的上方,且具有远离所述基板的顶表面和相对于所述顶表面的底表面,以及连接所述顶表面周缘和底表面周缘的周围表面;至少一挡墙,配置于所述基板的第一板面上,具有远离所述基板的上表面,且至少部分所述挡墙的上表面高于部分所述微型元件的底表面,从俯视方向观之,所述微型元件的周围配置有至少一挡墙,其中,所述俯视方向为基板所在水平面的法线方向;以及至少一固定结构,配置于所述基板的第一板面上,且所述固定结构包括:至少一连接部,配置于所述基板的第一板面上并连接至所述微型元件的至少一边缘。一板面上并连接至所述微型元件的至少一边缘。一板面上并连接至所述微型元件的至少一边缘。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光组件


[0001]本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种微型发光组件。

技术介绍

[0002]目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式,将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说,微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置,且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外因而影响品质。然而,在微型元件被拾取过程中容易发生偏移的现象,从而影响微型发光二极管的运输与转移的良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种微型发光组件,其可有效提升微型元件的运输与转移的良率。
[0004]本专利技术所采用的技术方案具体如下:
[0005]具体来说,本专利技术一实施例提供一种微型发光组件包括:基板,具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面;
[0006]至少一微型元件,配置于所述基板的上方,且具有远离所述基板的顶表面和相对于所述顶表面的底表面,以及连接所述顶表面周缘和底表面周缘的周围表面;
[0007]至少一挡墙,配置于所述基板的第一板面上,具有远离所述基板的上表面,且至少部分所述挡墙的上表面高于部分所述微型元件的底表面,从俯视方向观之,所述微型元件的周围配置有至少一挡墙,其中,所述俯视方向为基板所在水平面的法线方向;以及
[0008]至少一固定结构,配置于所述基板的第一板面上,且所述固定结构包括:
[0009]至少一连接部,配置于所述基板的第一板面上并连接至所述微型元件的至少一边缘。
[0010]在一些实施例中,从俯视方向观之,所述挡墙连续地设置于所述微型元件的周围。
[0011]在一些实施例中,所述连接部通过所述挡墙连接至所述基板。
[0012]在一些实施例中,从俯视方向观之,所述连接部从微型元件的所述边缘向外的宽度逐渐增大。
[0013]在一些实施例中,所述连接部在所述边缘的宽度与所述边缘的长度的比值介于0.1至0.4之间。
[0014]在一些实施例中,所述连接部的厚度介于0.5μm至1μm之间。
[0015]在一些实施例中,所述挡墙与所述微型元件之间的距离在2.0μm以下。
[0016]在一些实施例中,从俯视方向观之,所述挡墙的厚度介于0.1μm至10.0μm之间。
[0017]在一些实施例中,所述基板定义有垂直所述第一板面的一高度方向;
[0018]至少部分所述挡墙的上表面于所述高度方向上的位置落在由所述微型元件的底表面朝其顶表面方向的厚度的50%及以下。
[0019]在一些实施例中,所述微型元件包括:
[0020]半导体外延叠层,包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层;以及
[0021]所述基板定义有垂直所述第一板面的一高度方向;
[0022]至少部分所述挡墙的上表面于所述高度方向上的位置落在所述第一半导体层远离发光层的第一表面与靠近发光层的第二表面之间。
[0023]在一些实施例中,所述微型元件为包括:
[0024]第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极位于所述底表面上。
[0025]在一些实施例中,所述微型元件与所述基板之间的垂直距离介于0.7μm至1.5μm之间。
[0026]在一些实施例中,所述固定结构还包括:
[0027]至少一覆盖部,从所述微型元件的所述顶表面、侧面或者底面延伸至连接部。
[0028]本专利技术提供的微型发光组件的设计中,从俯视方向观之,所述微型元件的周围配置有至少一挡墙,且至少部分所述挡墙的上表面高于部分所述微型元件的底表面。藉此设计,可使得微型元件在不同的暂时基板之间的运输与拾取时,可以控制微型元件的偏移,从而提升微型发光二极管的运输与转移的良率。
[0029]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图;在下面描述中附图所述的位置关系,若无特别指明,皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0031]图1为本专利技术一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0032]图1A为沿图1的A

A

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0033]图1B为沿图1的B

B

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0034]图1C为图1中N处的放大结构示意图;
[0035]图1D为沿图1的A

A

剖线所示出的另一实施例微型发光组件的剖面示意图;
[0036]图1E为沿图1的B

B

剖线所示出的另一实施例微型发光组件的剖面示意图;
[0037]图1F为本专利技术图1B所对应实施例的多种微型发光组件的变形例剖面结构示意图;
[0038]图2为本专利技术另一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0039]图3为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0040]图3A为沿图3的C

C

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0041]图3B为沿图3的D

D

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0042]图3C为本专利技术图3A所对应实施例的微型发光组件的变形例剖面结构示意图;
[0043]图4为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0044]图4A为沿图4的E

E

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0045]图4B为沿图4的F

F

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0046]图5为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0047]图6为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0048]图7为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0049]图7A为沿图7的G

G

剖线所示出的微型发光组件的剖面示意图;
[0050]图8为本专利技术又一实施例提供的一种微型发光组件的俯视示意图;
[0051]图8A为沿图8的H
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光组件,包括:基板,具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面;至少一微型元件,配置于所述基板的上方,且具有远离所述基板的顶表面和相对于所述顶表面的底表面,以及连接所述顶表面周缘和底表面周缘的周围表面;至少一挡墙,配置于所述基板的第一板面上,具有远离所述基板的上表面,且至少部分所述挡墙的上表面高于部分所述微型元件的底表面,从俯视方向观之,所述微型元件的周围配置有至少一挡墙,其中,所述俯视方向为基板所在水平面的法线方向;以及至少一固定结构,配置于所述基板的第一板面上,且所述固定结构包括:至少一连接部,配置于所述基板的第一板面上并连接至所述微型元件的至少一边缘。2.根据权利要求1所述的微型发光组件,其特征在于:从俯视方向观之,所述挡墙连续地设置于所述微型元件的周围。3.根据权利要求1所述的微型发光组件,其特征在于:所述连接部通过所述挡墙连接至所述基板。4.根据权利要求1所述的微型发光组件,其特征在于:从俯视方向观之,所述连接部从微型元件的所述边缘向外的宽度逐渐增大。5.根据权利要求1所述的微型发光组件,其特征在于:所述连接部在所述边缘的宽度与所述边缘的长度的比值介于0.1至0.4之间。6.根据权利要求1所述的微型发光组件,其特征在于:所述连接部的厚度介于0.5μm至1μm之间。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴政李佳恩
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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