【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在周边部设有与外部之间的接口即I/O电路以及焊盘 (pad)的半导体集成电路,特别是涉及一种相对于内部电路的规模来说, 焊盘数较多的半导体集成电路。
技术介绍
以前,在作为半导体芯片的半导体集成电路中,如图24所示,多个 I/O电路1与焊盘2,在内部电路3的外面的周边部排列配置成一级。近年来,对应于工艺的细微化,能够在l个半导体集成电路中设置比 以前更多的功能,作为与外部之间的接口而设置的1/0电路以及焊盘数也 在增加。但是,存储器电路或逻辑电路等中使用的低耐压型晶体管,以及 模拟电路或I/0电路等中使用的高耐压型晶体管中,细微化所带来的面积 縮小效果不同,与因制造处理的细微化引起面积大幅縮小的存储器电路或 逻辑电路等相比,模拟电路或I/0电路面积几乎没有縮小。该面积縮小效 果的不平衡,导致模拟电路或I/O电路所占面积的比例提高。例如图25 所示,如果对包括存储器电路或逻辑电路等的内部电路3,在外围设置半 导体集成电路所必需的个数的I/O电路以及焊盘,则I/O电路1以及焊盘 2的排列所形成的外周框变得比内部电路3大,在内部电路3与1/0电路1 以及焊盘2之间产生很大的空间,产生无效的区域,因此即使制造工艺细 微化,也存在面积无法縮小的缺点。因此,以前提出了一种焊盘的配置方法,例如图26所示,通过将焊 盘排列成2级,使得内部电路3的面积与I/O电路1以及焊盘2的排列所 形成的外周框之间的平衡良好,通过这样,与以一级排列设置焊盘的情况 相比,即使设置很多焊盘,也能够有效縮小半导体集成电路的面积。该提 案例如公开在专利文献l中。专利文献1特开 ...
【技术保护点】
一种半导体集成电路,具有:内部电路;以及排列设置在上述内部电路的外部,将上述内部电路的信号输出到外部或将外部的信号输入到上述内部电路中,且在上方能够设置焊盘的多个I/O电路,上述多个I/O电路由n级用I/O电路和m级用I/O电路这样的在朝向上述内部电路的方向上的高度不同的至少两种I/O电路构成,上述n级用I/O电路被构成为上述焊盘在朝向上述内部电路的方向上被设置n级,其中n为1以上的整数;上述m级用I/O被构成为上述焊盘在朝向上述内部电路的方向被设置m级,其中m为>n的整数。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-9 2006-303969;JP 2007-9-27 2007-2516071.一种半导体集成电路,具有内部电路;以及排列设置在上述内部电路的外部,将上述内部电路的信号输出到外部或将外部的信号输入到上述内部电路中,且在上方能够设置焊盘的多个I/O电路,上述多个I/O电路由n级用I/O电路和m级用I/O电路这样的在朝向上述内部电路的方向上的高度不同的至少两种I/O电路构成,上述n级用I/O电路被构成为上述焊盘在朝向上述内部电路的方向上被设置n级,其中n为1以上的整数;上述m级用I/O被构成为上述焊盘在朝向上述内部电路的方向被设置m级,其中m为>n的整数。2. 根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于 上述多个I/O电路,在n级用I/O电路以及m级用I/O电路分别具有在1/0电路排列方向上延伸的电源布线,且至少1个电源布线从外端起的 高度位置不同;在排列配置的n级用I/O电路与m级用I/O电路之间,形成有电源布 线转接区域,在该电源布线转接区域形成了用来将该n级用I/O电路与m 级用I/O电路的电源布线彼此连接起来的电源布线。3. 根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于上述n级用I/O电路及m级用I/O电路,位于形成半导体集成电路的 角部的2边的端部;上述电源布线转接区域形成在上述角部。4. 根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于 上述多个I/O电路,按n级用I/O电路以及m级用I/O电路分别具有在1/0电路排列方向上延伸的电源布线,且至少1个电源布线从外端起的 高度位置不同;排列配置且相邻的n级用I/O电路与m级用I/O电路之间,隔开有给 定距离。5. 根据权利要求l所述的半导体集成电路,其特征在于 上述多个I/O电路,按n级用I/O电路以及m级用I/O电路分别具有在I/O电路排列方向上延伸的电源布线,且至少1个电源布线从外端起的 高度位置不同;在排列配置且相邻的n级用I/O电路与m级用I/O电路之间,设有静 电放电保护用保护电路。6. 根据权利要求2 5中任一个所述的半导体集成电路,其特征在于: 上述n级用I/O电路所具有的电源布线与上述m级用I/O电路所具有的电源布线,根数互不相同。7. 根据权利要求2 6中任一个所述的半导体集成电路,其特征在于 上述n级用I/O电路所具有的电源布线与上述m级用I/O电路所具有的电源布线,布线宽度互不相同。8. 根据权利要求2 7中任一个所述的半导体集成电路,其特征在于 上述n级用I/O电路所具有的电源布线与上述m级用I/O电路所具有的电源布线,形成在互不相同的布线层。9. 根据权利要求2 8中任一个所述的半导体集成电路,其特征在于 上述n级用I/O电路所具有的电源布线与上述m级用I/O电路所具有的电源布线,形成的布线层的数量互...
【专利技术属性】
技术研发人员:松冈大辅,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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