半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置通过使用ＳＯＩ衬底而制造，并且防止起因于设置为岛状的硅层的端部的缺陷且提高可靠性。该半导体装置具有如下结构：包括在支撑衬底上依次层合有绝缘层及岛状硅层的ＳＯＩ衬底、设置在岛状硅层的一个表面上及侧面的栅绝缘层、以及中间夹着栅绝缘层而设置在岛状硅层上的栅电极。此时，对栅绝缘层来说，跟接触于岛状硅层的一个表面上的区域相比，接触于岛状硅层的侧面的区域的介电常数小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用SOI (绝缘体上硅片)衬底而制造的。
技术介绍
近年来，在VLSI技术飞跃地进步的情况下，实现高速化、低功耗 化的SOI结构引人注目。该技术是利用薄膜单晶硅形成场效应晶体管 (FET; Field Effect Transistor)的活性区(沟道形成区)而不利用现有 的大块单晶硅的技术。在用于SOI结构的衬底中，典型的是，在单晶硅衬底上中间夹着埋 氧层(buried oxide film layer)形成有薄膜硅层。因此，普遍知道如下事 实当使用SOI衬底来制造MOS型场效应晶体管(MOSFET; Metal Oxide Semiconductor)时，可以使寄生电容小于现有的使用大块单晶硅衬底的 情况，而有利于高速化。图12A至12C表示使用SOI衬底的现有的薄膜晶体管的示意图。 图12A表示薄膜晶体管的俯视图，图12B相当于图12A中的虛线0-P 之间的截面图，图12C相当于图12A中的虛线Q-R之间的截面图。注 意，在图12A中部分地省略构成薄膜晶体管的薄膜等。通过使用SOI衬底9005而形成图12A至12C所示的薄膜晶体管。 在该SOI衬底9005中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：　　　　衬底；　　　　在所述衬底上的绝缘层；　　　　在所述绝缘层上的岛状单晶半导体层；　　　　接触于所述岛状单晶半导体层的顶面和侧面的栅绝缘层；以及　　　　在所述栅绝缘层上的栅电极，该栅电极被设置以横穿所述岛状单晶半导体层，　　　　其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的介电常数小。

【技术特征摘要】
JP 2006-12-5 2006-3279211.一种半导体装置，包括衬底；在所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的岛状单晶半导体层；接触于所述岛状单晶半导体层的顶面和侧面的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层上的栅电极，该栅电极被设置以横穿所述岛状单晶半导体层，其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的介电常数小。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对所述栅绝缘层来 说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述 岛状单晶半导体层的侧面且重叠于所述栅电极的区域的介电常数小。3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对所述栅绝缘层来 说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述 岛状单晶半导体层的侧面的区域厚。4. 根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层的厚度 满足tKt2《3tl，所述tl为接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区 域的厚度，而所述t2为接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的厚度。5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层包括接触于所述岛状单晶半导体层的顶面的第 一 绝缘层、以及接触于所述岛状 单晶半导体层的侧面的第二绝缘层。6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘层包括接 触于所述岛状单晶半导体层的顶面的第一绝缘层、接触于所述岛状单晶 半导体层的侧面的第二绝缘层、以及夹在所述第一绝缘层和所述第二绝 缘层之间的第三绝缘层。7. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述岛状单晶半导体 层的端部的锥形角为45度以上且低于95度。8. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬底为单晶硅衬底。9. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜为埋氧膜。10. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为 选自包括RFID标签、ID标签、IC标签、IC芯片、RF标签、无线标签、 电子标签和无线芯片的组中的一种。11. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤 将SOI衬底的半导体层形成为岛状；接触于所述岛状半导体层的顶面以及侧面地形成第 一 绝缘层； 通过将所述第一绝缘层有选择地去掉直至所述岛状半导体层的顶面露出，以形成接触于所述岛状半导体层的侧面的第二绝缘层；接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，池田佳寿子，笹川慎也，须泽英臣，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]