半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅极，所述侧壁隔离物包括氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底中形成源区和漏区，并在所述栅极、源区和漏区表面形成金属硅化物；移除所述侧壁隔离物中的氮化硅层；在包括所述栅极、源区和漏区的衬底表面形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面淀积介质层。本发明专利技术能够提高ＰＭＤ层在栅极之间的空间的填充质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种互补佥属氧化物半导体器件(CMOS)及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件制造技术飞速发展，集成电路中器件的密集程度越来越 高，器件的临界尺寸已经达到了深亚微米阶段。在这种情况下，对于元器件 之间的空间填充工艺提出了新的挑战。图l为说明现有半导体器件及其形成过 程的示意图。如图1所示，在形成互连层的工艺线后段(back end ofline，BEOL) 开始时，通常需要在工艺线前段(front end of line, FEOL )形成的MOS晶体 管与互连层中的最下层18之间淀积介质层20,该介质层20称为金属前介电层(pre-metal dielectric, PMD)。在介质层20层中通过刻烛通孔并填充有金属 材料形成连接孔16。 MOS晶体管的栅极14通过连接孔16连接至互连层18中的 金属连接线19(源极、漏极也相应连接)，连接线19再通过双镶嵌(dual-damascene)结构连4矣至上层互连层。申请号为200510077686.5的中国专利申请中介绍了 一种PMD层的形成方 法。形成PMD层之前，在工艺线前段形成CMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅极，所述侧壁隔离物包括氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底中形成源区和漏区，并在所述栅极、源区和漏区表面形成金属硅化物；移除所述侧壁隔离物中的氮化硅 层；在包括所述栅极、源区和漏区的衬底表面形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面淀积介质层。

【技术特征摘要】
1、一种半导体器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅极，所述侧壁隔离物包括氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底中形成源区和漏区，并在所述栅极、源区和漏区表面形成金属硅化物；移除所述侧壁隔离物中的氮化硅层；在包括所述栅极、源区和漏区的衬底表面形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面淀积介质层。2、 如权利要求l所述的方法，其特征在于采用湿法腐蚀移除所述侧壁 隔离物的氮化硅层。3、 如权利要求2所述的方法，其特征在于所述湿法腐蚀的腐蚀液为磷 酸，腐蚀时间为20秒 600秒，所述腐蚀液的温度为120。C 20(TC。4、 如权利要求l所述的方法，其特征在于所述刻蚀停止层的材料为氮 化硅、氮氧化硅或含碳的氮化硅。5、 如权利要求4所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]