半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法：包括提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成栅极；执行离子注入工艺，在所述栅极两侧的衬底中注入杂质离子；形成覆盖所述衬底和栅极表面的低温氧化硅层；形成覆盖所述低温氧化层的氮化硅层。本发明专利技术的半导体器件制造方法采用双叔丁基氨基硅烷（ＢＴＢＡＳ（Ｃ８Ｈ２２Ｎ２Ｓｉ）和具有更高氧化性的臭氧Ｏ↓［３］为反应物形成侧壁隔离物氧化硅层，能够降低形成侧壁隔离物氧化硅层的反应温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种全属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体工业的进步，半导体器件的尺寸不断缩小，要求源极、漏极 以及源极前延和漏极前延(Source/Drain Extension )相应地变浅。当半导体器 件不断缩小进行到65nm以下时，超浅结(Ultra Shallow Junction)成为影响器 件性能的关^:，其能够防止短沟道效应。超浅结形成之前首先需刻蚀衬底表面的多晶硅和栅极氧化层形成栅极， 然后利用离子注入技术在栅极两侧的衬底中依次注入包括锗、碳、硼等多种 杂质离子，在衬底中形成超浅结。如图l所示，衬底100表面具有栅极氧化层 110和栅极120，通过离子注入(Co-implantation)在衬底100中形成超浅结101 和102，然后，在栅极120的两侧面表面形成有一层很薄的氧化层130以修复刻 蚀栅极时造成的栅极表面损伤。接下来如图2所示，在氧化层130外表面形成 氮化硅层140作为过度层。利用热氧化法或低压气相淀积(LPCVD)法形成侧 壁隔离物氧化层(offset spacer Si02) 150，如图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法：包括　　　　提供一半导体衬底；　　　　在所述衬底表面形成栅极；　　　　执行离子注入工艺，在所述栅极两侧的衬底中注入杂质离子；　　　　形成覆盖所述衬底和栅极表面的低温氧化硅层；　　　　形成覆盖所述低温氧化层的氮化硅层。

【技术特征摘要】
1、一种半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成栅极；执行离子注入工艺，在所述栅极两侧的衬底中注入杂质离子；形成覆盖所述衬底和栅极表面的低温氧化硅层；形成覆盖所述低温氧化层的氮化硅层。2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于形成所述低温氧化硅层的反 应物为双叔丁基氨基硅烷BTBAS和臭氧03。3、 如权利要求2所述的方法，其特征在于所述低温氧化硅层的形成方 法为低压化学气相淀积。4、 如权利要求3所述的方法，其特征在于所述低压化学气相淀积工艺 的反应温度为300。C 500。C。5、 如权利要求3或4所述的方法，其特征在于所述低压化学气相淀积 工艺的反应室压力为0.01Torr lTorr。6、 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，朴松源，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]