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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅极，所述侧壁隔离物包括氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底中形成源区和漏区，并在所述栅极、源区和漏区表面形成金属硅化物；移除所述侧壁隔离物中的氮化硅层；在包括所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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