一种基板的制作工艺制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种基板的制作工艺，包括：步骤A、在底板上的两面均溅射一层金属种子层；步骤B、在金属种子层生成目标线路；步骤C、附着干膜或光刻胶，并进行曝光显影；步骤D、在腔体凹槽及面槽进行电镀处理；步骤E、多次执行步骤C

【技术实现步骤摘要】
一种基板的制作工艺


[0001]本专利技术涉及基板封装及结构领域，尤其涉及一种基板的制作工艺。

技术介绍

[0002]目前，随着社会的不断发展，半导体行业的发展突飞猛进，而半导体中大量应用各种电子元件，而电子元件一般是被封装为一个整体，这导致一般电子元件的散热效果不好，而电子元件一般又被大规模聚集在一起的，整体散热不好，进而会影响到电子元件的正常工作，也会对电子元件的寿命造成影响。
[0003]由此，现在需要有一种方案来解决现有技术中的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开了一种基板的制作工艺，通过本方案制作的基板，基于腔体的两侧均设置有散热板，可以有效进行散热，利于保证电子元件整体的正常运行，提高电子元件的寿命。
[0005]具体的，本专利技术提出了以下具体的实施例：
[0006]本专利技术提出了一种基板的制作工艺，包括：
[0007]步骤A、在底板上的两面均溅射一层金属种子层；
[0008]步骤B、在所述底板的第一面的所述金属种子层的非边缘区域生成目标线路；
[0009]步骤C、在生成有预设线路的所述金属种子层上以及所述底板的第二面附着感光膜，并进行曝光显影，以在所述金属种子层的一面得到对应腔体截面图形的腔体凹槽，且在所述第二面得到对应热沉面层的面槽；所述腔体凹槽位于所述金属种子层的边缘区域；
[0010]步骤D、在所述腔体凹槽及所述面槽进行电镀处理，并在电镀处理后进行磨板整平处理；
[0011]步骤E、多次执行步骤C/>‑
步骤D，直到在所述腔体凹槽中形成腔体围栏，以及在所述面槽中生成预定厚度的热沉面层；
[0012]步骤F、将一个或多个预设引脚的一端与所述目标线路连接，
[0013]步骤G、待将预设芯片与所述目标线路连接后，将散热盖板与所述腔体围栏的顶部连接，形成腔体，并完成基板的制作。
[0014]在一个具体的实施例中，所述腔体围栏设置有缺口；所述一个或多个预设引脚的另一端从所述缺口伸出。
[0015]在一个具体的实施例中，所述腔体围栏为朝向所述第一面设置有开口的闭环结构；
[0016]所述底板中设置有贯穿所述第一面与所述第二面的连接柱；所述一个或多个预设引脚的一端与所述连接柱位于所述第二面的连接点连接，所述目标线路与所述连接柱位于所述第一面的连接点连接。
[0017]在一个具体的实施例中，所述散热盖板上设置有灌注孔与排气孔。
[0018]在一个具体的实施例中，在步骤E与步骤F之间，该方法还包括：
[0019]去除残余的所述感光膜，并蚀刻掉残余的所述感光膜下的所述金属种子层。
[0020]在一个具体的实施例中，所述腔体围栏包括：内侧腔体围栏与外侧腔体围栏；其中，所述内侧腔体围栏的高度低于所述外侧腔体围栏的高度；所述内侧腔体围栏与所述外侧腔体围栏形成连接槽；
[0021]所述散热盖板通过与所述连接槽的固定连接实现与所述腔体围栏的固定连接。
[0022]在一个具体的实施例中，所述散热盖板为铜板或外表面覆盖有金属的陶瓷板。
[0023]在一个具体的实施例中，所述腔体的数量为一个或多个。
[0024]在一个具体的实施例中，所述“在第一面的所述金属种子层的非边缘区域生成目标线路”，包括：
[0025]在在第一面的所述金属种子层上涂覆感光膜并进行曝光显影，在所述金属种子层的非边缘区域得到对应目标线路图形的线路凹槽；
[0026]对形成有所述线路凹槽的干膜或光刻胶层进行电镀处理，以在所述线路凹槽中形成目标线路，并对形成有目标线路一面进行磨板整平处理。
[0027]在一个具体的实施例中，所述目标线路的厚度范围为15μm
‑
1000μm；所述热沉面层的厚度范围为35μm
‑
1000μm。
[0028]在一个具体的实施例中，所述金属种子层中包括钛与铜；所述金属种子层的厚度范围为200nm
‑
1μm。
[0029]在一个具体的实施例中，所述底板为陶瓷板。
[0030]在一个具体的实施例中，在“在底板上的两面均溅射一层金属种子层”之前还包括：
[0031]对所述底板进行表面清洁处理。
[0032]在一个具体的实施例中，所述一个或多个预设引脚的一端与所述目标线路以焊接的方式实现连接。
[0033]在一个具体的实施例中，所述感光膜包括：干膜、湿膜或光刻胶膜。
[0034]以此，本专利技术提出了一种基板的制作工艺，包括：步骤A、在底板上的两面均溅射一层金属种子层；步骤B、在所述底板的第一面的所述金属种子层的非边缘区域生成目标线路；步骤C、在生成有预设线路的所述金属种子层上以及所述底板的第二面附着感光膜，并进行曝光显影，以在所述金属种子层的一面得到对应腔体截面图形的腔体凹槽，且在所述第二面得到对应热沉面层的面槽；所述腔体凹槽位于所述金属种子层的边缘区域；步骤D、在所述腔体凹槽及所述面槽进行电镀处理，并在电镀处理后进行磨板整平处理；步骤E、多次执行步骤C
‑
步骤D，直到在所述腔体凹槽中形成腔体围栏，以及在所述面槽中生成预定厚度的热沉面层；步骤F、将一个或多个预设引脚的一端与所述目标线路连接，步骤G、待将预设芯片与所述目标线路连接后，将散热盖板与所述腔体围栏的顶部连接，形成腔体，并完成基板的制作。通过本方案制作的基板，基于腔体的两侧均设置有散热板，可以有效进行散热，利于保证电子元件整体的正常运行，提高电子元件的寿命。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简
单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对本专利技术保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
[0036]图1示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺的流程示意图；
[0037]图2示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的基板的整体示意图；
[0038]图3示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的基板的拆解示意图；
[0039]图4示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的基板的局部放大示意图；
[0040]图5示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的另一基板的示意图；
[0041]图6示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的另一基板的局部示意图；
[0042]图7示出了本专利技术实施例提出的一种基板的制作工艺得到的另一基板的局部内部透视图。
[0043]图例说明：
[0044]100
‑
底板；110
‑
连接柱；
[0045]200
‑
目标线路；210
‑
腔体围栏；211
‑
内侧腔体围栏；212
‑
外侧腔体围栏；213
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板的制作工艺，其特征在于，包括：步骤A、在底板上的两面均溅射一层金属种子层；步骤B、在所述底板的第一面的所述金属种子层的非边缘区域生成目标线路；步骤C、在生成有预设线路的所述金属种子层上以及所述底板的第二面附着感光膜，并进行曝光显影，以在所述金属种子层的第一面得到对应腔体截面图形的腔体凹槽，且在所述第二面得到对应热沉面层的面槽；所述腔体凹槽位于所述金属种子层的边缘区域；步骤D、在所述腔体凹槽及所述面槽进行电镀处理，并在电镀处理后进行磨板整平处理；步骤E、多次执行步骤C
‑
步骤D，直到在所述腔体凹槽中形成腔体围栏，以及在所述面槽中生成预定厚度的热沉面层；步骤F、将一个或多个预设引脚的一端与所述目标线路连接，步骤G、待将预设芯片与所述目标线路连接后，将散热盖板与所述腔体围栏的顶部连接，形成腔体，并完成基板的制作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔体围栏设置有缺口；所述一个或多个预设引脚的另一端从所述缺口伸出。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔体围栏为朝向所述第一面设置有开口的闭环结构；所述底板中设置有贯穿所述第一面与所述第二面的连接柱；所述一个或多个预设引脚的一端与所述连接柱位于所述第二面的连接点连接，所述目标线路与所述连接柱位于所述第一面的连接点连接。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述散热盖板上设置有灌注孔与排气孔。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤E与步骤F之间，该方法还包括：去除残余的所述感光膜，并蚀刻掉残余的所述感光膜下的所述金属种子层。6.如权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述腔体围栏包括：内侧腔体围栏与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锐勋，王玉河，
申请(专利权)人：深圳市电通材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：