导电层的形成方法、导电结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种导电层的形成方法、导电结构及其形成方法，导电层的形成方法包括：提供第一导电膜和具有导电材料的溶液；将所述溶液涂覆于所述第一导电膜表面上，且在进行所述涂覆之前，所述第一导电膜的温度低于所述溶液的蒸发温度或升华温度；在进行所述涂覆的工艺步骤中或者在进行所述涂覆之后，加热所述第一导电膜，以使所述第一导电膜的温度高于或等于所述溶液的蒸发温度或升华温度，形成覆盖所述第一导电膜表面的第二导电膜，所述第二导电膜包括所述导电材料。本发明专利技术有利于提高导电层的结构稳定性和导电性能。电层的结构稳定性和导电性能。电层的结构稳定性和导电性能。

【技术实现步骤摘要】
导电层的形成方法、导电结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种导电层的形成方法、导电结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件中，导电层起到信号传输以及电力传输等作用。在半导体器件的前制程中，常通过导电层对半导体器件内的其他电学元件进行电性测试，以保证被测试的电学元件具有预设电学性能。
[0003]然而，多次电性测试可能导致导电层发生损伤，进而影响导电层自身的电学性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种导电层的形成方法、导电结构及其形成方法，有利于弥补初始导电膜的性能缺陷，提高导电层的导电性能。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种导电层的形成方法，包括：提供第一导电膜和具有导电材料的溶液；将所述溶液涂覆于所述第一导电膜表面上，且在进行所述涂覆之前，所述第一导电膜的温度低于所述溶液的蒸发温度或升华温度；在进行所述涂覆的工艺步骤中或者在进行所述涂覆之后，加热所述第一导电膜，以使所述第一导电膜的温度大于或等于所述溶液的蒸发温度或升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电层的形成方法，其特征在于，包括：提供第一导电膜和具有导电材料的溶液；将所述溶液涂覆于所述第一导电膜表面上，且在进行所述涂覆之前，所述第一导电膜的温度低于所述溶液的蒸发温度或升华温度；在进行所述涂覆的工艺步骤中或者在进行所述涂覆之后，加热所述第一导电膜，以使所述第一导电膜的温度高于或等于所述溶液的蒸发温度或升华温度，形成覆盖所述第一导电膜表面的第二导电膜，所述第二导电膜包括所述导电材料。2.根据权利要求1所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述第一导电膜具有受损表面；将所述溶液涂覆于所述受损表面上；在进行所述涂覆后，形成覆盖所述受损表面的所述第二导电膜。3.根据权利要求1所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述加热所述第一导电膜的工艺步骤中，所述第一导电膜的温度低于所述第一导电膜的熔点。4.根据权利要求3所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述第一导电膜的材料包括铝；所述加热所述第一导电膜的工艺步骤中，所述第一导电膜的温度低于或等于400℃。5.根据权利要求1或3所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述加热所述第一导电膜，包括：加热所述第一导电膜，以使所述第一导电膜的温度高于或等于所述导电材料的熔点。6.根据权利要求1所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述溶液可溶解所述第一导电膜的材料；所述第二导电膜包括所述第一导电膜的材料。7.根据权利要求1所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述溶液包括汞齐。8.根据权利要求7所述的导电层的形成方法，其特征在于，所述加热所述第一导电膜，包括：加热所述第一导电膜，以使所述第一导电膜的温度高...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明灯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：