防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造制造技术

本发明专利技术是关于一种防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造，主要包含一电路薄膜、复数个非导体间隔块、一凸块化晶片以及一点涂胶体。该晶片的复数个凸块是接合至该电路薄膜在其所定义的一晶片接合区内的复数个内引脚。这些非导体间隔块是可设置于该电路薄膜的该晶片接合区内，或是设置于该晶片上且位于凸块之间。在晶片接合时该电路薄膜产生的塌陷不会直接贴触该晶片，借此，由这些非导体间隔块提供一填胶间隙，以利该点涂胶体流动填满在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种薄膜覆晶封装构造(Chip-On-Film package, COF package)，特别是涉及一种防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造。
技术介绍
在众多集成电路封装类型中，薄膜覆晶封装构造(COF)是利用凸块化晶 片接合在一电路薄膜上并适当封胶。目前晶片的凸块与薄膜上的内引脚的 接合方法亦有多种技术，例如热压共晶接合(Eutecticbonding)、非导电胶接 合(NCPbonding)与异方性导电膜接合(ACF bonding)等等。基于成本降低与 设备沿用的考量，内引脚接合可被采用于薄膜覆晶封装，可以沿用巻带承 载封装(TCP)的内引脚接合设备。在晶片接合时，内引脚接合的压合头直接 加压与加热该电路薄膜，常会导致该电路薄膜受热产生永久性变形的塌陷， 使得后续涂胶困难，良率降低。如附图说明图1及图2所示， 一种现有习知的薄膜覆晶封装构造100是包含一 电路薄膜110、 一晶片120以及一点涂胶体130。该电路薄膜110是具有一 软质介电层111、复数个引脚112以及一防焊层115。该防焊层115是具有 一开孔，其是定义该电路薄膜110的一晶片接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造，其特征在于包含：一电路薄膜，其是具有一软质介电层以及复数个引脚，该电路薄膜的一表面是定义有一晶片接合区，该些引脚的内端是延伸至该晶片接合区内；复数个非导体间隔块，其是设置于该电 路薄膜的该晶片接合区内；一晶片，其是具有复数个凸块，以接合至该些引脚；以及一点涂胶体，其是形成于该电路薄膜与该晶片之间。

【技术特征摘要】
1. 一种防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造，其特征在于包含一电路薄膜，其是具有一软质介电层以及复数个引脚，该电路薄膜的一表面是定义有一晶片接合区，该些引脚的内端是延伸至该晶片接合区内；复数个非导体间隔块，其是设置于该电路薄膜的该晶片接合区内；一晶片，其是具有复数个凸块，以接合至该些引脚；以及一点涂胶体，其是形成于该电路薄膜与该晶片之间。2、 根据权利要求1所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装 构造，其特征在于，其中至少一非导体间隔块是接触该晶片。3、 根据权利要求1所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装 构造，其特征在于所述的点涂胶体的最小厚度是不小于该些非导体间隔块的厚度。4、 根据权利要求1或3所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶 封装构造，其特征在于所述的非导体间隔块的厚度是不小于5微米。5、 根据权利要求1所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装 构造，其特征在于所述的非导体间隔块是具有至少一锐角缘，其是朝向该 晶片的一侧边。6、 根据权利要求1所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装 构造，其特征在于所述的非导体间隔块是为菱形。7、 根据权利要求1所述的防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装 构造，其特征在于所述的电路薄膜另包含有一防焊层，其是形成于该软质 介电层上，以覆盖该些引脚的其中一部位，且该防焊层是具有一开孔，其 是显露该些引脚的该些内端以及该些非导体间隔块。8、 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈纬铭，李明勋，梁锦坤，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]