粘合带用薄膜及粘合带制造技术

提供一种粘合带用薄膜，其为在基材薄膜上设置有非粘合层的粘合带用薄膜，其能够有效地抑制在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时出现因底座发热等引起的过度密合，另外，通过在基材薄膜上设置非粘合层，可有效地抑制卷状形态下的粘连，在从卷状的形态退卷时不会发生断裂或破损，该非粘合层与该基材薄膜的融合性良好，对拉伸等变形的追随性良好。此外，还提供一种包含这样的粘合带用薄膜的粘合带。本发明专利技术的粘合带用薄膜在塑料薄膜的一面具备非粘合层，该非粘合层的表面具有凹凸结构，该非粘合层的表面的凸部分的由纳米压痕计得到的80℃下的压痕硬度为6.0MPa以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种粘合带用薄膜，其为在基材薄膜上设置有非粘合层的粘合带用薄膜，其能够有效地抑制在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时出现因底座发热等引起的过度密合，另外，通过在基材薄膜上设置非粘合层，可有效地抑制卷状形态下的粘连，在从卷状的形态退卷时不会发生断裂或破损，该非粘合层与该基材薄膜的融合性良好，对拉伸等变形的追随性良好。此外，还提供一种包含这样的粘合带用薄膜的粘合带。本专利技术的粘合带用薄膜在塑料薄膜的一面具备非粘合层，该非粘合层的表面具有凹凸结构，该非粘合层的表面的凸部分的由纳米压痕计得到的80℃下的压痕硬度为6.0MPa以上。【专利说明】粘合带用薄膜及粘合带
本专利技术涉及粘合带用薄膜及粘合带。
技术介绍
对于半导体的切割中使用的粘合带，在切割时为了固定晶圆，需要将与晶圆密合面相反的面固定在底座上。这种固定通常通过真空吸附等的负压来进行。 在进行这种利用负压的固定时，由于过度施加了负压的状态、因切割时的发热导致的粘合带的熔融，有时粘合带与底座过度密合。若出现这种过度密合，在解除与底座的固定时的处理性变差，产生例如包括切割在内的半导体制造工序不能顺利进行下去这样的问题。 为了消除这种过度密合的问题，报道有如下的技术:在由基材薄膜和粘合剂层这两层形成的晶圆表面保护带中，将基材薄膜的与粘合剂层相反的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为规定的大小(专利文献I)。 但是，对于在半导体的切割中使用的粘合带的基材薄膜而言，要求半导体制造工艺特有的扩展(拉伸)特性和高度差追随特性。即，在半导体的切割中使用的粘合带的基材薄膜需要在扩展工序中能够良好地拉伸，另外，需要良好地追随半导体的高度差。作为符合这样的要求的基材薄膜，选择由伸长率大的材料形成的基材薄膜。但是，这种基材薄膜的表面状态容易受到温度的影响。因此，即使像专利文献I所报道的那样将基材薄膜的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为规定的大小，也存在如下的问题:由于气温、工艺装置的温度变化，被控制为规定的大小的中心线表面粗糙度Ra大幅变化，无法表现出专利文献I中记载的专利技术的效果。 例如，在切割时，尤其在激光切割时，由于激光加工带来的能量而晶圆发热。若像这样晶圆发热，则还存在即使像专利文献I所报道的那样将基材薄膜的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为规定的大小，上述那样的过度密合的问题也无法消除，甚至会促进过度密合这样的问题。 另外，近年，半导体的切割中使用的晶圆的尺寸在大型化，因此切割的时间变长，其结果，晶圆的发热变大，上述问题变得更加突出。 半导体的切割中，尤其在LED切割中，使用的半导体晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的，因此为了防止该半导体晶圆的破损，要求粘合带的基材薄膜有进一步的扩展(拉伸)特性和高度差追随特性。因此，用于LED切割的粘合带中，上述问题变得更加突出。 另外，通常薄膜表面平滑，若将这样的薄膜加工成卷状，则发生薄膜彼此接触而密合的现象，即粘连。在产生了粘连的卷中，有时发生将薄膜进行退卷的操作变困难等不便。尤其，在伸长率大的薄膜中，通常添加有增塑剂。在这样的薄膜中，增塑剂在薄膜表面析出，从而薄膜间的微小空隙被填埋，因此，粘连导致的不良影响变明显。对薄膜表面实施利用粘合剂的粘合加工时，由于该粘合剂本身具有密合性，因此，粘连的不良影响变得更大。 将粘连的卷状的薄膜进行退卷时，需要多余的、用于解除薄膜彼此的密合的力。由于施加这种多余的力，薄膜伸长而变形，或者即使薄膜不变形也以应力应变的形式蓄积。若将因如上所述的原因而变形的薄膜应用于粘合带，则难以追随被粘物地贴合。另外，若将因如上所述的原因而蓄积了应力应变的薄膜应用于粘合带，则由于贴合于被粘物之后产生该应力应变的自然释放，有被粘物破损的担心。 在半导体加工中使用粘合带时，作为被粘物的半导体晶圆由脆性的材料构成，因此会发脆或者容易有缺损。因此，若将因如上所述的原因而变形的薄膜应用于粘合带，则难以追随半导体晶圆的微细精致的电路图案而贴合。另外，若将因如上所述的原因而蓄积了应力应变的薄膜应用于粘合带，则贴合于半导体晶圆之后产生该应力应变的自然释放，半导体晶圆容易破损。 尤其，用于LED的晶圆是由氮化镓、砷化镓、碳化硅等非常脆的材料构成的。因此，用于LED切割等的粘合带中的防粘连变得特别重要。 作为防粘连的现有技术，可以大致列举出两种技术。 一种现有技术可列举出在薄膜的背面实施压花加工等物理处理的技术(专利文献2)。但是，在该技术中，在薄膜的背面形成的凹凸成为应力集中结构，因此在从卷状的形态退卷时，存在因退卷力而薄膜以该凹凸为起点发生断裂或破损这样的问题。 另一种现有技术可列举出在薄膜的背面涂布聚硅氧烷脱模剂的技术(专利文献3)。但是，在该技术中，聚硅氧烷脱模剂因其表面张力而与薄膜背面的化学亲和性低，存在难以融合于薄膜背面这样的问题。另外，将在背面涂布了聚硅氧烷脱模剂的薄膜应用于粘合带时，若进行扩展等粘合带拉伸，则有时利用聚硅氧烷脱模剂处理的处理层无法追随拉伸，可能产生该处理层破裂而导致污染这样的问题。需要说明的是，为了提高聚硅氧烷脱模剂与薄膜背面的化学亲和性，虽然也有涂布交联型聚硅氧烷脱模剂的技术，但交联型聚硅氧烷通常伸长率非常小，因此将在背面涂布了交联型聚硅氧烷脱模剂的薄膜应用于粘合带时，若进行扩展等粘合带拉伸，则有利用交联型聚硅氧烷脱模剂处理的处理层无法追随拉伸、无法维持锚固性这样的问题。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2009-239124号公报 专利文献2:国际公开第2009/028069号小册子 专利文献3:日本特开2010-201836号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 本专利技术的课题在于提供一种粘合带用薄膜，其为在基材薄膜上设置有非粘合层的粘合带用薄膜，其能够有效地抑制在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时出现因底座发热等引起的过度密合，另外，通过在基材薄膜上设置非粘合层，可有效地抑制卷状形态下的粘连，在从卷状形态退卷时不会断裂或破损，该非粘合层与该基材薄膜的融合性良好，对拉伸等变形的追随性良好。另外，本专利技术的课题还在于提供包含这种粘合带用薄膜的粘合带。 用于解决问题的方案 本专利技术的粘合带用薄膜是在塑料薄膜的一面具备非粘合层的粘合带用薄膜， 该非粘合层的表面具有凹凸结构， 该非粘合层的表面的凸部分的由纳米压痕计得到的80°C下的压痕硬度为6.0MPa以上。 在优选的实施方式中，上述非粘合层的算术平均表面粗糙度Ra为0.1 μ m以上。 在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸系聚合物的混口 /Z^ O 在优选的实施方式中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物的计算Tg为10°C以上。 在优选的实施方式中，上述(甲基)丙烯酸系聚合物的SP值为9.0(cal/cm3)°_5?12.0 (cal/cm3)0.5。 在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸系聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷:(甲基)丙烯酸系聚合物=1:50?50:1。 在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。 在优选的实施方式中，上述非粘合层的非粘合试验剥离力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带用薄膜，其为在塑料薄膜的一面具备非粘合层的粘合带用薄膜，该非粘合层的表面具有凹凸结构，该非粘合层的表面的凸部分的由纳米压痕计得到的80℃下的压痕硬度为6.0MPa以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：由藤拓三，铃木俊隆，白井稚人，安藤雅彦，关口裕香，浅井量子，远藤明日香，林内梨惠，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP