【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体模块及其制造方法。技术背景在现有半导体模块中有被称为CSP( Chip Size Package:芯片尺寸封装) 的半导体模块。通过对在一个主面上形成有LSI (电路元件)和与其连接的 外部连接电极的半导体晶片(半导体基板)进行切割而分开来形成这种CSP 半导体模块。因此,半导体模块可以以与LSI芯片相同的尺寸固定在布线 基板上,从而,可以使安装有半导体模块一侧的布线基板小型化。近年来,伴随着电子设备的小型化/高性能化,要求电子设备中使用的 半导体模块进一步小型化。随着这样的半导体模块的小型化,用来安装在 布线基板上的电极间的节距窄化必不可少。作为半导体模块的表面安装方 法,已知有在电路元件的外部连接电极上形成焊料凸起、对焊料凸起和布 线基板的电极焊盘进行软钎焊的倒装安装方法。在倒装安装方法中,焊料 凸起本身的大小和软钎焊时架桥现象的产生等成为制约,导致外部连接电 极的节距窄化存在界限。近年来,为了克服这样的界限,在电路元件上通 过形成再布线来进行外部连接电极的再配置。作为这样的再配置方法,例 如已知有这样的方法,即以通过半蚀刻金属板而形 ...
【技术保护点】
一种半导体模块的制造方法,包括: 第一工序,形成表面设置有电路元件和与该电路元件电连接的电极的半导体基板; 第二工序,形成具有从主表面突出设置的突起部和设置在该主表面的第一沟槽部的金属板; 第三工序,其经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,通过使所述突起部贯通所述绝缘层而电连接所述突起部和所述电极。
【技术特征摘要】
JP 2006-9-29 267063/06;JP 2007-9-19 242222/071.一种半导体模块的制造方法,包括第一工序,形成表面设置有电路元件和与该电路元件电连接的电极的半导体基板;第二工序,形成具有从主表面突出设置的突起部和设置在该主表面的第一沟槽部的金属板;第三工序,其经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,通过使所述突起部贯通所述绝缘层而电连接所述突起部和所述电极。2. 如权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所述 半导体基板上形成多个所述电路元件,所述第一沟槽部形成在于多个所述 电路元件之间进行划分而设置的划线区域中。3. 如权利要求2所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所述 电路元件的边缘部形成有所迷电极。4. 如权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,还包括 第四工序,通过加工所述金属板而形成具有规定线路/空间图形的布线层,与所述布线层的空间图形相对应地形成所述第一沟槽部,通过从背面 侧将所述金属板薄膜化而形成所述布线层。5. 如权利要求1 3中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在 于,贯通所述金属板形成所述第一沟槽部。6. 如权利要求1 5中任一项所述的半导体模块的制造方法,其特征在 于,在所述第一工序的所述半导体基板中,在其表面进一步形成第二沟槽 部。7. —种半导体模块的制造方法,包括第...
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