超薄太阳能级硅片及其切割工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种超薄太阳能级硅片及其切割工艺，属于太阳能电池领域。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的４５°倒角，上、下两平面的距离为１６５μｍ－１９５μｍ范围，翘曲度小于７５μｍ，表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同４５°倒角的八角方型柱体，切削余料为块状，可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机上切割成超薄太阳能级硅片，保证超薄太阳能级硅片的制造质量，提高生产效率，降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超薄太阳能级硅片及其切割工艺，属于太阳能电池领域。技术背景目前太阳能级电^f圭片是将单晶圆形硅棒切割而成。国内硅晶材料稀缺， 价格昂贵，随着可再生能源的广泛应用，太阳能叙在片的市场需求量越来越大。传统的即目前国际上fi4使用的太阳能硅片为四角为圓角的方形薄片，厚度在200nm以上，这种太阳能级硅片的加工程序为先将圓形珪棒开方切割成截面 为方形、四角留有还棒圓棱的柱体，而后再用砂轮将坯棒圆棱^i到标准圆角 尺寸，磨削量约为2mm—4mm。这种截面状的太阳能级硅片存在以下缺点一 是滚磨加工下来的废屑为粉末状，飘扬在空气中污染环境，且不能回收再利用； 二是^^加工容易损伤柱体圆棱，发生崩边和爆裂等质量问题，从而降低了成 品的^^格率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问 _提供一种加工简便，产品合格率高，制造成本 低的超薄太阳能^j;圭片。实现上述目的的技术方案是提供一种超薄太阳能级硅片，其本体为由上、 下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为四个相同的45°倒角。本体上、 下两平面的距离在165^m—195拜范围内，翘曲度小于75Mm，表面光洁、平 整、无瑕疯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄太阳能级硅片，其本体（１）为由上、下两平行平面（２、３）组成的方形薄片，其特征在于：方形薄片四角（４）为四个相同的４５°倒角。

【技术特征摘要】
1、一种超薄太阳能级硅片，其本体(1)为由上、下两平行平面(2、3)组成的方形薄片，其特征在于方形薄片四角(4)为四个相同的45°倒角。2、 根据权利要求1所述的超薄太阳能级硅片，其特征在于所述本体(1) 的上、下两平面(2、 3)的距离在165pm—195nm范围内，翘曲度小于75[jm, 表面光洁、平整、无瑕疯。3、 一种超薄太阳能级^圭片切割工艺，其特征在于切割工艺由圆形硅棒 开方和方形硅棒切片二道工序组成；圆形硅棒开方切割工艺是将检验合格的圆 形硅棒津W妄在晶棒托上，而后安装到硅晶棒开方机的工作台上，经两次开方和 两次倒角，切割出四角为四个相同的45。倒角的方形硅棒；开方和倒角时钢线 速度为9-12米/秒、，工件ii^复600-80...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟忠，毛和璜，李云霞，
申请(专利权)人：常州有则科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]