【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种核辐射探测器及其制备方法，具体涉及一种肖特基型 GaN室温核辐射探测器及其制备方法。
技术介绍
室温核辐射探测器是继气体探测器、闪烁体探测器之后发展起来的一类 新型探测器，具有室温灵敏度髙、噪声低、响应光谱宽、脉冲时间短、探测 效率髙、抗辐照损伤能力强、稳定性髙等优点，在环境监测、核医学、工业 无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和髙能物理等领域 具有广泛的用途，已经成为现代髙科技领域的前沿研究热点之一。由于室温核辐射探测器要求在室温下工作，且对能量分辨率和探测效率 要求较髙，所以对制备探测器的材料也提出了很髙的要求。 一般认为必须满 足如下要求①较高的原子序数，确保对Y射线有较髙的阻止本领，从而保 证探测器具有较髙的探测效率；②较大的禁带宽度，保证探测器在室温下工作时，具有较髙的电阻率和较低的漏电流；(D良好的工艺性能，容易制得纯 度髙、完整性好的单晶体，同时具有优良的机械性能和化学稳定性，便于进 行机械加工，容易制作成势垒接触或欧姆接触；④优异的物理性能，能耐较 髙的反向偏压，反向漏电流小，正向电流也小，同时材料中载流子的迁移...
【技术保护点】
一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以ＧａＮ基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述ＧａＮ基底为厚膜结构，其厚度为１００ｕｍ～２００ｕｍ，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于ＧａＮ基底的两侧表面上。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。2. 根据权利要求1所述的肖特基型室温核辐射探测器，其特征在于 所述GaN基底是GaN单晶厚膜，电阻率为106 109Q'cm，位错密度小于 106cnT2。3. 根据权利要求1所述的肖特基型室温核辐射探测器，其特征在于 所述电极是在所述GaN基底的两个表面分别沉积10nm 30nm的Pd或Au 而制成的接触电极。4. 一种肖特基型室温核辐射探测器的制备方法，其特征在于，包括如 下步骤 1) 采用MOCV...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏，
申请(专利权)人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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